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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

DRAM能否成為半導體市場預測晴雨表？

  • 　　在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出，從歷史角度來看，存儲市場一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應求的情況，使得價格上漲，但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期，這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正　　俄烏戰(zhàn)爭打破歐洲和平局面，導致能源價格大幅提升，整體社會的消費水平降低，企業(yè)和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務部公布的數(shù)據(jù)顯示，美國一季度G
  • 關鍵字： DRAM  半導體  市場  

潛力無限的汽車存儲芯片

  • 　　隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領半導體發(fā)展新驅動力?！　∑囆酒瑥膽铆h(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內汽車存儲芯片市場規(guī)模
  • 關鍵字： 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務器 DRAM， 推動下一代服務器平臺發(fā)展

  • 關鍵優(yōu)勢：● 隨著 CPU 內核數(shù)量不斷增加，改進后的內存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內存密集型工作負載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構改進和模組內建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
  • 關鍵字： 美光  數(shù)據(jù)中心  DRAM  DDR5  

中國DRAM和NAND存儲技術和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

  • 近日，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

  • 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
  • 關鍵字： 存儲芯片  DRAM  NAND Flash  

2022半導體儲存器市場調研 半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

  • 　　國內半導體儲存器行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領域。2022半導體儲存器市場調研半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析　　國內開始布局存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)?；袊箨懙拇鎯ζ鞴娟懤m(xù)成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進展。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內存儲器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機遇?！　“雽w儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  市場  

TrendForce：DRAM原廠降價意愿提高 第三季跌至近10%

  • 根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉弱，但先前DRAM原廠議價強勢，并未出現(xiàn)降價求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的服務器領域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格
  • 關鍵字： TrendForce  DRAM  

TrendForce：第三季DRAM價格預估下跌3～8％

  • 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便
  • 關鍵字： TrendForce  DRAM  

SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存
  • 關鍵字： SK海力士  英偉達  HBM3  DRAM   

3D DRAM技術是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
  • 關鍵字： DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

DDR5內存到底升級了什么？

  • 隨著11月初各大主板廠商Z690系列主板的發(fā)售，家用電腦上的內存終于進入了DDR5的時代。那么DDR5相比過去的DDR4都有哪些變化呢？以及現(xiàn)在值得買嗎？外觀方面在外觀方面，DDR5和DDR4的區(qū)別主要有兩方面。第一，在內存條中間的部分多了一些電子模塊。第二，內存條下部的防呆口位置發(fā)生了改變。來源：金士頓防呆口位置發(fā)生改變也就意味著DDR5的內存條與DDR4的內存條物理上不兼容?，F(xiàn)在老主板上的內存插槽一般都是DDR4或者DDR3的，如果你想升級DDR5的內存條就必須換新主板。關于新主板方面，目前發(fā)售的主板
  • 關鍵字： DDR5  

三大廠商的DDR5技術對比

  • 我們剛剛進入了DDR5內存時代。自去年以來，所有主要的 DRAM 廠商，如美光、三星和 SK 海力士，都開始發(fā)布他們的第一款 DDR5 內存產(chǎn)品（模塊）。此外，如今對 DDR5 產(chǎn)品的需求明顯且肯定超過供應。DDR5 是 DRAM 的新標準，旨在滿足計算、高帶寬、人工智能 (AI)、機器學習 (ML) 和數(shù)據(jù)分析的需求。在接下來的文章里，我們了解一下這個新技術。DDR4 數(shù)據(jù)速率通常在 1,600 MHz 到 3200 MHz 的范圍內運行，而 DDR5 在數(shù)據(jù)和時鐘速率方面都在 DDR4 上有
  • 關鍵字： DDR5  

DDR5究竟有什么奧妙？

  • 　　現(xiàn)在，許多電腦主流使用著DDR4內存，DDR5即將正式到來。最近，AMD、Intel在發(fā)布新品時，都已開始支持DDR5。作為下一代存儲技術，它究竟有何奧妙？　　去年7月，電子器件工程聯(lián)合會（JEDEC）終于正式發(fā)布了下一代主流存儲器（DDR5 SDRAM）最終規(guī)范。自90年代末以來，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲器技術已經(jīng)歷多次迭代，并且推動了PC、服務器等生態(tài)的快速發(fā)展?！　?jù)悉，JEDEC最初于2018年提出DDR5內存規(guī)范，時隔兩年，正式版本雖然來得有些晚，但并沒有降低新一代存儲器標準的重要性。　　
  • 關鍵字： DDR5  

DDR5能給PC帶來怎樣提升？我們用12款軟件進行了對比測試

  • 我們使用了12款專業(yè)測試軟件，分別對DDR5與DDR4內存，在相同平臺下進行了測試體驗：　　酷睿i9-12900K搭配DDR4與DDR5，總體差距并不是很大；　　在y-cruncher測試中，DDR5比DDR4速度快了40％以上；　　在Geekbench 5的多線程測試中，DDR5比DDR4快了近20%；　　在選購筆記本時，在其他硬件基本相同，且價差不大的情況下，更推薦搭載DDR5內存產(chǎn)品?！　〗衲甑谝患径龋萜?、聯(lián)想、華碩等OEM廠商紛紛召開新品發(fā)布會，游戲本和輕薄本等PC產(chǎn)品開啟了換代升級。本輪新品升
  • 關鍵字： DDR5  

ddr5和ddr4的區(qū)別

  • 　　DDR5和DDR4主要在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有區(qū)別。帶寬速度上，DDR5為32GB/s,DDR4為25.6GB/s;；單片芯片密度上，DDR5單芯片的容量為16GB，DDR4單芯片的容量為4GB；工作頻率上，DDR5工作頻率達4800MHz以上，DDR4最低為1600MHz。具體區(qū)別如下：　　1、帶寬速度方面：DDR4的帶寬為25.6GB/s，DDR5的帶寬為32GB/s?！　?、單片芯片密度方面：DDR4為4GB的單片芯片密度，單條內存的最大容量達到128GB；而DDR5會有單片超
  • 關鍵字： DDR5  DDR4  
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ddr5 dram介紹

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