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Gate-first HKMG工藝不行了？IBM技術(shù)聯(lián)盟成員辟謠忙
- 以IBM公司為首的芯片制造技術(shù)聯(lián)盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團體最近駁斥了有關(guān)該聯(lián)盟在開發(fā)high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時遇到困難的傳言。 風波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報告，這份報告指出：“HKMG技術(shù)的目的在于減小柵極尺寸變小時的柵漏電量。”文章指出，在如何實現(xiàn)HKMG技術(shù)方面，業(yè)界分為兩大流派，其一是Intel，臺積電為首的Gate-last派，Gate last工藝將生成金屬柵極的工步放在漏源極
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先柵極還是后柵極 業(yè)界爭論高K技術(shù)
- 隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術(shù).不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first(先柵極)工藝流派和以Intel為代表的Gate-last(后柵極)工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-la
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整裝待發(fā)：GlobalFoundries德累斯頓Fab1工廠探秘
- 對GlobalFoundries公司設在德國德累斯頓的Fab1工廠的總經(jīng)理Udo Nothelfer和他的員工來說，今年可以說是任務繁重的一年。今年， 他管理的這間工廠要實現(xiàn)產(chǎn)能的翻倍，其月晶圓產(chǎn)能要從3萬片增加到6萬片。同時，F(xiàn)ab1工廠的生產(chǎn)任務也將從過去單單為AMD公司代工MPU芯片，轉(zhuǎn)為 現(xiàn)在的還需要為其它多家公司代工芯片產(chǎn)品。不僅如此，今年Fab1還要盡量提升采用新款32/28nm HKMG制程技術(shù)制作的芯片產(chǎn)品的產(chǎn)量。 Udo Nothelfer 不過挑戰(zhàn)正
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半導體業(yè)界的HKMG攻防戰(zhàn)：詳解兩大工藝流派之爭
- 隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術(shù).不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first工藝流派和以Intel為代表的Gate-last工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-last工藝的難點則在于
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臺積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長負責。 這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
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臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍圖
- 臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍圖，預計于2010年第三季進行試產(chǎn)(Risk Production)。 臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來，技術(shù)的發(fā)展與進入量產(chǎn)的時程皆按預期計劃進行。就試產(chǎn)時程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)工藝預計于2010年第一季底進行試產(chǎn)，高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)工藝則預計于2010年第二季底開始試產(chǎn)，而低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)工藝的試產(chǎn)時程
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晶圓代工22納米競賽鳴槍 Global Foundries略勝臺積電一籌
- 晶圓代工業(yè)者Global Foundries來勢洶洶，除積極與臺積電爭搶兩大繪圖芯片客戶超微(AMD)與NVIDIA訂單，在技術(shù)上亦強調(diào)其將是目前晶圓代工廠最領(lǐng)先者，繼臺積電日前發(fā)表28納米制程技術(shù)，Global Foundries亦不甘示弱，對外發(fā)表22納米制程，預計最快2012年進行生產(chǎn)，與臺積電互別苗頭意味濃。 臺積電日前在京都VLSI大會上發(fā)表28納米制程，是首代正式采用高k金屬柵(High-k Metal Gate;HKMG)制程技術(shù)，并將取代32納米成為全世代制程，多數(shù)晶圓廠包括Gl
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GLOBALFOUNDRIES介紹22納米及更小尺寸技術(shù)
- GLOBALFOUNDRIES日前介紹了一種創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進高 k金屬柵(HKMG)晶體管的一個主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強計算能力和大大延長的電池使用壽命的下一代移動設備推進了一步。 眾所周知，半導體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續(xù)更小、更快、更節(jié)能的產(chǎn)品趨勢。研究是通過GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術(shù)聯(lián)盟來與IBM合作的形式進行的，旨在繼續(xù)將半導體元件的尺寸縮小到22納米節(jié)點及更小尺寸。 在2009年于日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上，GLOB
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臺積電規(guī)劃32納米制程提供HKMG技術(shù)
- 據(jù)Chinatimes報道，臺積電年底40納米即將導入量產(chǎn)，對次世代32納米技術(shù)也有了新規(guī)劃，除了提供一般型及低功耗的32納米技術(shù)外，近期業(yè)內(nèi)已傳出將提供高介電金屬柵電極（High-K Metal Gate，HKMG）技術(shù)，此舉等同于可提供中央處理器（CPU）代工服務，業(yè)內(nèi)預期這是為了爭取AMD處理器訂單而先行鋪路。 臺積電于今年3月底正式推出40納米晶圓共乘服務，提供客戶泛用型制程（40G）及低耗電制程（40LP）等兩種制程，下半年亦有多個產(chǎn)品完成設計定案（tape-out），明年第二季將推出
- 關(guān)鍵字： 臺積電 40納米 HKMG CPU
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