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威剛：內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復(fù)增長動能

  • IT之家 2 月 10 日消息，據(jù)威剛官方消息，威剛 1 月合并營收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺幣。威剛表示，公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹慎的庫存策略，并隨時掌握產(chǎn)業(yè)變化，預(yù)期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費性需求回籠，以及各項產(chǎn)品單機內(nèi)存搭載容量快速成長，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復(fù)成長動能。威剛董事長陳立白進一步指出，目前公司對內(nèi)存景氣展望不變，預(yù)期本季內(nèi)存價格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應(yīng)商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守，DRAM 與 NAND
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存儲設(shè)備庫存擠壓嚴重，各類儲存卡、SSD 價格暴跌：最低 3.59 元起

  • 2023 年 2 月 7 日消息，據(jù) DT 報道稱主要存儲廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲大廠們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長的庫存壓力也讓供銷商對終端出貨的預(yù)期保持謹慎，甚至預(yù)測到 2023 年第四季度才能回暖。價格方面，目前 DRAM 內(nèi)存芯片價格預(yù)計一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價格預(yù)計一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲存卡、固態(tài)硬盤 SSD 的用戶，近期好價可以選擇入手！
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TrendForce：預(yù)計一季度服務(wù)器 DRAM 價格跌幅約 20%-25%

  • IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報告指出，全球經(jīng)濟持續(xù)疲軟，促使北美四大云服務(wù)供應(yīng)商下修 2023 年服務(wù)器采購量，且數(shù)字可能持續(xù)下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預(yù)計，四家廠商服務(wù)器采購量由原先預(yù)估的同比增長 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機出貨年增率下降到 1.87%，進一步加劇 Server DRAM 供
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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗證

  • 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動當今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準測試中的性能
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美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強可擴展處理器中完成驗證

  • IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運行次數(shù)）的基準測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強的性
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美光DDR5為第四代英特爾至強可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番，為當今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯(lián)手，可為各
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SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強可擴展處理器

  • IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對增長趨勢的服務(wù)器市場，盡早克服存儲器半導(dǎo)體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
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三星電子計劃明年擴大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能，擬新設(shè)至少 10 臺 EUV 光刻機

  • IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經(jīng)濟日報》表示，盡管明年全球經(jīng)濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2 萬片產(chǎn)能。三星電子計劃利用新的設(shè)備生產(chǎn) 12 納米級 DRAM。截至今
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

  • 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計算機架構(gòu)的進步，此類工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲
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美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準測試：內(nèi)存帶寬翻倍

  • IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。長期以來，超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行 TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。 長期以來，超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

  • SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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業(yè)界最快：SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組

  • IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來

  • 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎？當年這是Intel為了跟AMD競爭專業(yè)市場，將服務(wù)器版至強下放到了工作站，滿血28核56線程，還是唯一解鎖超頻的至強，售價超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了，這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒了動靜，至強W的繼任者也沒了音信，一度傳聞被取消，但是Intlel現(xiàn)在親自出面，證實了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看，Intel稱新一代的工作站處理器非?？欤凳拘阅軓姶?，甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時間了，因為工作等待時間會更短
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