ddr5 dram 文章 進入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功
- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責(zé)人Jooyoung Lee表示:"三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
- 關(guān)鍵字: 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
美光與AMD宣布全新技術(shù)合作
- 12月19日,美光宣布,與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM(霄龍)處理器均已出貨。長期以來,超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣候預(yù)測;地震建模;化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計算機架構(gòu)的進步,此類工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲
- 關(guān)鍵字: 美光 AMD DDR5
美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準測試:內(nèi)存帶寬翻倍
- IT之家 12 月 19 日消息,據(jù)美光發(fā)布,美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間,在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM (霄龍)處理器均已出貨,官方對其進行了一些常見的高性能計算(HPC)工作負載基準測試。長期以來,超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行 TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣
- 關(guān)鍵字: 美光 AMD DDR5
美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器,提升高性能計算工作負載
- 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間,在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM (霄龍)處理器均已出貨,我們對其進行了一些常見的高性能計算(HPC)工作負載基準測試。 長期以來,超級計算機承擔(dān)著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣候預(yù)測;地震建模;化學(xué)、物理和生
- 關(guān)鍵字: 美光 DDR5 AMD EPYC
SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存:超越DDR5-4800 80%!
- SK海力士宣布,已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存, 起步速率就可以達到8Gbps,相比于標準的DDR5-4800快了多達80% ,也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā),面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”,多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù),通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DDR5 DIMM 內(nèi)存
業(yè)界最快:SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組
- IT之家 12 月 8 日消息,SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布,成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達 8Gbps,較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱,該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度,但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑,提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來
- 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎?當(dāng)年這是Intel為了跟AMD競爭專業(yè)市場,將服務(wù)器版至強下放到了工作站,滿血28核56線程,還是唯一解鎖超頻的至強,售價超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了,這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒了動靜,至強W的繼任者也沒了音信,一度傳聞被取消,但是Intlel現(xiàn)在親自出面,證實了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看,Intel稱新一代的工作站處理器非???,暗示性能強大,甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時間了,因為工作等待時間會更短
- 關(guān)鍵字: 英特爾 CPU 至強 DDR5
DRAM大廠:消費端整體市況回穩(wěn)恐得等到2023年下半年
- 12月5日,DRAM大廠南亞科發(fā)布公告11月自結(jié)合并營收為新臺幣27.71億元,較上月減少0.40%,較去年同期減少61.81%。累計合并營收為新臺幣545.52億元,較去年同期減少30.65%。據(jù)TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示,南亞科(Nanya)因consumer DRAM產(chǎn)品比重高,第三季營收衰退達40.8%,衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片,但轉(zhuǎn)進1Anm的進度仍舊持續(xù),預(yù)期2023上半年推出樣本,然客戶端因需求展望保守,導(dǎo)入意愿可能并不積極,預(yù)計
- 關(guān)鍵字: DRAM 南亞科
瀾起科技:DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加
- IT之家 12 月 5 日消息,根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動記錄,瀾起科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升,2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長,從而推動互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長。據(jù)介紹,內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的,為滿足內(nèi)存容量的增長需求,主要通過兩種方式來實現(xiàn),一是提升內(nèi)存顆粒密度,二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時期內(nèi)存顆粒密度提升放緩,則內(nèi)存容量增
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 DDR5
1TB降到100元可期!SSD還要降價 原廠顆粒賣不動:內(nèi)存閃存市場價繼續(xù)走跌
- 很顯然內(nèi)存市場的需求依然很淡,不少消費者依然沒有出手,當(dāng)然還是覺得廠商能繼續(xù)降價。調(diào)研機構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報告,表明目前DRAM現(xiàn)貨報價仍在保持下跌的趨勢,主要買家對未來皆抱持跌價心態(tài),整體市況仍因大環(huán)境因素影響價格難以止跌。具體來說:DDR4 1Gx8 2666/3200 部分,SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右;三星WC-BCWE報價下調(diào)至 2.08~2.10 美元,WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 DRAM,三星 SK海力士
DDR5加速滲透,封測龍頭帶來新消息
- 近日,封測龍頭長電科技宣布,高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢,給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性,市場前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的存儲芯片效能不斷提升,對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延,以及更短互連等要求。為此,長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術(shù),實現(xiàn)同尺寸
- 關(guān)鍵字: DDR5 封測
韓國芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價甩賣:SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱,芯片出口的多少,直接關(guān)系著幾大財團的營收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道,消費電子產(chǎn)品需求下滑,導(dǎo)致對芯片的需求下滑,尤其是存儲芯片,需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設(shè)備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是,全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬部,這也
- 關(guān)鍵字: 三星 SK海力士 DRAM NAND
美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲引擎
- IT之家 11 月 20 日消息,2020 年初,美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計的開源存儲引擎 HSE,這是一款快速鍵值存儲數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相,不再依賴于對 Linux 內(nèi)核的修改,改為完全基于用戶空間的解決方案。本周,美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲引擎,帶來了更多功能改進。據(jù)介紹,HSE 3.0 改進了數(shù)據(jù)管理,提高了各種重要工作負載的性能。此外,HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵(例如時間序列數(shù)據(jù))的工作負載、多客戶端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
- 關(guān)鍵字: 美光 SSD DRAM HSE
美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨
- 2022 年 11 月 18 日——中國上?!獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? (霄龍) 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU,其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸,美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬,從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合,使
- 關(guān)鍵字: 美光 DDR5 AMD EPYC 處理器
美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器
- 當(dāng)?shù)貢r間11月10日,美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器,該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進行了驗證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU,每個CPU內(nèi)核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比,美光DDR5提供了更高的帶寬,從而緩解了這一瓶頸,提高了可靠性和可擴展性。據(jù)介紹,美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 美光 數(shù)據(jù)中心 DDR5 存儲器
ddr5 dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473