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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗(yàn)證

作者: 時(shí)間:2023-01-19 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

近日,宣布,其用于數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器上得到全面驗(yàn)證。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202301/442781.htm

據(jù)介紹,美光提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍,這對(duì)于推動(dòng)當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到將提供更高的帶寬以釋放每個(gè)處理器的更多計(jì)算能力,從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。

美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負(fù)載受益,與前幾代相比,它在 Critical-jOPS(每秒 Java 操作數(shù))基準(zhǔn)測試中的性能提升高達(dá) 49%。

除了增加內(nèi)存帶寬和性能外,美光DDR5內(nèi)存還旨在通過片上糾錯(cuò)碼 (ODECC) 和有限故障等功能提高整個(gè)數(shù)據(jù)中心的可靠性。片上ECC糾正單位錯(cuò)誤并檢測多位錯(cuò)誤。

在與聯(lián)想的合作中,與美光DDR4和第三代英特爾至強(qiáng)8380鉑金處理器相比,美光DDR5和第四代英特爾至強(qiáng)8480H鉑金處理器為SAP工作負(fù)載提供的交易量增加了43%。




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