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3nm finfet 文章 最新資訊

臺(tái)積電 3nm 工藝步入正軌，2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點(diǎn)

  • IT之家 5 月 17 日消息，臺(tái)積電近日舉辦技術(shù)研討會(huì)，表示其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)已步入正軌，N3P 節(jié)點(diǎn)將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點(diǎn)，進(jìn)一步提高能效和晶體管密度。臺(tái)積電表示 N3E 節(jié)點(diǎn)良率進(jìn)一步提高，已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關(guān)報(bào)道，臺(tái)積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質(zhì)量驗(yàn)證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學(xué)微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設(shè)計(jì)規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺(tái)積電表示整個(gè)過渡過程非常順利。N
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瞄準(zhǔn)AI需求：臺(tái)積電在美第二座晶圓廠制程升級(jí)至2nm

  • 最新消息，臺(tái)積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計(jì)劃的3nm升級(jí)為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺(tái)積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對(duì)于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計(jì)劃的3nm提升到2nm，臺(tái)積電CEO魏哲家在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上也作出了回應(yīng)，他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

  • 這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測(cè)試芯片通過加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，堅(jiān)定客戶對(duì)Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號(hào)IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

  • 最新報(bào)道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題，未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測(cè)。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃，還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級(jí)之處在于將采用全新的
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晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代

  • 3D 芯片堆疊對(duì)于補(bǔ)充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號(hào)

  •  2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報(bào)道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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特斯拉明年將采用臺(tái)積電3nm芯片

  • 據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外，特斯拉也已確認(rèn)參與臺(tái)積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計(jì)定案（New Tape-Outs，NTOs）。報(bào)道稱，特斯拉成為臺(tái)積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解，臺(tái)積電N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺(tái)積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo)，以及技術(shù)成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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天璣9400繼續(xù)采用全大核架構(gòu) 外加N3E工藝加持

  • 11月6日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺(tái)天璣9300處理器大膽創(chuàng)新，取消了低功耗核心簇，轉(zhuǎn)而采用“全大核”架構(gòu)，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達(dá)3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯(lián)發(fā)科予以否認(rèn)并聲稱其性能表現(xiàn)出色。近期有爆料稱聯(lián)發(fā)科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構(gòu)。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺(tái)積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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消息稱高通、聯(lián)發(fā)科明年導(dǎo)入 3nm，預(yù)估臺(tái)積電 2024 年底月產(chǎn)能可達(dá) 10 萬片

  • IT之家 11 月 22 日消息，臺(tái)積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個(gè)客戶在用，那就是蘋果。根據(jù)中國臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》的消息，目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元（IT之家備注：當(dāng)前約 14.3 萬元人民幣） ，而良率為 55%，所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付，而且蘋果目前也預(yù)訂了臺(tái)積電今年大部分 3nm 產(chǎn)能。隨著 3nm 代工產(chǎn)能拉升，臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能今年底有望達(dá)到 6～7 萬片，全年?duì)I收占比有望突破 5％，明年更有機(jī)會(huì)達(dá)到 1 成。據(jù)稱，在英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科
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蘋果發(fā)布M3系列芯片：3nm工藝 支持光追提升GPU性能

  • 10月31日消息，蘋果舉行新品發(fā)布會(huì)，線上發(fā)布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎(chǔ)款同時(shí)公布，蘋果官方在發(fā)布會(huì)中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當(dāng)前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺(tái)積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

  • 摘要：●? ?全新參考流程針對(duì)臺(tái)積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設(shè)計(jì)流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺(tái)積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設(shè)計(jì)系列產(chǎn)品，為追求更高預(yù)測(cè)精度
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三星、臺(tái)積電3nm良品率均未超過60% 將影響明年訂單競爭

  • 作為當(dāng)前全球最先進(jìn)的制程工藝，臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn)，其中三星電子是在6月30日開始量產(chǎn)，臺(tái)積電則是在12月29日開始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。此前預(yù)計(jì)三星的良品率在今年將超過60%，臺(tái)積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達(dá)到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認(rèn)為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
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是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

  • ●? ?新參考流程采用臺(tái)積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案●? ?強(qiáng)大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設(shè)計(jì)效率，實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導(dǎo)體設(shè)計(jì)加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺(tái)積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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三星和臺(tái)積電均遭遇難題：在3nm工藝良品率上掙扎

  • 目前三星和臺(tái)積電（TSMC）都已在3nm制程節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動(dòng)3nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)，蘋果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機(jī)型上搭載的A17 Pro應(yīng)用了該工藝。據(jù)ChosunBiz報(bào)道，雖然三星和臺(tái)積電都已量產(chǎn)了3nm工藝，不過兩者都遇到了良品率方面的問題，都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術(shù)，而臺(tái)積電沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù)，無論如何取舍和選
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?3nm工藝意味著什么？

  • 這些 3nm 芯片是什么？
  • 關(guān)鍵字： 3nm  
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