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3nm finfet 文章 最新資訊

三星電子3nm芯片正式出貨 中國加密貨幣礦機(jī)廠商成為首批用戶

  • 7月25日,三星電子于京畿道華城園區(qū)V1線(僅限EVU極紫外光刻)舉辦了基于下一代3nm環(huán)柵晶體管(GAA)技術(shù)的芯片代工產(chǎn)品出貨儀式,開始如約向客戶交付其首批3nm工藝芯片。包括三星電子聯(lián)席CEO兼設(shè)備解決方案部門(DS)主管慶桂顯(Kye Hyun Kyung)和韓國工業(yè)貿(mào)易資源部長李昌陽(Lee Chang-yang)在內(nèi),出席了該儀式。隨著3nm制程工藝的量產(chǎn),三星電子開啟了晶圓代工業(yè)務(wù)的新篇章。在發(fā)貨儀式上,三星晶圓代工部門表達(dá)了通過搶先量產(chǎn)3nm GAA工藝來增強(qiáng)其業(yè)務(wù)競爭力的雄心,以及“將繼
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功耗降低30%:臺積電3nm工藝已量產(chǎn)

  • 芯研所7月22日消息,作為臺積電的第一大客戶,蘋果最近幾年的iPhone新品都能首發(fā)臺積電新一代工藝,不過今年的iPhone 14是趕不上臺積電3nm工藝了。iPhone 14系列無緣3nm主要是臺積電的3nm工藝今年進(jìn)度有些晚,上半年沒能量產(chǎn),拖到下半年,跟不上蘋果的量產(chǎn)進(jìn)度,不過最新消息稱3nm工藝已經(jīng)開始投片量產(chǎn),而且在新竹、南科兩個園區(qū)的工廠同時量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝。不過臺積電官方?jīng)]有確認(rèn)這一消息,臺積電表示不評價市場傳聞。根據(jù)臺積電之前的消息,3nm節(jié)點上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N
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3nm芯片挖礦功耗表現(xiàn)公布:能耗大降45%

  • 6月底,三星宣布3nm GAA晶體管芯片投產(chǎn),外界稱其首個客戶是國內(nèi)的礦機(jī)廠商。隨后外界質(zhì)疑聲不斷,包括三星是為了搶首發(fā)而草草上馬尚未成熟或者說良率很低的制程,甚至媒體爆料三星自己的手機(jī)芯片要到2024年才用3nm,而且直接上第二代??赡苁菫榱舜蛳饨绲呢?fù)面情緒,三星晶圓工廠總裁Siyoung Choi博士在一份公開的報告中給出了3nm礦機(jī)芯片的實測表現(xiàn),數(shù)據(jù)是可以節(jié)能23~45%。顯然這樣的表現(xiàn)屬實不錯,畢竟是結(jié)結(jié)實實省電了。一些評論人士拒絕從礦工減少支出、可爭取更大收益的角度來看待問題,反而強(qiáng)調(diào),這意
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中國廠商成3nm“小白鼠”:三星自家芯片兩年后才用

  • 6月30日,三星代工廠和半導(dǎo)體研發(fā)中心的職員齊聚一堂,慶祝公司成為世界首家大規(guī)模投產(chǎn)3nm芯片的半導(dǎo)體企業(yè)。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管,雖然三星把3nm看得無比重要,可BK的報道稱,三星3nm的首家客戶居然是來自中國的一家名為PanSemi(上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司)的礦機(jī)芯片企業(yè)??紤]到當(dāng)前虛擬貨幣慘淡的行情,這筆訂單的量級肯定不會大到哪兒去,對于檢驗3nm GAA的成色也不具備充分說服力。另一個有趣的細(xì)節(jié)是,報道稱,三星自家芯片準(zhǔn)備在2024年才用3nm,而且是第二代,這就
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英特爾或?qū)⑿薷?nm制程生產(chǎn)計劃 重回巔峰路途漫漫

  • 消息稱英特爾CEO Pat Gelsinger可能會在8月份前往臺積電,與臺積電的高層會晤,主要是對明年的3nm產(chǎn)能計劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake,并于2023年上半年推出,如今有消息稱將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè),臺積電的3nm制程的計劃將受到影響。據(jù)報道,英特爾內(nèi)部已開始緊急修正未來一年的平臺藍(lán)圖以及自家制程產(chǎn)能計劃。一直有消息稱,英特爾將使用臺積電的N3工藝生產(chǎn)GPU,比如獨(dú)立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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難道是新款麒麟?三星透露3nm芯片新消息,信息量頗大

  • 在芯片企業(yè)中,華為海思還是頂流的存在,可以說,華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋果A系列并駕齊驅(qū)。甚至可以說,海思麒麟芯片還領(lǐng)先于蘋果、高通,因為首款5nm 5G Soc就是華為海思推出的,NPU也是華為率先用在處理器中,蘋果、高通紛紛效仿。然而,誰也沒有想到的是,美多次修改芯片等規(guī)則,導(dǎo)致臺積電等企業(yè)不能自由出貨,原因是臺積電等在芯片生產(chǎn)制造過程中也使用了相關(guān)美技術(shù)。在這樣的情況,臺積電等積極爭取自由出貨許可,還不斷加速發(fā)展先進(jìn)技術(shù),目的就是盡可能地降低對美技術(shù)的依賴,從而實現(xiàn)自由出貨。
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Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET

  • 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會,公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能組件庫(library cell)的密度則是2倍,同時達(dá)成兩項關(guān)鍵目標(biāo):它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求,包括PC客戶端的Meteor Lake,并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對于英特爾的4年之路,Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)? Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸(Critic
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三星3nm工藝搶先量產(chǎn) 專家表態(tài):趕鴨子上架、沒人用的

  • 一如之前預(yù)告的那樣,三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn),這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產(chǎn),并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝,技術(shù)上也是全面壓制了臺積電,后者要到2nm節(jié)點才會用上GAA工藝。根據(jù)三星所說,在3nm芯片上,其放棄了之前的FinFET架構(gòu),采用了新的GAA晶體管架構(gòu),大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比,第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,并同時提升23%的性能,第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時面積減少35%,效果更好。對于三星搶先量產(chǎn)
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三星否認(rèn)“3nm 芯片量產(chǎn)延后”,稱仍按進(jìn)度于第二季度開始量產(chǎn)

  •   三星電子今日否認(rèn)了韓國當(dāng)?shù)孛襟w《東亞日報》有關(guān)延后3nm量產(chǎn)的報道?!稏|亞日報》此前報道稱,由于良率遠(yuǎn)低于目標(biāo),三星3nm量產(chǎn)將再延后?! ∪且晃话l(fā)言人通過電話表示,三星目前仍按進(jìn)度于第二季度開始量產(chǎn)3nm芯片?! ?jù)了解到,昨天韓媒BusinessKorea消息稱,三星為趕超臺積電,加碼押注3nm GAA技術(shù),并計劃在2025年量產(chǎn)以GAA工藝為基礎(chǔ)的2nm芯片?! ∠⒎Q,三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn),成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過技術(shù)上的飛躍,快速縮小與臺
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先跑并不意味著先贏 良品率才是贏得3nm之爭的關(guān)鍵

  • 隨著雙寡頭拉起的3nm制程競賽,未來行業(yè)內(nèi)的晶圓代工訂單勢必將向這兩家公司進(jìn)一步集中,由于半導(dǎo)體行業(yè)極度依賴規(guī)模效應(yīng),未來晶圓代工這個行業(yè)也很難再有新的挑戰(zhàn)者出現(xiàn)。
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蘋果M3芯片代號Palma 采用臺積電3nm工藝

  • WWDC2022上蘋果正式發(fā)布了搭載全新M2芯片的全新MacBook Air和 13英寸MacBook Pro機(jī)型。M2備受關(guān)注,然而現(xiàn)在蘋果下一代M系列芯片M3已經(jīng)曝光。數(shù)碼博主 @手機(jī)晶片達(dá)人表示,M3目前正在設(shè)計當(dāng)中,項目代號叫做Palma,預(yù)計2023/ Q3流片,采用臺積電3nm的工藝。當(dāng)然,這些都還只是傳言,蘋果官方還未公布確切消息,對新芯片感興趣的小伙伴兒可以持續(xù)關(guān)注跟進(jìn)報道。
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功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀:搶先臺積電量產(chǎn)

  •   三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一,3nm節(jié)點是他們的一個殺手锏,之前一直被良率不行等負(fù)面?zhèn)髀劺_,日前三星公司終于亮出首個3nm晶圓,按計劃將在今年Q2季度量產(chǎn),比臺積電還要早一些。  日前美國總統(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠,這里是目前全球唯一一個可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠,三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓,不過具體是哪款芯片還不得而知?! θ莵碚f,3nm節(jié)點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關(guān)鍵,因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術(shù),三
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Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具

  • 上月,三星代工(Samsung Foundry)部門悄然宣布,其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝,可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管,晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應(yīng)用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。(來自:Applied Materials 官網(wǎng) ,via
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三星正推進(jìn)3nm工藝二季度量產(chǎn) 若實現(xiàn)將先于臺積電量產(chǎn)

  • 據(jù)國外媒體報道,在7nm和5nm制程工藝的量產(chǎn)時間上基本能跟上臺積電節(jié)奏的三星電子,在更先進(jìn)的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產(chǎn),有報道稱他們正推進(jìn)在二季度量產(chǎn)。三星電子在二季度的展望中提到,他們的技術(shù)領(lǐng)先將通過首個大規(guī)模量產(chǎn)的全環(huán)繞柵極晶體管3nm工藝進(jìn)一步加強(qiáng),他們也將擴(kuò)大供應(yīng),確保獲得全球客戶新的訂單,包括美國和歐洲客戶的訂單。外媒的報道顯示,三星電子方面已經(jīng)宣布,他們早期3nm級柵極全能(3GAE)工藝將在二季度量產(chǎn)。三星電子宣布的這一消息,也就意味著業(yè)界首個3nm制程工藝即將量產(chǎn),將是首個采用全
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5nm及更先進(jìn)節(jié)點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能

  • 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點上,兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團(tuán)在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中,使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案,運(yùn)用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法,以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節(jié)點FinFET設(shè)計的源漏尺寸和側(cè)墻厚
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