晶圓 文章 進入晶圓技術(shù)社區(qū)
ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤系統(tǒng)
- ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤系統(tǒng),該系統(tǒng)主要針對嵌入式處理器、DRAM 和 NAND 等應用的晶圓測試,可在 -40°C 耗散高達 2.5kW 的功率 。2023 年 11 月 14 日,半導體制造業(yè)提供溫度管理解決方案的領(lǐng)導者——ERS electronic,現(xiàn)推出全新高功率溫度卡盤系統(tǒng)。該技術(shù)針對高端 CPU、GPU 和高并行性 DRAM 器件應用的晶圓測試,可在-60°C 至+200°C 溫度范圍內(nèi)對 Device Under Test (DUT)進行精確且強大的溫度控制
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%
- 2023 年,中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅(SiC)晶體生長領(lǐng)域,中國尤其獲得國際 IDM 的認可,導致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能,然而業(yè)界樂觀預計,2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬片,年產(chǎn)能 150 萬。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機構(gòu)的統(tǒng)計,此前天岳先進、天科合達合計占據(jù)全球
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中國香港地區(qū)將建首個具規(guī)模的半導體晶圓廠
- 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導體簽署合作備忘錄,設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心。大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息,10月13日,香港科技園公司(科技園公司)與微電子企業(yè)杰平方半導體(上海)有限公司(杰平方半導體)簽署合作備忘錄,在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心,并投資開設香港首間碳化硅(SiC)8寸先進垂直整合晶圓廠,共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉,該項目總投資額約69億港元,計劃到2028年年產(chǎn)24萬片碳化硅晶圓,帶動年產(chǎn)值超過110億港元,并創(chuàng)造超過700個本地和
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SEMI報告:2026年全球200mm晶圓廠產(chǎn)能將創(chuàng)記錄新高
- 美國加州時間2023年9月19日,SEMI發(fā)布的《2026年200mm晶圓廠展望報告》(200mm Fab Outlook to 2026)顯示,預計在2023年到2026年,全球半導體制造商200mm晶圓廠產(chǎn)能將增加14%,新增12個200mm晶圓廠(不包括EPI),達到每月770多萬片晶圓的歷史新高。功率化合物半導體對消費、汽車和工業(yè)領(lǐng)域至關(guān)重要,是200mm投資的最大驅(qū)動力。特別是電動汽車的動力總成逆變器和充電站的發(fā)展,預計隨著電動汽車采用率的持續(xù)上升,將推動全球200mm晶圓產(chǎn)能的增長。SEMI總
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晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展
- 在我從事半導體設備的職業(yè)生涯之初,晶圓背面是個麻煩問題。當時發(fā)生了一件令我記憶深刻的事:在晶圓傳送的過程中,幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來。收拾完殘局后,我們想到,可以在晶圓背面沉積各種薄膜,從而降低其摩擦系數(shù)。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個問題,但我們的客戶經(jīng)理不太高興,因為他們不得不向客戶解釋由此導致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識晶圓背面的過程不太順利,但當2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時,我開始更加關(guān)注這個領(lǐng)域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構(gòu)集成
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為下一代半導體鋪路,日本科學家用激光解決金剛石晶圓切片難題
- IT之家 8 月 3 日消息,金剛石(鉆石的原石)是半導體行業(yè)有前景的材料之一,但由于將其切割成薄晶圓具有挑戰(zhàn)性,因此一直沒有大規(guī)模應用。當?shù)貢r間周二,日本千葉大學官網(wǎng)發(fā)布消息,介紹了一項被稱為金剛石半導體新型激光切片技術(shù)的突破,使用激光脈沖將金剛石切割成薄片,號稱“為下一代半導體材料鋪平了道路”。千葉大學的一個研究小組開發(fā)了一種新的基于激光的技術(shù),號稱“可以毫不費力地沿著最佳晶面切割金剛石”,可用于電動汽車的高效功率轉(zhuǎn)換和高速通信技術(shù)。▲ 圖源日本千葉大學官網(wǎng)據(jù)介紹,包括金剛石在內(nèi)的大多數(shù)晶體
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ERS進入中國的第六年:實驗室落戶上海

- 作為半導體從業(yè)者,我們都知道芯片制造程序大致有IC設計、晶圓制造和封裝三大環(huán)節(jié),每個環(huán)節(jié)都會影響到產(chǎn)品的好壞??偟膩碚f,一顆設計完好的芯片的良率主要受到晶圓制造和封裝環(huán)節(jié)的影響,所以必須要通過測試環(huán)節(jié)來把控芯片質(zhì)量的優(yōu)劣。而半導體測試主要包括芯片設計環(huán)節(jié)中的設計驗證、晶圓制造中的晶圓針測以及成品測試。晶圓針測通常發(fā)生在晶圓加工完成后,封裝工藝進行前,主要用到的設備是探針臺,用于晶圓的輸送與定位,使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個測試。通過電學參數(shù)檢測等,測試晶圓上每個晶粒的有效性,標記異常的晶粒,減少后續(xù)
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格芯和意法半導體正式簽署法國12英寸半導體晶圓新廠協(xié)議
- 中國,2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產(chǎn)品技術(shù)的半導體制造商格芯(GlobalFoundries,簡稱GF;納斯達克證交所代碼:GFS)和服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,雙方于2022年7月公布的將在法國Crolles新建一個高產(chǎn)能半導體聯(lián)營廠的合作,現(xiàn)正式完成協(xié)議簽署。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield博士表示:“我要向法國經(jīng)濟和財政部長勒梅爾及其團隊致謝,感謝他
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3nm貴出天際 多家客戶推遲訂單 臺積電喊話:別怕漲價 在想辦法了
- 5月12日消息,臺積電去年底已經(jīng)量產(chǎn)了3nm工藝,今年會大規(guī)模放量,蘋果依然會首發(fā)3nm,但是臺積電的3nm工藝代工成本不菲,很多廠商也吃不消。此前數(shù)據(jù)顯示,從10nm開始,臺積電的每片晶圓價格開始瘋狂增長,2018年的7nm晶圓每片價格飆升至10000美元,2020年的5nm工藝晶圓每片價格突破16000美元。而到了3nm工藝,這個數(shù)字就達到了20000美元,約合14萬人民幣,而且這還是基準報價,訂單量不夠的話價格會更高。這也導致除了蘋果之外,其他客戶,如AMD、NVIDIA、高通、聯(lián)發(fā)科等,要么推遲3
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臺積電貴出天際 谷歌手機處理器仍用三星4nm
- 5月8日消息,臺積電是全球最大最先進的晶圓代工廠,然而代工價格也是業(yè)界最貴的,特別是先進工藝代工,5nm芯片代工要1.7萬美元,3nm等下一代工藝更是貴出天際,除了蘋果之外其他廠商很難跟進。谷歌的安卓親兒子Pixel系列也使用了三星、谷歌合作的Tensor G系列處理器,今年是Tensor G3系列,基于三星的芯片改進,生產(chǎn)工藝也是三星的4nm工藝,沒用上臺積電4nm,盡管后者的能效可能更好。傳聞稱明年的Tensor G4會改用谷歌自研架構(gòu),并轉(zhuǎn)向臺積電的4nm工藝代工,再往后的Tensor G5甚至會上
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]
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