英偉達Rubin架構(gòu)GPU采用小芯片技術

此前的GTC2025大會上，英偉達執(zhí)行長黃仁勛公布了最新技術路線藍圖，令業(yè)界頗為期待。最新消息，臺積電將與英偉達合作，開發(fā)下代先進小芯片GPU，與英偉達“Rubin”架構(gòu)發(fā)揮作用，為Blackwell架構(gòu)的后繼者。

據(jù)外媒Digital Trends報導，小芯片與傳統(tǒng)單晶片GPU差別很明顯，有更高性能、可擴展性和成本效率。小芯片使芯片商將多個較小半導體芯片封裝成單一芯片，提高產(chǎn)量，降低生產(chǎn)成本。

這在半導體產(chǎn)業(yè)越來越受歡迎，芯片設計越來越復雜，傳統(tǒng)制程縮放局限性越來越大，借助臺積電封裝制程，英偉達可提高GPU能源效率和效能，非常適合人工智能、資料中心和高效能運算等。

英偉達Rubin架構(gòu)GPU采用臺積電N3P制程，是臺積電3納米家族最佳化版，與前代相比，效能、功率效率和晶體管密度都有提升，最大限度發(fā)揮芯片優(yōu)勢，使英偉達保持能效同時，可以突破GPU性能極限。

為了最佳化GPU性能，英偉達還采用臺積電先進封裝如SoIC，芯片垂直堆棧提高電源效率，減少GPU芯片間傳輸延遲。

臺積電欲提高先進封裝產(chǎn)能，并計劃年底擴大SoIC產(chǎn)能。英偉達Rubin架構(gòu)系列采用SoIC，能充分利用HBM4功能。Vera Rubin NVL144平臺有兩個標準大小芯片的Rubin GPU，高達50PFLOP的FP4性能和288GB下代HBM4。更高階NVL576采用四個標準大小芯片的Rubin Ultra GPU，效能提升至FP4的100PFLOP，容納16個HBM堆棧上的1TB HBM4e。

英偉達采用小芯片符合產(chǎn)業(yè)趨勢，AMD和英特爾等都將類似設計整合至處理器。芯片模塊化特性，芯片商可混合不同處理單元，最佳化特定工作效能。人工智能和高效能運算推動強大硬件需求，臺積電與英偉達合作GPU有望取得突破性進展。