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電動汽車BMS的技術(shù)趨勢及恩智浦的解決方案

  • 1? ?電動汽車BMS的技術(shù)趨勢對恩智浦而言，我們所觀察到的電動汽車制造商在規(guī)劃整個車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn)，這也代表了現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動車普及以及車廠盈利的重要決勝點。除電芯降本外，還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構(gòu)，并制作支持自動化組裝的生產(chǎn)線，這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長里程需要提高比能量，縮短充電時間則要增加比功率，在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中，電池管理功能安全的等級、診斷的精度
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SiC在電動汽車的功率轉(zhuǎn)換中扮演越來越重要的角色

  • 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先，中國的電動化發(fā)展速度很快，中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛，而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡，沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復(fù)雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問題。相比歐美，新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在汽車中的應(yīng)用非常廣泛，這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部大眾市場業(yè)務(wù)拓展負(fù)責(zé)人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

  • GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

  • 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
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UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

  • 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護等高增長應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
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安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機構(gòu)統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導(dǎo)率，讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
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下月發(fā)！三星Galaxy Note 20 Ultra曝光：售價超8000元

  • Roland Quandt曝光了三星Galaxy Note 20 Ultra的核心參數(shù)。作為三星的年度旗艦，Galaxy Note 20 Ultra的S Pen是一大看點。其延遲僅有9ms，旨在書寫體驗更加真實，更接近傳統(tǒng)手寫筆的使用效果。第二大看點是云游戲，三星與微軟合作，借助Xbox Game Pass，Galaxy Note 20 Ultra可以暢玩90多款云游戲，使Galaxy Note 20 Ultra成為一款便攜式游戲機。核心配置上，Galaxy Note 20 Ultra采用6.9英寸AMO
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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建模可以進行系統(tǒng)級仿真
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三星Note 20 Ultra渲染圖曝光 可能帶有紅外遙控功能

  • Galaxy Note 20 Ultra最近備受關(guān)注，這很簡單。它將定義Note 20系列的最高端作品。因此，它所受到的關(guān)注度是顯而易見的，至少可以說。在過去的幾周里，有大量的相關(guān)消息泄露和曝光。俄羅斯三星意外地在其網(wǎng)站上發(fā)布了神秘的青銅色Galaxy Note 20 Ultra的照片。起初，我們以為這些照片只是概念，但之后泄露的消息就開始源源不斷。此時，關(guān)于Note 20 Ultra的一切都已經(jīng)呈現(xiàn)在公眾眼前。據(jù)報道，Galaxy S21 Ultra正在進行三種屏幕尺寸的測試，三星準(zhǔn)備超越7英寸顯示屏障
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臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室

  • 中國新能源汽車電驅(qū)動領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅(qū)科技和羅姆就采
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新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預(yù)測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
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新諜照顯示三星Galaxy Note20 Ultra將采用巨大后置攝像頭

  • 現(xiàn)在大家已經(jīng)知道三星Galaxy Note20 Ulta跟三星Galaxy S20 Ultra相比將會有一個顯著升級的攝像頭?，F(xiàn)在，三星爆料大神Ice_Universe發(fā)布了一些三星Galaxy Note20和Note20 Plus/Ultra的早期手機保護套的照片，看起來Note20 Ultra的相機集群將會非常龐大。通過對比可以看出大小的區(qū)別。盡管Note20 Ultra是一款更大的設(shè)備，但攝像頭群似乎占據(jù)了手機寬度的一半以上。尺寸更大的原因之一可能是用全新的激光自動對焦元件替換了Time of Fl
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緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

  • 汽車電動化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
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聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來

  • 隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
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