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ultra c sic 文章 最新資訊

新諜照顯示三星Galaxy Note20 Ultra將采用巨大后置攝像頭

  • 現(xiàn)在大家已經(jīng)知道三星Galaxy Note20 Ulta跟三星Galaxy S20 Ultra相比將會有一個顯著升級的攝像頭?，F(xiàn)在，三星爆料大神Ice_Universe發(fā)布了一些三星Galaxy Note20和Note20 Plus/Ultra的早期手機保護套的照片，看起來Note20 Ultra的相機集群將會非常龐大。通過對比可以看出大小的區(qū)別。盡管Note20 Ultra是一款更大的設(shè)備，但攝像頭群似乎占據(jù)了手機寬度的一半以上。尺寸更大的原因之一可能是用全新的激光自動對焦元件替換了Time of Fl
  • 關(guān)鍵字： 三星G  alaxy Note20  Ultra  

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

  • 汽車電動化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
  • 關(guān)鍵字： SiC  電氣  

聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來

  • 隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
  • 關(guān)鍵字： 寬禁帶  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

通用研發(fā)下一代半自動駕駛系統(tǒng)Ultra Cruise

  • 日前，通用汽車全球產(chǎn)品開發(fā)、采購和供應(yīng)鏈執(zhí)行副總裁Doug Parks表示，該公司正在開發(fā)新一代半自動駕駛系統(tǒng)，內(nèi)部代號為Ultra Cruise（超巡航）。
  • 關(guān)鍵字： 通用  Ultra Cruise  半自動駕駛系統(tǒng)  

碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

  • 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)
  • 關(guān)鍵字： SiC  UPS  

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
  • 關(guān)鍵字： OBC  SiC MOSFET  

安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用

  • 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
  • 關(guān)鍵字： SiC  WBG  

相機成本高達107.50美元！三星Galaxy S20 Ultra物料成本曝光

  • 拆解機構(gòu)TechInsights拆解了一部三星S20 Ultra韓版并給出了這部手機的物料成本分析。從圖表中可以看出，三星Galaxy S20 Ultra的總物料成本為528.50美元，值得注意的是S20 Ultra所采用的后攝模組成本最高，達到了107.50美元，此外驍龍865處理器芯片價值81美元，屏幕價值67美元，存儲元件價值44美元。獲悉，整部三星Galaxy S20 Ultra中成本最高的相機元件由108MP主攝+48MP長焦+12MP超廣角+TOF四攝組成，其中包括一顆潛望式鏡頭，支持10X潛
  • 關(guān)鍵字： 相機  Galax  S20 Ultra  

CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

  • 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
  • 關(guān)鍵字： SiC  IPM  

電機的應(yīng)用趨勢及控制解決方案

  • 顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機的應(yīng)用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關(guān)鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類電機在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

  • 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
  • 關(guān)鍵字： SiC  MOSFET  

如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

  • 在本文中，我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預(yù)計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
  • 關(guān)鍵字： SiC  BEV  牽引逆變器  

SK海力士沖擊16層堆疊內(nèi)存：1平方毫米打10萬個孔

  • SK海力士宣布，已經(jīng)與Xperi Corp旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術(shù)授權(quán)協(xié)議，獲得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互連技術(shù)的授權(quán)。
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  Invensas  DBI Ultra  

ERNI推出全新線對板連接器系列

  • 近日，ERNI推出iBridge Ultra連接器系列的全新型款，這為已經(jīng)很廣泛的線對板解決方案新增了其他連接器。這些2.0mm間距連接器經(jīng)設(shè)計提供緊湊和可靠的連接，可承受強烈的振動，適合在惡劣環(huán)境中使用。其中的關(guān)鍵功能包括端子位置保證(TPA)，用于在母連接器外殼中為壓接觸點提供輔助鎖定。除了公連接器部件的定位銷之外，這個輔助鎖定功能還可以特別增強連接的抗強振動能力，比如汽車應(yīng)用中發(fā)生的強振動。iBridge Ultra已根據(jù)汽車行業(yè)的USCAR-2和USCAR-21要求進行了測試，此外，這款牢固且緊湊
  • 關(guān)鍵字： ERNI  iBridge Ultra  
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