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sic jfet 文章 進(jìn)入sic jfet技術(shù)社區(qū)
安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),將在美國(guó)加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺(tái)支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評(píng)估應(yīng)用廣泛的電源方案,使用戶能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍,且在采購(gòu)硬件和完成設(shè)計(jì)之前對(duì)系統(tǒng)性能有信心?! trata Developer S
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
集邦咨詢:需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長(zhǎng)8%?! 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年
- 關(guān)鍵字: IGBT SiC
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
- 關(guān)鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器,可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器,可提供最大峰值輸出門極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓,來(lái)滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?! IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
- 關(guān)鍵字: Power Integrations SiC-MOSFET
第三代半導(dǎo)體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)?
- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來(lái)越高,它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來(lái)三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢?,SiC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?! ?shí)際上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體,推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日,北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書,并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?! ≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立,是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)。 近年來(lái),以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
- 關(guān)鍵字: 北汽新能源 羅姆半導(dǎo)體 SiC
使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)
- 摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持,實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭,20個(gè)項(xiàng)目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測(cè)試和應(yīng)用方面展開(kāi)為期36個(gè)月的開(kāi)發(fā)合作。本文將討論本項(xiàng)目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容,重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
- 關(guān)鍵字: SiC WInSiC4AP
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)) 近年來(lái),由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì),1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而,受
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
“2018 ROHM科技展”:走進(jìn)智能“芯”生活!
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時(shí),將以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題,展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案,以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點(diǎn)。同時(shí),將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)等主題,由羅姆的工程師帶來(lái)六場(chǎng)技術(shù)專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場(chǎng),與羅姆的技術(shù)專家進(jìn)行面對(duì)面的交流和切磋
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇
- 10月24日,由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會(huì)展中心成功舉行。 本屆高峰論壇和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作,與第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行,來(lái)自中國(guó)、歐洲及其他國(guó)家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論劍,給現(xiàn)場(chǎng)觀眾帶來(lái)了一場(chǎng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴。 立足國(guó)際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢(shì)、面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn),以及面向未來(lái)的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導(dǎo)體 中歐論壇
SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn),正推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn),而這在幾年前是不可想象的?! ≡诂F(xiàn)實(shí)世界中,沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快速開(kāi)關(guān)頻率,使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)工程師的美夢(mèng),但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)。 比如一名設(shè)計(jì)工程師正在開(kāi)發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器,或者正在設(shè)
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
CISSOID和泰科天潤(rùn)(GPT)達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用
- 高溫與長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國(guó)碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目,推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?! ISSOID和泰科天潤(rùn)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 泰科天潤(rùn)是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè),也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來(lái)自比利時(shí),是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,專為極端溫
- 關(guān)鍵字: CISSOID SiC
sic jfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic jfet的理解,并與今后在此搜索sic jfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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