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ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展

  • 　　2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網)的發(fā)展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。ROHM所帶來的高新領先技術、強勢多元化的產品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評?！　OHM模擬電源“領銜”業(yè)內標準　　近年來，全世
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？

  • 　　2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎設施建設規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內充換電站數量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內的充電行業(yè)產生。 　　充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
  • 關鍵字： Cree  SiC   

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

  • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 　　由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
  • 關鍵字： GaN  SiC  

業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關效率提升10倍

  • 　　集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動開關和并網逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產品。 　　圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖 　　世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標準
  • 關鍵字： CREE  SiC  

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
  • 關鍵字： 世強  SiC  

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ

  • 　　SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
  • 關鍵字： Cree  SiC  

SiC功率模塊關鍵在價格，核心在技術

  • 　　日前，碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。 　　世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面，連續(xù)通電時
  • 關鍵字： SiC  SiC  

EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

  • 　　根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。 　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業(yè)。Yole預期EV/HEV產業(yè)將持續(xù)大力推動Si
  • 關鍵字： SiC  GaN  

矢野經濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場

  • 　　矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。 　　 ? 　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所) (點擊放大) 　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。 　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究
  • 關鍵字： SiC  功率半導體  

ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務報告

  • 　　ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長 澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。 　　第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。 　　縱觀電子行業(yè)，在IT相關市場方面，雖然智能手機和可穿戴設備等市場的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個人電腦市場呈現低迷態(tài)勢。在AV相關市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

專利設計發(fā)功　ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

  • 　　SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 　　羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。 　　羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
  • 關鍵字： ROHM  SiC-MOSFET  

高精度的功率轉換效率測量

  • 　　目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
  • 關鍵字： SiC  GaN  電流傳感器  

一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源

  • 　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! 　　SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： 　　i. 低導通電阻RDS
  • 關鍵字： SiC Mosfet  DC-DC  

世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。 　　另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為
  • 關鍵字： ROHM  SiC-MOSFET  
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