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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下

  • 　　進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng);進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開(kāi)。相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
  • 關(guān)鍵字： ROHM  SiC  半導(dǎo)體  

飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

  • 為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽車(chē)以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計(jì)性能，設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度就會(huì)提高，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  SiC  晶體管  

羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

  • 為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類(lèi)的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過(guò)用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過(guò)功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  變壓器  SiC  

開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

  • 進(jìn)入21世紀(jì)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
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挑戰(zhàn)毫微安小電流測(cè)量技術(shù)

  • 幾千種應(yīng)用都需要測(cè)試小電流的電路，最常見(jiàn)的是測(cè)量二極管受光照射所產(chǎn)生的光電電流。一些科學(xué)應(yīng)用（如CT...
  • 關(guān)鍵字： 毫微安電流  電流測(cè)量  JFET  CMOS  

確定JFET特性的簡(jiǎn)單電路

  • 當(dāng)使用分立的JFET時(shí)，設(shè)計(jì)者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個(gè)給定的晶體管型號(hào)相適應(yīng)。一般會(huì)使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個(gè)近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏極電流，VGS是柵源電壓，be
  • 關(guān)鍵字： 電路  簡(jiǎn)單  特性  JFET  確定  

JFET級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)恒定精確電流源的方法

  • 很多工藝控制傳感器（如熱敏電阻器和應(yīng)變橋）都需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后，電壓基準(zhǔn)電路IC ...
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開(kāi)發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
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超過(guò)20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓

  • 　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過(guò)20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。 　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱(chēng)目前是使用3～4個(gè)數(shù)kV的GTO來(lái)確保耐壓的。如果使用耐壓超過(guò)20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： SIC  二極管  半導(dǎo)體  

羅姆清華探索校企合作新模式

  • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國(guó)際產(chǎn)學(xué)連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開(kāi)，來(lái)自清華的教授跟與會(huì)者分享了與羅姆合作以來(lái)在某些領(lǐng)域取得的成果以及一些教學(xué)科研經(jīng)驗(yàn)。會(huì)后，羅姆株式會(huì)社常務(wù)董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學(xué)研方面的相關(guān)合作。 以“羅姆”命名清華樓，并無(wú)排他性 ?????
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
  • 關(guān)鍵字： SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件（二）

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
  • 關(guān)鍵字： 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集

  • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
  • 關(guān)鍵字： IMEC  SiC  生物電信號(hào)采集    

世界首家“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  半導(dǎo)體  SiC  
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