業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

　　SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對市場更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴(kuò)大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時(shí)仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便實(shí)現(xiàn)尺寸更小、速度更快、溫度更低、效率更高的電源設(shè)計(jì)方案。這也是新一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)與硅成本平價(jià)的解決方案。

　　圖 基于900V SiC MOSFET平臺的C3M0065090J

　　世強(qiáng)代理的C3M0065090J，是該平臺的主導(dǎo)產(chǎn)品，其額定工作電壓/電流分別為900V/32A;在25°C條件下，可以實(shí)現(xiàn)最低至65 mΩ的額定導(dǎo)通電阻，在更高溫度(Tj=150°C)工作時(shí)，導(dǎo)通電阻Rds(ON)也只有90mΩ，減少了系統(tǒng)的冷卻需求。另外，該產(chǎn)品不僅擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO247-3/TO220-3封裝，還能夠提供低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝，采用了開爾文(Kelvin)連接以幫助減小柵極振蕩。C3M0065090J適合用于包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統(tǒng)、三相工業(yè)電源、高電壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、關(guān)模式電源在內(nèi)的高頻電力電子應(yīng)用。

　　目前，世強(qiáng)已全面代理了Cree SiC相關(guān)產(chǎn)品，并且保證具有競爭力的價(jià)格，歡迎致電400-887-3266咨詢訂購。

　　C3M0065090J的功能與特點(diǎn)：

　　• 采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技術(shù)，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管技術(shù);

　　• 高阻斷電壓、高開關(guān)頻率、高功率密度;

　　• 應(yīng)用快速體二極管，反向恢復(fù)時(shí)間短;

　　• 額定電壓/電流值為900V/32A，額定導(dǎo)通電阻最低至65mΩ(25°C)、90mΩ(Tj=150°C);

　　• 標(biāo)準(zhǔn)TO247-3/TO220-3封裝和低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝;

　　• 無鹵素、通過無鉛認(rèn)證;