矢野經濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場

　　矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。

　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所) (點擊放大)

　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。

　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)將達到294.5億美元。各類器件方面，預計功率模塊的增長率最高，在新一代汽車(HV及EV)、新能源設備及工廠設備等領域的普及有望擴大。

　　在新一代功率半導體SiC方面，以前主要是被用于二極管，而2013年起，一些晶體管也開始采用SiC。2014年下半年起，各元器件廠商開始利用直徑為6英寸(150mm)的SiC晶圓實施量產，預計2015～2016年成本將會降低，用途也會進一步擴大。矢野經濟研究所預測，2020年新一代功率半導體的全球市場規(guī)模(按供貨金額計算)將在SiC功率半導體推動下達到28.2億美元。

　　此次調查的對象為功率半導體廠商、晶圓廠商及系統(tǒng)廠商，于2013年10月～2014年6月實施。涉及的器件包括功率MOSFET、IPD(Intelligent Power Device)、二極管、IGBT、功率模塊及雙極晶體管等。根據(jù)調查數(shù)據(jù)，將硅功率半導體以及采用SiC及GaN等新一代材料的功率半導體的數(shù)據(jù)加在一起，計算出了市場規(guī)模。