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爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨

　　爾必達(dá)存儲(chǔ)器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
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處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機(jī)程序內(nèi)，皆屬于
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DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。　　DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時(shí)鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會(huì)出現(xiàn)在市場(chǎng)上。
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基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號(hào)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)

要FPGA與的數(shù)字信號(hào)采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯?chǔ)空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價(jià)格昂貴,而且存取深度不足限制了對(duì)于海量數(shù)字電視信號(hào)的分析能力
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號(hào) 采集系統(tǒng)

一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計(jì)

自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實(shí)還原三維...
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如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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基于FPGA的LED大屏幕控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術(shù)，LED顯示技術(shù)有其獨(dú)特的優(yōu)越性：高亮度、寬可視角度、豐富...
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基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言　　面對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號(hào)，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對(duì)不同信號(hào)的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要保存原
關(guān)鍵字：方式數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲(chǔ) 結(jié)構(gòu) SDRAM 文件基于

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì),　　本白皮書討論各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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基于DSP E1—16XS的硬件開發(fā)平臺(tái)設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： E1—16XS SDRAM 開發(fā)板

茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM

　　臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場(chǎng)重要里程碑，對(duì)鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。　　2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識(shí)到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
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Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口

Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來說，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
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力晶王其國：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

　　力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會(huì)因?yàn)樨?cái)務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對(duì)于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級(jí)的應(yīng)用，對(duì)于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。　　王其國表示，過去摩爾定律認(rèn)為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達(dá)成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
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基于A3P125和SDRAM實(shí)現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實(shí)現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

　　功能特點(diǎn)：
　　1、采用Actel中等容量
關(guān)鍵字：分辨率顯示方案多功能實(shí)現(xiàn) A3P125 SDRAM 基于

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sdram介紹

　　SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。　　SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR [ 查看詳細(xì) ]