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三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時,雖然三星官方指出影響不大,但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張,甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響,尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊,三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現(xiàn)供貨排擠效應。 三星器興廠發(fā)生停電意外,在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后,1小時內(nèi)便恢復運作,估計此事件對公司營運影響不大。 存儲器業(yè)者指出,這次三星受影響廠區(qū)
- 關鍵字: 三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
中芯國際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺灣廠商受惠
- 上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權(quán)后,包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務。 由于中芯過去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能,成為國內(nèi)消費性電子產(chǎn)品及家電市場SDRAM最大供應商,此次停產(chǎn)后導致市場供貨短缺效應逐步發(fā)酵,128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價近日飆出新天價,臺灣地區(qū)SDRAM供應商受惠最大。 中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬片8吋芯片規(guī)模,在大陸消費性電子及家電市場,擁有超過30%的市場占有率,
- 關鍵字: 中芯國際 芯片代工 SDRAM
Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗證
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認證,Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品,另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片,4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條),驗證時的運行頻率為1333MHz,芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱
- 關鍵字: Hynix 40nm SDRAM 50nm
實時視頻采集系統(tǒng)的SDRAM控制器設計
- 描述了一種在PAL→VGA的實時視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理的方法。針對實時視頻采集系統(tǒng)一般使用2片SDRAM進行乒乓緩存的方式,給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進行乒乓操作的相對容易實現(xiàn)的SDRAM控制器設計方法。該方法通過充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計數(shù)的方式進行讀寫狀態(tài)轉(zhuǎn)換,在PAL→VGA實時視頻采集系統(tǒng)中實現(xiàn)了利用一片SDRAM進行圖像緩存。它在實時視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理方面,具有良好的應用價值。
- 關鍵字: 控制器 設計 SDRAM 系統(tǒng) 視頻 采集 實時
爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片開發(fā)完成
- 爾必達公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作,今年11月份這種芯片將進入送樣階段,年底前則可實現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)爾必達公司表示,這種新芯片的面積更小,總體良品率 方面也比過去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%,而1.6Gbps數(shù)據(jù)傳輸率的產(chǎn)品良率更可達100%。 比較舊有的50nm制程產(chǎn)品,新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動電流只有前者的2/3左右,支持1.2V/1.35V的較低工作電壓,同時也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
- 關鍵字: 爾必達 40nm SDRAM 內(nèi)存芯片
6月全球芯片設備訂單出貨比突破1,DDR3 SDRAM開始發(fā)力
- 市場調(diào)研公司VLSI Research指出,6月全球半導體設備訂單出貨比11個月來首次超過1。 VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示,6月全球芯片設備訂單出貨比升至1.01,是去年7月來首次突破1。6月全球設備訂單額達25億美元,較5月增長40%,但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長31%,達24億美元,但較去年6月減少57%。 VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平,但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢。后端設備供應商預計將獲得一次強勁增長,后端工廠產(chǎn)能利用率正在快速增長
- 關鍵字: 半導體設備 SDRAM 存儲器 芯片設備
嵌入式實時圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實現(xiàn)
- 嵌入式實時圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實現(xiàn),介紹一種用于嵌入式實時圖像處理系統(tǒng)的SDRAM控制器的實現(xiàn)方案。根據(jù)實時系統(tǒng)對數(shù)據(jù)傳輸速率及連續(xù)性的要求,將SDRAM配置為全頁突發(fā)操作模式,并采用異步FIFO作為FPGA與SDRAM間的數(shù)據(jù)緩沖器。為配合SDRAM的全頁操作模式,并充分利用其高速讀寫性能,將FIFO設計為基于乒乓操作的流水線結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的無縫緩存。將該方案用于實時紅外熱成像系統(tǒng),經(jīng)實驗結(jié)果表明,該SDRAM控制器執(zhí)行效率高,占用資源少,可移植性強。
- 關鍵字: SDRAM 控制器 實現(xiàn) 理系 處理 實時 圖像 嵌入式
sdram介紹
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器,同步是指Memory工作需要同步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR [ 查看詳細 ]
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