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SDRAM通用控制器的FPGA模塊化設計

  • 引言       同步動態(tài)隨機存儲器(SDRAM),在同一個CPU時鐘周期內即可完成數(shù)據(jù)的訪問和刷新,其數(shù)據(jù)傳輸速度遠遠大于傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器(DRAM),被廣泛的應用于高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中?;贔PGA的SDRAM控制器,以其可靠性高、可移植性強、易于集成的特點,已逐漸取代了以往的專用控制器芯片而成為主流解決方案。然而,SDRAM復雜的控制邏輯和要求嚴格的時序,成為開發(fā)過程中困擾設計人員主要因素,進而降低了開發(fā)速度,而且大多數(shù)的基于FPGA的SDR
  • 關鍵字: 工業(yè)控制  嵌入式系統(tǒng)  單片機  FPGA  SDRAM  嵌入式  工業(yè)控制  

ADSP-TS201的系統(tǒng)設計及外部總線接口技術

  • 1 引言隨著雷達技術發(fā)展,大帶寬高分辨力、多種信號處理方式的采用,使得實時信號處理對數(shù)據(jù)的處理速度大大提高。同時在雷達信號處理中運算量大,數(shù)據(jù)吞吐量急劇上升,對數(shù)據(jù)處理的要求不斷提高。隨著大規(guī)模集成電路技術的發(fā)展,作為數(shù)字信號處理的核心數(shù)字信號處理器(DSP)得到了快速的發(fā)展和應用。ADSP-TS201DSP是美國模擬器件(ADD公司繼TSl01之后推出的一款高性能處理器。此系列DSP性價比很高,兼有FPGA和ASIC信號處理性能和指令集處理器的高度可編程性,適用于大存儲量、高性能、高速度的信號處理和圖像
  • 關鍵字: 模擬技術  電源技術  SDRAM  DSP-TS201  總線接口  模擬IC  電源  

Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設計

  • Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設計,OverviewAltera offers a PCI Express to DDR2 SDRAM reference design that demONSTrates the operation of Alteras PCI Express (PCIe) MegaCorereg; product. This reference design provides an interface betw
  • 關鍵字: 參考  設計  SDRAM  DDR2  PCI  Express  Altera  

Altera實現(xiàn)對新的JEDEC DDR3 SDRAM標準的支持

  •   Altera宣布,在FPGA業(yè)界實現(xiàn)了對高性能DDR3存儲器接口的全面支持。在最近通過的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標準下,Altera Stratix® III系列FPGA可以幫助設計人員充分發(fā)揮DDR3存儲器的高性能和低功耗優(yōu)勢,這類存儲器在通信、計算機和視頻處理等多種應用中越來越關鍵。   這些應用處理大量的數(shù)據(jù),需要對高性能存儲器進行快速高效的訪問。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標準可滿足DDR3存儲器的1.5V低功耗電壓供電要求,在下一
  • 關鍵字: Altera  SDRAM  存儲器  

愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

利用FPGA解決TMS320C54x與SDRAM的接口問題

  • 在DSP應用系統(tǒng)中,需要大量外擴存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如,在數(shù)碼相機和攝像機中,為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖片或圖像暫存下來,需要將DSP處理后的數(shù)據(jù)轉移到外存中以備后用。從目前的存儲器市場看,SDRAM由于其性能價格比的優(yōu)勢,而被DSP開發(fā)者所青睞。DSP與SDRAM直接接口是不可能的。 FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)由于其具有使用靈活、執(zhí)行速度快、開發(fā)工具豐富的特點而越來越多地出現(xiàn)在現(xiàn)場電路設計中。本文用FPGA作為接口芯片,提供控制信號和定時信號,來實現(xiàn)DSP到SDRAM的數(shù)據(jù)存取。 1 SDRA
  • 關鍵字: DSP  FPGA  SDRAM  單片機  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

DSP片外高速海置SDRAM存儲系統(tǒng)設計

  • 在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號處理應用場合,需要有高速大容量存儲空間的強力支持,來滿足系統(tǒng)對海量數(shù)據(jù)吞吐的要求。通過使用大容量同步動態(tài)RAM(SDRAM)來擴展嵌入式DSP系統(tǒng)存儲空間的方法,選用ISSI公司的IS42S16400高速SDRAM芯片,詳細論述在基于TMS320C6201(簡稱C6201)的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中此設計方法的具體實現(xiàn)。 1 IS42S16400芯片簡介IS42S16400是ISSl公司推出的一種單片存儲容量高達64 Mb(即8 MB)的16位字寬高速SDRAM芯片。
  • 關鍵字: DSP  SDRAM  單片機  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

基于SDRAM的視頻處理器設計與實現(xiàn)

  • 筆者在研究有關文獻的基礎上,根據(jù)具體情況提出一種獨特的方法,實現(xiàn)了對SDRAM的控制,并通過利用FPGA控制數(shù)據(jù)存取的順序來實現(xiàn)對數(shù)字視頻圖像的旋轉,截取、平移等實時處理。
  • 關鍵字: SDRAM  視頻處理器    

Reg istered SDRAM在MPC8241系統(tǒng)中的應用

  • 介紹Registered SDRAM的工作原理和接口芯片,以及在MPC8241嵌入式系統(tǒng)中進行Registered SDRAM電路設計的實例;給出電路原理設計和PCB布局布線的一般規(guī)則。
  • 關鍵字: istered  SDRAM  8241  Reg    

使用Verilog實現(xiàn)基于FPGA的SDRAM控制器

  • 介紹了SDRAM的特點和工作原理,提出了一種基于FPGA的SDRAM控制器的設計方法,使用該方法實現(xiàn)的控制器可非常方便地對SDRAM進行控制。
  • 關鍵字: Verilog  SDRAM  FPGA  控制器    

高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設計

  • 摘  要:本文對高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術進行了討論,詳細介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設計、命令組合以及設計仿真時序,并將該技術應用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡,最后給出了板卡測試結果。關鍵詞:SDRAM;FPGA;AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點,要求系統(tǒng)在短時間內能夠傳輸并存儲采集結果。因此,采集數(shù)據(jù)的快速存儲能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
  • 關鍵字: AD9432  FPGA  SDRAM  存儲器  

SyncFlash存儲器在ARM嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • 摘    要:本文在簡要介紹SyncFlash(同步Flash)存儲器的基礎上,著重敘述了SyncFlash在基于ARM體系微處理器的嵌入式系統(tǒng)中的應用,并介紹了采用SyncFlash設計嵌入系統(tǒng)的優(yōu)勢。關鍵詞:SyncFlash;SDRAM;ARM微處理器;嵌入式系統(tǒng)  隨著嵌入式處理器的迅速發(fā)展,32位RISC處理器的應用越來越廣泛,許多基于ARM核的微處理器都集成了SDRAM控制器。應用系統(tǒng)中一般都是采用SDRAM存儲器作內存、NOR Flash作程序存儲
  • 關鍵字: ARM微處理器  SDRAM  SyncFlash  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設計

  • 摘    要:本文提出了一種在MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設計,并巧妙地利用了一種新穎的填充方法,使得程序執(zhí)行的效率大幅度提高。關鍵詞:SDRAM;MPEG-4;填充 引言圖像處理系統(tǒng)都需要用到容量大、讀寫速度高的存儲介質。SRAM操作簡單,但其昂貴的價格會使產品成本上升。相比較而言,SDRAM的控制較RAM復雜,但具有價格便宜、體積小、速度快、功耗低等優(yōu)點,所以從降低成本的角度出發(fā),本文采用SDRAM實現(xiàn)MPEG-4 SP(Simple Profile)級解
  • 關鍵字: MPEG-4  SDRAM  填充  存儲器  

利用FPGA實現(xiàn)MMC2107與SDRAM接口設計

  • 介紹基于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),利用VHDL語言設計實現(xiàn)MMC2107與SDRAM接口電路。文中包括MMC2107組成結構、SDRAM存儲接口結構和SDRAM控制狀態(tài)機的設計。
  • 關鍵字: SDRAM  FPGA  MMC    

1999年2月23日,上海華虹NEC電子有限公司建成試投片

  •   1999年2月23日,上海華虹NEC電子有限公司建成試投片,工藝技術檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米,主導產品64M同步動態(tài)存儲器(S-DRAM)。這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產線。
  • 關鍵字: 華虹NEC  SDRAM  
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sdram介紹

  SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器,同步是指Memory工作需要同步時鐘,內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。   SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR [ 查看詳細 ]

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