s7 mosfet 文章進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)

西門子S7-200CN與臺(tái)達(dá)DVP14SS2之間的Modbus通訊連接

硬件：西門子CPU224CN（6ES7214-1BD23-0XB8）；臺(tái)達(dá)DVP14SS211R（V302A2）軟件：PC系統(tǒng)MicrosoftWindowsXPProfessionalSP3臺(tái)達(dá)編
關(guān)鍵字： S7-200CNDVP14SS2Modbus通訊連

西門子S7-1200 MODBUS通信的一個(gè)應(yīng)用案例分享

S7-1200設(shè)計(jì)緊湊、組態(tài)靈活，TIA在庫函數(shù)中嵌套了Modbus-RTU和Modbus-TCP功能庫，在做數(shù)據(jù)采集的項(xiàng)目中是非常好用的。做過一個(gè)換熱
關(guān)鍵字： S7-1200MODBUS通信應(yīng)用案

S7-300里的B#16和W#16怎么理解？

有網(wǎng)友問，S7-300里的B16和W16怎么理解？下面是我的回帖：B16和W16都是十六進(jìn)制數(shù)，例如B163A和W1639FC。B和W分別表示字節(jié)和字。
關(guān)鍵字： S7-300B16

一種S7-300與S7-200自由口無線通信實(shí)現(xiàn)方法

1項(xiàng)目簡(jiǎn)介濱州市污水處理廠占地100萬立方米。采用德國(guó)BIOLAK污水處理工藝，日處理水規(guī)模為10萬立方米。項(xiàng)目使用四套S7-300和兩套S7-2
關(guān)鍵字： S7-200S7-300自由口無線通

淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路?！　≡谑褂肕OSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

S7-200 PLC與組態(tài)王在變頻器節(jié)能項(xiàng)目上的應(yīng)用

導(dǎo)讀:該系統(tǒng)采用上、下位機(jī)主從式結(jié)構(gòu)，plc作為下位機(jī)通過modbus通信方式，完成工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)采集；上位機(jī)采用工業(yè)控制計(jì)算機(jī)，與pl
關(guān)鍵字： S7-200PLC組態(tài)王變頻器節(jié)能項(xiàng)

S7-200模擬量使用應(yīng)該搞清的16個(gè)基本問題

1什么是單極性、雙極性？雙極性就是信號(hào)在變化的過程中要經(jīng)過零，單極性不過零。由于模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量是有符號(hào)整數(shù)，所以雙極性信號(hào)對(duì)
關(guān)鍵字： S7-200模擬量使用基本問

用S7-200編程的幾個(gè)實(shí)例的編程技巧解析

本文用S7-200編寫的幾個(gè)實(shí)例都是在網(wǎng)上發(fā)表或在回答網(wǎng)友的求助編寫的，程序短小，針對(duì)性強(qiáng)，有程序解析，特別適合初學(xué)者學(xué)習(xí)參考。一、網(wǎng)
關(guān)鍵字： S7-200編程編程技

功率器件心得——功率MOSFET心得

　　功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)?！　」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
關(guān)鍵字： MOSFET 功率放大電路

意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。　　意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

關(guān)于MOS管失效，說白了就這六大原因

　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。　　目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET

基于TPS2491的熱插拔保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要：文章對(duì)主流熱插拔控制策略進(jìn)行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結(jié)構(gòu)后，以24V電源背板總線數(shù)據(jù)采集卡為設(shè)計(jì)實(shí)例，詳細(xì)介紹了基于TPS2491進(jìn)行熱插拔保護(hù)電路的設(shè)計(jì)過程，并對(duì)設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證，
關(guān)鍵字： TPS2491 熱插拔保護(hù)電路 MOSFET

半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移，這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

　　英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對(duì)要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。　　更環(huán)保的技術(shù) 　　英飛凌堅(jiān)持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

東芝推出適用于移動(dòng)設(shè)備中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。　　新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET