s7 mosfet 文章 最新資訊
功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應用簡析
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設計中得到了廣泛的應用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅(qū)動電路，進行簡要分析?！ ∮懈綦x變壓器的互補驅(qū)動電路作為一種比較常見的驅(qū)動電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設計中應用較多，其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐?！ ?nbsp;
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入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動電路知識分享
- 功率器件MOSFET是目前應用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學習時的重點方向。如果設計得當，MOSFET驅(qū)動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動設計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅(qū)動電路設計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用。 下圖中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設備。圖1(b)所示驅(qū)動電路開關(guān)速度很快，驅(qū)動能力強，為防
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【E課堂】MOSFET管驅(qū)動電路基礎總結(jié)
- 關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎的一點總結(jié)，其中參考了一些資料?！ ≡谑褂肕OS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的?！ ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
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三星S7處理器跑分曝光 成績不如麒麟950
- 在今年旗艦智能機的比拼中，新一代的旗艦級處理器勢必會成為關(guān)鍵，其中以高通驍龍820、聯(lián)發(fā)科HelioX20、華為旗艦950以及三星Exynos8890這四大處理器中決出勝負，其中驍龍820、HelioX20、麒麟950的性能跑分都已經(jīng)公之于眾，而近日Exynos8890處理器的跑分也首次曝光了。 雖然三星Exynos8890處理器早已經(jīng)在去年發(fā)布，但是關(guān)于該處理器的性能跑分卻一直都是未知數(shù)，讓人很是期待這款三星旗艦級處理器的性能到底如何，這次在知名跑分網(wǎng)站Geekbench上，終于出現(xiàn)了搭載Ex
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關(guān)參數(shù)
- 最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。 另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
- 在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法?！ 岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結(jié)果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示
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