首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> s7 mosfet

估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

  • 　　在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。　　熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示 
  • 關鍵字： MOSFET  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—連續(xù)電流額定值

  • 　　今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?！　±?，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關，并且是硅芯片與塑料封裝之間內在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降
  • 關鍵字： MOSFET  

場效應管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗

  • 　　本文總結了場效應管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗　　一、用指針式萬用表對場效應管進行判別　　(1)用測電阻法判別結型場效應管的電極　　根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
  • 關鍵字： 場效應管  MOSFET  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值

  • 　　在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 　　自從20世紀80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經(jīng)被
  • 關鍵字： MOSFET  UIS  

一種寬范圍可調的小型DC-DC降壓變換器

  • 提出了一種小型可調壓DC-DC降壓變換器的結構。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅動能力較差，設計驅動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經(jīng)濟適用、體積較小，輸出電壓可調。主要由主電路和驅動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結構進行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
  • 關鍵字： DC-DC降壓  PWM  MOSFET  驅動電路  201601  

意法半導體（ST）推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。　　400V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

如何通過配置負載點轉換器提供負電壓或隔離輸出電壓

  • 　　在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求。　　TPS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質、重工業(yè)以及油氣應用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉換器解決方
  • 關鍵字： MOSFET  TPS50601-SP  電壓隔離  

三星S7出狠招 學小米/索尼用熱導管 防高通820發(fā)熱

  • 　　12 月 5 日訊，繼三星今年 8 月發(fā)布 Note 和 S6 edge Plus 后，三星下一代旗艦手機 S7 被傳將于明年 2 月份登場。　　從目前曝光的各種消息來看，三星新旗艦 S7 將是一款功能強大的智能手機。不過在外形方面，三星學蘋果偷起懶了，iPhone6s 外形相較于 iPhone6 沒什么
  • 關鍵字： 三星  S7  

三星Galaxy S7再曝光：AT&T已開始測試

  • 　　據(jù)爆料大神@evleaks透露，三星GalaxyS7和GalaxyS7Edge已經(jīng)在AT&T進行測試，這意味著這兩款旗艦機型很有可能將在不久后發(fā)布。 　　而這也于之前的傳言相吻合，明年巴塞羅那MWC2016的開幕的前一天，也就是2月21日將會是下一場三星Unpacked發(fā)布會。 　　   　　結合之前的消息，最后我們再來回顧一下三星這兩款年度旗艦的配置。三星GalaxyS7和GalaxyS7Edge型號分別為SM-G930A、SM-G935A。 　　兩款手機都將根據(jù)內存
  • 關鍵字： 三星  S7  

意法半導體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設備中的待機功耗

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復存在。 　　最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。 　　新產(chǎn)品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用

  • 　　Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。 　　新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應用空間，能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
  • 關鍵字： Wolfspeed   MOSFET  

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應用

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。 　　在局域網(wǎng)路由器及中跨設備等供電設備內，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設備內的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因為以太網(wǎng)
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

史上第一次！三星S7傳有3種CPU版本、專推“印度款”

  • 　　三星電子次代旗艦智慧手機Galaxy S7目前傳出有望在明年初亮相，而原先傳出S7的CPU有2種版本，分別為高通(Qualcomm)Snapdragon 820、以及三星自家Exynos處理器，不過最新傳出，S7恐將打破慣例，成為三星旗下第一款將有3種CPU版本的旗艦機種! 　　日 本智慧手機/平板電腦評價部落格livedoor Blog 8日轉述SamMobile的報導指出，根據(jù)最新接獲的情報顯示，三星S7的CPU版本將有3款，分別為Snapdragon 820、三星次世代晶片Exynos 889
  • 關鍵字： 三星  S7  
共1353條 38/91 |‹ « 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 » ›|

s7 mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條s7 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473