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EEPW首頁 >> 主題列表 >> s7 mosfet

IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

  • 　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。 　　然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。 　　   　　一說起IGBT，半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
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住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

  • 　　一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當(dāng)工程師需要大電流用于負載點(POL)設(shè)計時，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。 　　   　　直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSF
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關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識大合集

  • 　　下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 　　1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
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意法半導(dǎo)體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認證時間表。 　　電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
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三星手機逆襲了！它用了這兩招

  • 　　5月24日消息，科技新聞網(wǎng)站DigitalTrends稱，盡管目前智能手機市場依然低迷，但韓國三星電子通過新的經(jīng)營哲學(xué)實現(xiàn)增長。 　　一年前，三星電子看似前途迷茫，其旗艦智能手機表現(xiàn)不盡如人意，整個手機市場正步入衰退。不過在短短一年的時間里，三星電子取得了長足的進步，其前景也看似更加光明。這背后的原因不是手機市場重新回到高增長時代，而是三星電子自身的經(jīng)營哲學(xué)發(fā)生了變化。 　　三星電子第一次選擇不走尋常路，其不再嘗試通過硬件配置擊敗競爭對手。與此同時，三星電子也停止了“討好所有人&rdq
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英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容

  • 　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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理解超級結(jié)技術(shù)

  • 　　基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結(jié)技術(shù)的優(yōu)點。 　　為了理解兩種技術(shù)的差異，我
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意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計人員提高計算機、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機會?！　∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長，運行云計算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設(shè)備能耗最小化的需求越來越多
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

  • 　　MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?　　三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示?！　OS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
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解析IGBT的工作原理及作用

  • 　　本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。 　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。 　
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【E問E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”？

  • 　　MOSFET的擊穿有哪幾種?　　Source、Drain、Gate　　場效應(yīng)管的三極:源級S 漏級D 柵級G　　(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿)　　先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。　　1) Drain->Source穿通擊穿:　　這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
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三星手機找到起死回生之術(shù)？

  • 迅速普及的智慧手機市場日趨成熟，處于被其他廠商追趕的三星電子預(yù)計難以擴大銷售規(guī)模，在此背景下，如何確保收益將成為關(guān)鍵。
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三星第一季度凈利潤45.6億美元 同比增長13.55%

  • 　　三星在監(jiān)管文件中稱，公司第一季度的營收為49.7萬億韓元(約合447.3億美元)，同比增長5.65%;運營利潤6.67萬億韓元(約合60.03億美元)，同比增長11.65%。這些業(yè)績數(shù)據(jù)與該公司本月早些時候公布的前瞻數(shù)據(jù)基本一致。 　　其包括智能手機的移動部門運營利潤從去年同期的2.7萬億韓元增長至3.9萬億韓元，漲幅達到42%，近7個季度以來首次超過芯片部門，成為公司的第一收入來源。芯片部門的運營利潤從去年同期的2.9萬億韓元下降至2.6萬億韓元，跌幅為10%。 　　三星表示，移動部門的出色表現(xiàn)
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如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障

  • 　　為了降低能源成本，設(shè)備設(shè)計人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設(shè)計人員通過增大開關(guān)頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關(guān)，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 　　初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴重的直通
  • 關(guān)鍵字： 諧振轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

完全自保護MOSFET功率器件分析

  • 　　為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?！　D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護?！　?nbsp;&n
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率器件  
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