意法半導(dǎo)體下一代高達(dá)100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)擴(kuò)大其SLLIMM? nano系列電機(jī)驅(qū)動(dòng)智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應(yīng)用總體尺寸最小化和設(shè)計(jì)復(fù)雜性最低化的多種可選封裝外，新產(chǎn)品還集成更多的實(shí)用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。

　　新IPM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)最高功率100W的電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，例如冰箱壓縮機(jī)、洗衣機(jī)或洗碗機(jī)的電機(jī)、排水泵、循環(huán)水泵、風(fēng)扇電機(jī)、以及硬開關(guān)電路內(nèi)工作頻率小于20kHz的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。新產(chǎn)品最高工作溫度150°C，可工作在惡劣工作環(huán)境中。

　　模塊集成 一個(gè)三相MOSFET電橋和柵驅(qū)動(dòng)器HVIC和實(shí)用功能，包括一個(gè)閑置運(yùn)放和比較器，用于過(guò)流保護(hù)和電流測(cè)量功能。其它內(nèi)置安全功能包括互鎖功能，防止直通電流燒毀電橋MOSFET，還包括一個(gè)錯(cuò)誤狀態(tài)輸出、關(guān)斷輸入和智能關(guān)斷功能。內(nèi)部可選熱敏電阻有助于簡(jiǎn)化過(guò)熱保護(hù)電路。

　　除了齒形引腳封裝外，新系列還提供直插式封裝，讓設(shè)計(jì)人員更靈活地簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì)，在機(jī)電總成和其它空間受限的應(yīng)用中最大限度縮減控制器尺寸。

　　這些封裝的優(yōu)異的散熱性能，結(jié)合意法半導(dǎo)體最新的500V MOSFET的優(yōu)異能效表現(xiàn)，讓設(shè)計(jì)人員能夠更靈活地縮減散熱器尺寸，開發(fā)無(wú)散熱器的低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。在2A和1A兩款產(chǎn)品內(nèi)，MOSFET導(dǎo)通電阻分別為3.6?和1.7?，低導(dǎo)通電阻配合低開關(guān)損耗，確保應(yīng)用設(shè)計(jì)取得優(yōu)異的總體能效。MOSFET還另配備開路發(fā)射極至模塊引腳的連接線，這樣設(shè)計(jì)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)人員使用矢量控制(FOC)三路分流器或梯形波控制單路分流器。新模塊還集成高邊MOSFET柵極控制所需的自舉二極管，從而進(jìn)一步減少對(duì)外部元器件的需求量。

　　STIPN1M50T-H、STIPN1M50-H、STIPN2M50T-H (L)和 STIPN2M50-H現(xiàn)已量產(chǎn)。