s7 mosfet 文章進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)

為計(jì)算應(yīng)用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)

功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項(xiàng)強(qiáng)制要求。在某些消費(fèi)應(yīng)用（如LED照明）中，要求在低至5 W的功率下進(jìn)行某些形式的PFC。在低功率下，可使用為控制線(xiàn)路頻率而設(shè)計(jì)的無(wú)源元件實(shí)現(xiàn)校正目的。但在高功率下，無(wú)源解決方案會(huì)變得相當(dāng)“笨重”而昂貴；使用高開(kāi)關(guān)頻率有源器件可減小所需無(wú)源元件的尺寸。有源PFC的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換器。盡管新式拓?fù)湔饾u獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步
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東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET。“DTMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開(kāi)關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設(shè)備的備用電源以及LED照明燈
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴(kuò)大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容。“U-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。　　隨著快速充電器的普及和發(fā)展，市場(chǎng)需要更高性能的用于次級(jí)側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)
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采用ST F7 LV MOSFET技術(shù)的單片肖特基二極管:提高應(yīng)用性能

　　摘要–當(dāng)一個(gè)功率MOSFET管被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流管時(shí)，體漏二極管的特性以及品質(zhì)因數(shù)將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr 數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時(shí)，集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色?！　.前言　　在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon 和 Qg 兩個(gè)參數(shù)并不是對(duì)功率MOSFET管的唯一要求，實(shí)際上，本征體漏二極管的動(dòng)態(tài)特性對(duì)MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
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日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

　　日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢(shì)地位。　　功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車(chē)、電車(chē)等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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意法半導(dǎo)體下一代高達(dá)100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)擴(kuò)大其SLLIMM? nano系列電機(jī)驅(qū)動(dòng)智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應(yīng)用總體尺寸最小化和設(shè)計(jì)復(fù)雜性最低化的多種可選封裝外，新產(chǎn)品還集成更多的實(shí)用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。　　新IPM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)最高功率100W的電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，例如冰箱壓縮機(jī)、洗衣機(jī)或洗碗機(jī)的電機(jī)、排水泵、循環(huán)水泵、風(fēng)扇電機(jī)、以及硬開(kāi)關(guān)電路內(nèi)工作頻率小
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8種噪聲測(cè)試技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

　　噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱(chēng)白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無(wú)規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此噪聲測(cè)量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測(cè)量?！　「郊酉辔辉肼暅y(cè)試技術(shù)及注意事項(xiàng)　　本文簡(jiǎn)單介紹了相位噪聲的定義，詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測(cè)試過(guò)程，給出了實(shí)際的測(cè)試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測(cè)試過(guò)程中的一些注意事項(xiàng)，希望對(duì)附加相位噪聲測(cè)試人員有一定的借鑒意義?！　∮糜?G-LTE頻段噪聲測(cè)試
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MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設(shè)計(jì)考慮因素和實(shí)驗(yàn)結(jié)果

　　摘要 – 近幾年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)對(duì)高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動(dòng)下，設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個(gè)深受歡迎的軟硬結(jié)合的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)?，能夠在大功率條件下達(dá)取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開(kāi)關(guān)管在零壓開(kāi)關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性?！　?. 前言　　零壓開(kāi)關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場(chǎng)定位包括電信設(shè)備電源、大型計(jì)算機(jī)或服務(wù)器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O(shè)備。要想實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，就必須最大限度降低功率損耗和無(wú)功功率
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S7-1200 控制器在混凝土攪拌站上的應(yīng)用

項(xiàng)目簡(jiǎn)介混凝土攪拌站是把砂子；石子；水泥；水；外加劑等各種物料進(jìn)行精確計(jì)量后輸送進(jìn)入攪拌機(jī)進(jìn)行混合攪拌的一種全自動(dòng)生產(chǎn)設(shè)備，是目前修建鐵路；公路；橋梁；建筑等所有基建項(xiàng)目中不可缺少的設(shè)備。雙機(jī)雙控就是采用兩臺(tái)上...
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S7-200PLC的RS485通信口易損壞的原因及解決辦法

當(dāng)PLC的RS485口經(jīng)非隔離的PC/PPI電纜與電腦連接、PLC與PLC之間連接或PLC與變頻器、觸摸屏等通信時(shí)時(shí)有通信口損壞現(xiàn)象發(fā)生。一、S7-200PLC內(nèi)部RS485接口電路圖：圖中R1、R2是阻值為10歐的普通電阻，其作用...
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MOSFET驅(qū)動(dòng)及工作區(qū)的問(wèn)題分析

　　問(wèn)題1：最近，我們公司的技術(shù)專(zhuān)家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高，會(huì)導(dǎo)致電路過(guò)載時(shí)，MOSFET中電流過(guò)大，于是把降低了驅(qū)動(dòng)電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺(jué)和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么?　　問(wèn)題分析：　　系統(tǒng)短路的時(shí)候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線(xiàn)性區(qū)，降低驅(qū)動(dòng)電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實(shí)有一定的效果。然后，降低驅(qū)動(dòng)電壓，正常工作時(shí)候，RDSON會(huì)增大，系統(tǒng)效率會(huì)降低，MOSFET的溫度會(huì)升高，
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S7-300與Carrier冷凍機(jī)的Modbus串行通訊

1引言近年來(lái)，隨著自動(dòng)化水平的提高，公司正在逐步建立以西門(mén)子s7-300plc為基礎(chǔ)的工業(yè)集中監(jiān)控網(wǎng)絡(luò)。由于目前公司有幾臺(tái)carrier冷凍機(jī)，其采用的是專(zhuān)用的通訊協(xié)議，與s7-300不兼容，plc無(wú)法采集到冷凍機(jī)的數(shù)據(jù)，導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)集...
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西門(mén)子S7-300 PLC與模擬屏串行通信

1引言模擬屏能簡(jiǎn)單、明了地反映現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)和狀態(tài)信息，應(yīng)用十分廣泛。為了使現(xiàn)場(chǎng)信息及時(shí)、準(zhǔn)確、動(dòng)態(tài)地顯示在模擬屏上，要求數(shù)據(jù)采集設(shè)備和模擬屏之間進(jìn)行通信。現(xiàn)場(chǎng)信息量比較大，如果每個(gè)信號(hào)都獨(dú)立連接...
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基于S7-400的污水處理自動(dòng)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案

[導(dǎo)讀]本文主要針對(duì)大規(guī)?，F(xiàn)代化污水處理廠自動(dòng)化系統(tǒng)的運(yùn)行問(wèn)題提出了一種基于S7-400的污水處理自動(dòng)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，該污水處理自動(dòng)控制系統(tǒng)運(yùn)用siemens的s7-400系列、webaccess組態(tài)軟件和profibus-dp現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)來(lái)構(gòu)建一個(gè)分布式的自動(dòng)控制系統(tǒng)，從而提高了污水處理的自動(dòng)化程度和系統(tǒng)的高可靠性。
關(guān)鍵字： S7-400污水處理系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)總

S7-200在遠(yuǎn)程閘門(mén)控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

傳統(tǒng)的閘門(mén)控制方式需要人員到現(xiàn)場(chǎng)操作閘門(mén)啟閉機(jī)或者使用一般工控機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣的控制方式不能適應(yīng)閘門(mén)孔數(shù)多，控制中心距離閘房較遠(yuǎn)的控制需求。工控機(jī)對(duì)閘門(mén)集中控制的方式在閘門(mén)孔數(shù)較多時(shí)，不能夠避免鋪設(shè)線(xiàn)路...
關(guān)鍵字： S7-200閘門(mén)控制系統(tǒng)ProfiBus現(xiàn)場(chǎng)總