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基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風(fēng)機(jī)解決方案

近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動(dòng)駕駛”等時(shí)髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領(lǐng)域，但其實(shí)，有一個(gè)已經(jīng)真正落地，大部分人都還沒注意到的應(yīng)用——直流無刷電機(jī)（BLDC）市場(chǎng)正在悄然興起，而且成長(zhǎng)迅速。根據(jù)市場(chǎng)公開的資料，2018年全球無刷直流電機(jī)的市場(chǎng)規(guī)模為153.6億美元，樂觀的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)未來五年，市場(chǎng)將會(huì)以13%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)；當(dāng)然也有機(jī)構(gòu)認(rèn)為年復(fù)合增長(zhǎng)率會(huì)在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長(zhǎng)率，這個(gè)市場(chǎng)都非常值得期待。由于BLDC本身可以節(jié)約能源，
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由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對(duì)HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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許多高速數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，如激光雷達(dá)或光纖測(cè)試等，都需要從嘈雜的環(huán)境中采集小的重復(fù)信號(hào)，因此對(duì)于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)來說，最大的挑戰(zhàn)就是如何最大限度地減少噪聲的影響。利用信號(hào)平均技術(shù)，可以讓您的測(cè)量測(cè)試系統(tǒng)獲取更加可靠的、更加有效的測(cè)試數(shù)據(jù)。
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摘要文中對(duì)適用于高速突發(fā)通信的基于數(shù)字濾波平方的定時(shí)同步算法進(jìn)行了研究。通過對(duì)在高速數(shù)據(jù)傳輸通信中，該定時(shí)同步環(huán)路的定時(shí)誤差估計(jì)模塊進(jìn)行并行結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，大幅降低了系統(tǒng)對(duì)于時(shí)鐘的要求，且更加易于實(shí)現(xiàn);將文
關(guān)鍵字：高速突發(fā)通信定時(shí)同步定時(shí)控制 Field Programmable Gate Array

　　據(jù)消息來源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉(zhuǎn)向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計(jì)劃，他們將在年內(nèi)推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認(rèn)為三星很可能只在28/32nm制程中才會(huì)采用gate-first工藝，而在22nm制程則會(huì)轉(zhuǎn)向采用gate-last工藝。于此同時(shí)，三星芯片代工業(yè)務(wù)部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉(zhuǎn)向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評(píng)論。
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　　去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示，臺(tái)積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們?cè)谑Y尚義的介紹中，了解臺(tái)積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實(shí)現(xiàn)計(jì)劃。　　Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
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　　新加坡特許半導(dǎo)體計(jì)劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉(zhuǎn)入28nm。　　特許半導(dǎo)體很可能會(huì)在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運(yùn)行計(jì)劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。　　特許的28nm工藝并非獨(dú)立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會(huì)使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅(jiān)定支持者)。　　特許半導(dǎo)體2009年技術(shù)論壇將在臺(tái)灣新竹市
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　　臺(tái)積電28納米制程再邁大步，預(yù)計(jì)最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻(xiàn)營(yíng)收，臺(tái)積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，仍是來自IBM陣營(yíng)的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競(jìng)爭(zhēng)更趨激烈。　　臺(tái)積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)
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