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基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風機解決方案

  • 近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領域，但其實，有一個已經(jīng)真正落地，大部分人都還沒注意到的應用——直流無刷電機（BLDC）市場正在悄然興起，而且成長迅速。根據(jù)市場公開的資料，2018年全球無刷直流電機的市場規(guī)模為153.6億美元，樂觀的市場研究機構預計未來五年，市場將會以13%的年復合增長率持續(xù)增長；當然也有機構認為年復合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長率，這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節(jié)約能源，
  • 關鍵字： Richtek  RT7083GQW  MCU  Gate Driver  壁掛爐熱風機  

SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革

  • 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
  • 關鍵字： SK海力士  High-k  Metal Gate  

怎樣利用信號平均技術消除噪聲干擾提升重復信號采樣的精準度

  • 許多高速數(shù)據(jù)采集應用，如激光雷達或光纖測試等，都需要從嘈雜的環(huán)境中采集小的重復信號，因此對于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設計來說，最大的挑戰(zhàn)就是如何最大限度地減少噪聲的影響。利用信號平均技術，可以讓您的測量測試系統(tǒng)獲取更加可靠的、更加有效的測試數(shù)據(jù)。
  • 關鍵字： 光纖測試  RAM  激光雷達  GATE  

高速數(shù)傳中定時同步設計與FPGA實現(xiàn)

  • 摘要 文中對適用于高速突發(fā)通信的基于數(shù)字濾波平方的定時同步算法進行了研究。通過對在高速數(shù)據(jù)傳輸通信中，該定時同步環(huán)路的定時誤差估計模塊進行并行結構實現(xiàn)，大幅降低了系統(tǒng)對于時鐘的要求，且更加易于實現(xiàn);將文
  • 關鍵字： 高速突發(fā)通信  定時同步  定時控制  Field Programmable Gate Array  

傳三星正積極研究Gate-last工藝

  • 　　據(jù)消息來源透露，三星公司的芯片制造技術發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃，他們將在年內推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝，而在22nm制程則會轉向采用gate-last工藝。于此同時，三星芯片代工業(yè)務部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
  • 關鍵字： 三星  Gate-last  

臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點將轉向Gate-last工藝

  • 　　去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺積電負責技術研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關的實現(xiàn)計劃。 　　Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術，這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
  • 關鍵字： 臺積電  Gate-last  28nm   

特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉入28nm

  • 　　新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉入28nm。 　　特許半導體很可能會在明天的技術論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。 　　特許的28nm工藝并非獨立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術聯(lián)盟中獲取的，將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術以及Gate-first技術(Intel是Gate-last的堅定支持者)。 　　特許半導體2009年技術論壇將在臺灣新竹市
  • 關鍵字： 特許半導體  32nm  28nm  Gate-first  

臺積電28納米明年1Q試產(chǎn)　迎擊IBM陣營

  • 　　臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻營收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術最大競爭對手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。 　　臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術藍圖，預計2010年第3季進行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產(chǎn)
  • 關鍵字： 臺積電  28納米  gate-last  

面向未來汽車應用的高可靠性創(chuàng)新半導體方案綜述

行政院計畫興建第二通道 與中華電信抗衡

  • 為有效??解我國最後一哩（last mile）的困境，行政院提出「寬頻管道建置計畫」，也就是投入370億元，在全國建置6,000公里的第二共同管道寬頻網(wǎng)路環(huán)境，和中華電信相抗衡，以協(xié)助其它固網(wǎng)及二類電信業(yè)者，能獲得更公平的競爭機會
  • 關鍵字： Last  中華電信  寬頻網(wǎng)路  
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