nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上表示，2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元（當(dāng)前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當(dāng)前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

消費(fèi)性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來(lái)消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
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全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

12月15日，美光宣布，已開(kāi)始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競(jìng)品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
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韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家

作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
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三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)

NAND 閃存用于各種消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如傳感器和控制器。在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中，這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強(qiáng)大的安全措施，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。因此，在選擇或設(shè)計(jì) NAND 閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)，必須確保存儲(chǔ)器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強(qiáng)大以支持整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)所需的安全級(jí)別。本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見(jiàn)的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
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SK海力士：未研究過(guò)“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃

近日，SK海力士考慮“撤出中國(guó)”、“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對(duì)此，SK海力士于10月26日就中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上，針對(duì)由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導(dǎo)致中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國(guó)工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對(duì)美國(guó)對(duì)芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士與美國(guó)完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)設(shè)備

SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國(guó)商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國(guó)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國(guó)持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國(guó)政府及美國(guó)商務(wù)部緊密合作，在遵循國(guó)際原則的前提下為保障中國(guó)工廠的運(yùn)營(yíng)盡最大的努力?！泵绹?guó)商務(wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國(guó)生產(chǎn)18納米以下
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開(kāi)啟存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新浪潮

如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。隨著各國(guó)對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視，世界對(duì)存儲(chǔ)容量和性能的要求越來(lái)越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計(jì)算、邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實(shí)時(shí)大數(shù)據(jù)更新，以及移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)帶來(lái)智能化沉浸式體驗(yàn)。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲(chǔ)應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu)，高效優(yōu)化存儲(chǔ)顆粒的使用空間和密度美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu)，通過(guò)增加NAN
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集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15～20％

根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買方著重去化庫(kù)存而大幅減少采購(gòu)量，賣方開(kāi)出破盤價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達(dá)30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫(kù)存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15～20％。集邦表示，因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運(yùn)營(yíng)陷入虧損的壓力下，對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
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庫(kù)存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％

市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購(gòu)，導(dǎo)致供貨商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫(kù)存，而DRAM供應(yīng)端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫(kù)存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
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拆機(jī)證實(shí)，國(guó)行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn) NAND 閃存

IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開(kāi)新品發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機(jī)，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認(rèn)正考慮從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu) NAND 芯片，但僅會(huì)用于在中國(guó)銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商。因此，市場(chǎng)觀察人士認(rèn)為，蘋果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進(jìn)一步
關(guān)鍵字： iPhone 14 NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]