nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

NAND半壁江山三星與海力士拿下全球閃存市場(chǎng)52.9%份額

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最近發(fā)布的報(bào)告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場(chǎng)份額。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因?yàn)閷?duì)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購(gòu)的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環(huán)比增長(zhǎng)12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國(guó)廠商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場(chǎng)52.9%的份額。
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FORESEE中國(guó)大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash

江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國(guó)大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶降低整機(jī)系統(tǒng)成本，并提升終端的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。目前，F(xiàn)ORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn)，在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。加量減價(jià)，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據(jù)系統(tǒng)存儲(chǔ)容量需求的不同，客
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應(yīng)需而生！兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費(fèi)者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希
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三星電子236層NAND閃存預(yù)計(jì)年內(nèi)開始生產(chǎn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子，預(yù)計(jì)會(huì)在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計(jì)劃在本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國(guó)媒體在報(bào)道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國(guó)媒體的報(bào)道來看，三星電子對(duì)即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們?cè)趫?bào)道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數(shù)增加60層后，他們計(jì)劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
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業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND

半導(dǎo)體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿挑戰(zhàn)。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導(dǎo)體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng)新的極限，以推動(dòng)邏輯、內(nèi)存、存儲(chǔ)等計(jì)算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰，借此機(jī)會(huì)讓我們回顧美光取得的輝煌成就。美光一直以來被公認(rèn)為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，之前我們推出了業(yè)內(nèi)首款176層替換柵極NAND技術(shù)，再次
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集邦：明年DRAM需求位成長(zhǎng)8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(zhǎng)

根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(zhǎng)僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠(yuǎn)低于供給位成長(zhǎng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢(shì)下仍相當(dāng)嚴(yán)峻，價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫(kù)存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫(kù)存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，
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美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲(chǔ)解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層，
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SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應(yīng)過剩

芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉(zhuǎn)，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù)，下半年市場(chǎng)供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機(jī)等消費(fèi)性電子下半年旺季不旺已成市場(chǎng)共識(shí)，物料庫(kù)存水位持續(xù)攀升成為供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。因渠道庫(kù)存去化緩慢，客戶拉貨態(tài)度保守，造成庫(kù)存問題漫溢至上游供應(yīng)端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預(yù)估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至8~13%，且跌勢(shì)恐將延續(xù)至第四季。按照供應(yīng)鏈的說法，雖然仍
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兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升，為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測(cè)設(shè)備等對(duì)電池壽命和緊湊型設(shè)計(jì)有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計(jì)出貨190億顆！兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三

在國(guó)產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?！　?月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計(jì)出貨量已經(jīng)超過190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三?！　≌滓讋?chuàng)新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統(tǒng)PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著延長(zhǎng)電池壽命?！　OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無線耳機(jī)、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長(zhǎng)21%至35億美元

Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長(zhǎng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。預(yù)計(jì)Nor Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(zhǎng)21%至35億美元。 Nor Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達(dá)91%。去年華邦電Nor Flash銷售額達(dá)10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程。
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鎧俠為實(shí)現(xiàn)超高容量SSD，正試驗(yàn)7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個(gè)單元存儲(chǔ)的位數(shù)來提高其存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)密度，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗(yàn)在一個(gè)單元中存儲(chǔ)更多比特?cái)?shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報(bào)道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個(gè)單元中存儲(chǔ)7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗(yàn)室和低溫的條件下。為了使存儲(chǔ)密度更高，存儲(chǔ)電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個(gè)單元存儲(chǔ)Bits的增加呈指數(shù)增長(zhǎng)。例如，要存儲(chǔ)4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會(huì)增長(zhǎng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現(xiàn)的每個(gè)單元
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潛力無限的汽車存儲(chǔ)芯片

　　隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長(zhǎng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧?rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力?！　∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲(chǔ)芯片為例，2022年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約52億美元，國(guó)內(nèi)汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模
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盈利能力大增，估值較低的存儲(chǔ)龍頭被看好？

5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計(jì)出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國(guó)第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲(chǔ)芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲(chǔ)芯片以及存儲(chǔ)器和MCU，在過去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營(yíng)收與凈利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(zhǎng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤(rùn)分別增長(zhǎng)39.25%和127.65%。目前芯片行
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2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長(zhǎng)21%至35億美元

據(jù)IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數(shù)據(jù)顯示， NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但NOR Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元， NOR Flash 出貨量增長(zhǎng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。機(jī)構(gòu)樂觀預(yù)計(jì)NOR Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(zhǎng)21%至35億美元。NOR Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達(dá) 91%。該機(jī)構(gòu)指出，去年華邦電NOR Flash銷售額達(dá)10億美元，市占率以35%居
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]