復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。

FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。

FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性，其中擦寫壽命大于400萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間大于200年，產(chǎn)品性能及可靠性達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，應(yīng)用于CCM、白電、工控、儀表、醫(yī)療、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。其中FM24C/FM25系列車規(guī)產(chǎn)品已通過AEC-Q100 Grade 1車規(guī)級(jí)驗(yàn)證。

FM25/FM29系列SLC NAND存儲(chǔ)器

發(fā)布會(huì)現(xiàn)場，復(fù)旦微電產(chǎn)品經(jīng)理肖磊介紹，F(xiàn)M25/FM29系列是目前國內(nèi)外首款單芯片同時(shí)支持雙接口（SPI/PPI）雙電源（1.8/3.3）的 SLC NAND Flash，產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)28nm先進(jìn)工藝平臺(tái)特性，優(yōu)化編擦、擦除、回讀算法，采用內(nèi)部8bit BCH ECC設(shè)計(jì)，兼顧成本、性能和可靠性，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求。SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。

FM25S系列產(chǎn)品特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：512Mb~4Gbit
工作電壓范圍1.8V/3.3V；
工作溫度范圍-40℃~+85℃以及-40℃~+105℃擴(kuò)展級(jí)；
SPI高速單/雙/四口：104MHz(3.3V)/85MHz(1.8V)
支持內(nèi)置8 bit ECC，滿足客戶Error-Free需求
高可靠性：
Endurance：6萬擦寫次數(shù)
Data Retention：10年
封裝支持TDFN5X6/TDFN6X8等多種封裝形式。

FM29F系列產(chǎn)品特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：2Gb~8G bit
工作電壓范圍1.8V/3.3V；
工作溫度范圍-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃擴(kuò)展級(jí)；
兼容ONFI 1.0標(biāo)準(zhǔn)：50MHz(3.3V)/ 33MHz(1.8V)
支持內(nèi)置8 bit ECC，滿足客戶Error-Free需求
高可靠性：
Endurance：6萬擦寫次數(shù)
Data Retention：10年
封裝支持BGA63/TSOP48等多種封裝形式。

下一階段，復(fù)旦微電SLC NAND Flash存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋512Mbit~16Gbit容量， 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作頻率將擴(kuò)展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式，16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口，可滿足客戶更快讀寫訪問速度需求。同時(shí)，全系產(chǎn)品會(huì)繼續(xù)提升耐寫性指標(biāo)，滿足客戶高工規(guī)的應(yīng)用。 

FM24/FM25系列串行EEPROM存儲(chǔ)器

本次復(fù)旦微電推出國內(nèi)首款低功耗超寬電壓FM24LN系列I2C串行EEPROM存儲(chǔ)器、FM24N/25N寬電壓高可靠I2C/SPI串行EEPROM，以及FM24C/FM25車規(guī)EEPROM三個(gè)系列的新產(chǎn)品。

復(fù)旦微電產(chǎn)品經(jīng)理周泉介紹道，產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)流片工藝平臺(tái)的特性，以及對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品工作原理的深刻理解，對(duì)EEPROM存儲(chǔ)器讀寫電路進(jìn)行了特別的優(yōu)化設(shè)計(jì)，大幅度提升了產(chǎn)品的性能及可靠性，為客戶提供了更多的產(chǎn)品選擇，可以滿足CCM、白電、工控、儀表、醫(yī)療、5G通訊、車載等各種應(yīng)用領(lǐng)域需求。

FM24C/FM25系列車規(guī)產(chǎn)品已通過權(quán)威第三方測試認(rèn)證機(jī)構(gòu)——工業(yè)和信息化部電子第五研究所AEC-Q100 Grade 1車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，產(chǎn)品工作溫度擴(kuò)展至-40℃~+125℃。

FM24LN系列首發(fā)包含32K/64K/128Kbit三種容量的I2C串行EEPROM，產(chǎn)品支持1.1V~5.5V超寬工作電壓范圍，溫度覆蓋工規(guī)-40℃~+85℃，全電壓范圍內(nèi)均支持400KHz/1MHz工作頻率，5.5V下典型待機(jī)電流小于1uA，讀寫電流不超過0.8mA，產(chǎn)品滿足擦寫壽命≥400萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥100年的高可靠性要求，支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式。

FM24N系列首發(fā)包含64K/128K/256K/512Kbit四種容量的I2C串行EEPROM，產(chǎn)品支持1.7V~5.5V寬工作電壓范圍，溫度覆蓋工規(guī)-40℃~+85℃以及工規(guī)擴(kuò)展溫度-40℃~+125℃，支持400KHz/1MHz/3.4MHz工作頻率，寫電流≤2mA，讀電流≤0.6mA，產(chǎn)品滿足擦寫壽命≥400萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥200年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式。

FM25N系列首發(fā)包含64K/128K/256K/512Kbit四款容量，產(chǎn)品支持1.7V~5.5V寬工作電壓范圍，溫度覆蓋工規(guī)-40℃~+85℃以及工規(guī)擴(kuò)展溫度-40℃~+125℃，支持5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V)工作頻率，寫電流≤2mA，讀電流≤5mA@5.5V/20MHz，產(chǎn)品滿足擦寫壽命≥400萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥200年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式。

FM24CXXX系列車規(guī)產(chǎn)品首發(fā)包含128K/256K/512Kbit三款容量產(chǎn)品，產(chǎn)品通過了嚴(yán)苛的AEC-Q100 Grade1認(rèn)證，產(chǎn)品支持1.7V~5.5V超寬工作電壓范圍，工作溫度范圍-40℃~+125℃，支持400KHz/1MHz工作頻率，寫電流≤3mA，讀電流≤1mA，產(chǎn)品滿足擦寫壽命≥100萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥40年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式，產(chǎn)品濕敏等級(jí)為MSL1。

FM25XXX系列車規(guī)產(chǎn)品首發(fā)包含64K/512Kbit兩款容量產(chǎn)品，產(chǎn)品通過了嚴(yán)苛的AEC-Q100 Grade1認(rèn)證，產(chǎn)品支持1.8V~5.5V超寬工作電壓范圍，工作溫度范圍-40℃~+125℃，最高支持20MHz工作頻率，寫電流≤3mA，讀電流≤5mA，產(chǎn)品滿足擦寫壽命≥100萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥40年的高可靠性要求，支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式，產(chǎn)品濕敏等級(jí)為MSL1。

FM24LN32/64/128產(chǎn)品特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：32K/64K/128Kbit
工作電壓范圍1.1V~5.5V；
工作溫度范圍-40℃~+85℃；
全電壓范圍內(nèi)兼容400KHz/1MHz時(shí)鐘；
串行接口符合I2C規(guī)范；
IO電壓與芯片VCC相同，同時(shí)兼容1.2V/1.8V/3.3V/5V等主流電壓應(yīng)用。
具有軟件保護(hù)功能（SWP）；
工作溫度范圍-40℃~+85℃；
具備器件地址可配置功能，支持I2C總線上最多掛8顆EEPROM；
輸入腳經(jīng)施密特觸發(fā)器濾波抑制噪聲；
具有字節(jié)寫、頁寫、當(dāng)前地址讀、自由讀、順序讀等操作模式；
擦寫時(shí)間內(nèi)部定時(shí)（max 5ms）；
128 bit由廠家編寫的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼，方便產(chǎn)品溯源。
額外的一頁Security Sector安全區(qū)，用戶可讀寫，可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫入，方便產(chǎn)品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：400萬擦寫次數(shù)
Data Retention：100年
封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP/WLCSP等封裝，其中WLCSP封裝支持400um*400um及400um*500um Ball Pitch兩種規(guī)格。

FM24N64/128/256/512產(chǎn)品特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：64K/128K/256K/512Kbit
工作電壓范圍1.7V~5.5V；
工作溫度范圍-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(擴(kuò)展)；
支持400KHz/1MHz/3.4MHz時(shí)鐘頻率；
串行接口符合I2C規(guī)范；
內(nèi)置ECC糾錯(cuò)邏輯；
支持硬件保護(hù)功能；
總線上最多支持8顆EEPROM尋址；
輸入腳經(jīng)施密特觸發(fā)器濾波抑制噪聲；
具有字節(jié)寫、頁寫、當(dāng)前地址讀、自由讀、順序讀等操作模式；
擦寫時(shí)間內(nèi)部定時(shí)（max 5ms）；
128 bit由廠家編寫的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼，方便產(chǎn)品溯源。
額外的一頁Security Sector安全區(qū)，用戶可讀寫，可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫入，方便產(chǎn)品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：400萬擦寫次數(shù)
Data Retention：200年
封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝。

FM25N64/128/256/512產(chǎn)品特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：64K/128K/256K/512Kbit
工作電壓范圍1.7V~5.5V
工作溫度范圍-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(擴(kuò)展)；
工作頻率5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V)；
支持SPI Mode 0 (0,0)及Mode 3 (1,1)；
內(nèi)置ECC糾錯(cuò)邏輯；
支持1/4空間、1/2空間、全空間寫保護(hù)；
支持軟、硬件寫保護(hù)功能；
支持字節(jié)頁及頁寫模式；
擦寫時(shí)間內(nèi)部定時(shí)（max 5ms）；
128 bit由廠家編寫的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼，方便產(chǎn)品溯源。
額外的一頁Security Sector安全區(qū)，用戶可讀寫，可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫入，方便產(chǎn)品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：400萬擦寫次數(shù)
Data Retention：200年
封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝。

FM24C128EA1/FM24C256EA1/FM24C512DA1車規(guī)產(chǎn)品特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：128K/256K/512Kbit
符合AEC-Q100 Grade1；
工作電壓范圍1.7V~5.5V；
工作溫度范圍-40℃~+125℃；
支持400KHz/1MHz時(shí)鐘頻率；
串行接口符合I2C規(guī)范；
支持硬件保護(hù)功能；
總線上最多支持8顆EEPROM尋址；
輸入腳經(jīng)施密特觸發(fā)器濾波抑制噪聲；
具有字節(jié)寫、頁寫、當(dāng)前地址讀、自由讀、順序讀等操作模式；
擦寫時(shí)間內(nèi)部定時(shí)（max 5ms）；
128 bit由廠家編寫的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼，方便產(chǎn)品溯源。
額外的一頁Security Sector安全區(qū)，用戶可讀寫，可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫入，方便產(chǎn)品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：100萬擦寫次數(shù)
Data Retention：40年
封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝，濕敏等級(jí)：MSL1。

FM25640A1/FM25512A1產(chǎn)品特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：64K/512Kbit
符合AEC-Q100 Grade1；
工作電壓范圍1.8V~5.5V；
工作溫度范圍-40℃~+125℃；
工作頻率最高支持20MHz(FM25640A1)、16MHz(FM25512A1)；
支持SPI Mode 0(0,0)及Mode 3(1,1)；
支持1/4空間、1/2空間、全空間寫保護(hù)；
支持軟、硬件寫保護(hù)功能；
支持字節(jié)頁及頁寫模式；
擦寫時(shí)間內(nèi)部定時(shí)（max 5ms）；
128 bit由廠家編寫的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼，方便產(chǎn)品溯源。
額外的一頁Security Sector安全區(qū)，用戶可讀寫，可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫入，方便產(chǎn)品管控及溯源)
高可靠性：
Endurance：100萬擦寫次數(shù)
Data Retention：40年
封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝。

下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。其中FM24N全系列新品最高工作頻率將擴(kuò)展到I2C總線規(guī)范的3.4MHz的High speed（HS Mode）模式，可滿足客戶更快讀寫訪問速度需求。I2C、SPI接口EEPROM的全系列容量產(chǎn)品計(jì)劃于年內(nèi)完成AEC-Q100 Grade1車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，本次發(fā)布EEPROM新品將陸續(xù)啟動(dòng)量產(chǎn)。

發(fā)布會(huì)最后，工業(yè)和信息化部電子第五研究所汽車電子行業(yè)經(jīng)理王健分享了題為《車規(guī)“芯”形式下的質(zhì)量保障》的主題演講。王健表示，近幾年來車規(guī)芯片快速發(fā)展，五所與客戶開發(fā)并應(yīng)用“5A+CA關(guān)鍵分析評(píng)價(jià)”質(zhì)量工程體系，在研制轉(zhuǎn)批量生產(chǎn)前有效識(shí)別、定位、改善解決潛在的設(shè)計(jì)、材料、結(jié)構(gòu)、工藝等缺陷，提升成品率、可靠性、穩(wěn)定性和一致性，提升企業(yè)品牌和競爭力。五所在與復(fù)旦微電的合作中，對(duì)存儲(chǔ)芯片、MCU、安全與識(shí)別等一系列產(chǎn)品開展車規(guī)測試認(rèn)證服務(wù)合作。未來，五所將持續(xù)和復(fù)旦微攜手并進(jìn)，砥礪前行。