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兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

中國北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應對大容量代碼存儲需求的同時，提供極大限度的緊湊型設計自由。近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護、網(wǎng)通等應用的快速發(fā)展，市場需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
關鍵字：兆易創(chuàng)新超小尺寸 SPI NOR Flash

NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐

據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
關鍵字： NAND 閃存主控芯片

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
關鍵字： 3D NAND

復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、
關鍵字：復旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器

先進封裝推動 NAND 和 DRAM 技術進步

先進封裝在內(nèi)存業(yè)務中變得越來越重要。
關鍵字：封裝 NAND DRAM

英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監(jiān)測儀、無人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業(yè)應用不斷涌現(xiàn)，有助于實現(xiàn)精準跟蹤、記錄關鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍牙耳
關鍵字：英飛凌 SEMPER Nano NOR Flash 閃存

預估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

即便原廠持續(xù)進行減產(chǎn)，然需求端如服務器、智能手機、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預估，第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復供需平衡的關鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
關鍵字：集邦 NAND Flash

2023年內(nèi)存芯片趨勢

2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時止跌還是未知數(shù)。
關鍵字：存儲芯片 DRAM NAND

NAND Flash 大降價，固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費者來說，我們確實能買到更便宜的固態(tài)
關鍵字： NAND Flash

內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
關鍵字： DRAM NAND

(2023.3.20)半導體周要聞－莫大康

半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步。
關鍵字：莫大康半導體華為光刻機 NAND

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
關鍵字：存儲器 DRAM NAND Flash

存儲大廠展示300層NAND Flash，預計最快2024年問世

近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內(nèi)上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
關鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士

(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步
關鍵字：半導體莫大康華為 NAND 光刻機

均價跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%，平均銷售單價環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%，達
關鍵字：集邦 NAND Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]