三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
10月9日,韓國總統(tǒng)辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準(zhǔn)的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,該決定一經(jīng)通報即生效。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202310/451424.htm據(jù)悉,無限期豁免將通過更新Validated End-User(VEU)清單來取得。若被納入該清單,便無需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。
三星在一份聲明中表示,“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào),與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?!?a class="contentlabel" href="http://2s4d.com/news/listbylabel/label/SK海力士">SK海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將有助于穩(wěn)定全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。”
據(jù)悉,去年下半年,美國政府接連發(fā)布美國《芯片法案》和更廣泛的半導(dǎo)體出口管制新規(guī),限制對中國的芯片出口,并擴(kuò)大到國外芯片企業(yè)的投資風(fēng)險。
2022年10月7日,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)發(fā)布一套新的、范圍廣泛的出口管制措施。不僅將31家中國企業(yè)和機構(gòu)列入所謂“未經(jīng)核實的名單”(UVL),而且還對向中國出口先進(jìn)人工智能(AI)和超算芯片制造、生產(chǎn)設(shè)備以及所需的某些工具實施新限制。
其中,涉及16nm/14nm以下先進(jìn)制程的邏輯芯片、制造設(shè)備,以及18nm以下的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和128層以上的NAND存儲半導(dǎo)體產(chǎn)品等。新規(guī)要求,三星、高通等廠商如果將上述技術(shù)和半導(dǎo)體產(chǎn)品出口到中國,之前必須獲得美國政府的許可。
上述兩個措施是韓國經(jīng)濟(jì)的“最大懸案”,因為三星和SK海力士在中國工廠的生產(chǎn)比重超過40%,韓國芯片企業(yè)在中國的銷售比重很高。
去年11月左右,美國政府對臺積電、三星電子、SK海力士等企業(yè)給予為期一年許可證,給予出口許可的例外措施,希望逐步退出在華先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)備的投入。但臨時措施無法滿足企業(yè)需求,因此韓國政府為了進(jìn)一步延長該措施,與美國政府進(jìn)行了緊密的協(xié)商。
三星和SK海力士分別是全球最大和第二大的存儲芯片制造商,TrendForce統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,截至6月底,上述兩家半導(dǎo)體生產(chǎn)商合計控制著全球近70%的DRAM市場和50%的NAND閃存市場。
值得注意的是,三星和SK海力已在中國投資數(shù)十億美元建設(shè)芯片生產(chǎn)設(shè)施。據(jù)路透社報道,三星約40%的NAND閃存芯片在西安工廠生產(chǎn);SK海力士則在無錫、重慶和大連設(shè)有工廠,約40%的DRAM芯片在無錫生產(chǎn),20%的NAND閃存芯片在大連生產(chǎn)。
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