三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，DRAM 和 NAND 閃存的合同市場價格將在 2023 年第三季度繼續(xù)下跌，盡管降幅有所放緩。

自 2022 年初以來存儲下游需求不振引發(fā)供需錯配，廠商競相出貨導(dǎo)致存儲價格持續(xù)下探。2023 Q1 存儲產(chǎn)品價格繼續(xù)下跌，伴隨下游筆記本電腦需求回暖、AI 應(yīng)用浪潮襲來與汽車市場景氣度上升，疊加龍頭企業(yè)減產(chǎn)停止價格跌勢，預(yù)計價格環(huán)比跌幅將持續(xù)縮小。

部分 DRAM 價格止跌

據(jù)臺媒報道，在智能手機、PC 上用于暫時儲存數(shù)據(jù)的 DRAM 價格止跌，而此可能是因為存儲大廠減產(chǎn)、導(dǎo)致市場庫存減少所致。2023 年 5 月份指標(biāo)性產(chǎn)品 DDR4 8Gb 批發(fā)價（大宗交易價格）為每個 1.48 美元左右、同于前一個月份（2023 年 4 月）水準(zhǔn)，結(jié)束連 12 個月下跌局面；容量較小的 4Gb 產(chǎn)品價格為每個 1.1 美元左右，同于前一個月份水準(zhǔn)，結(jié)束連 12 個月下跌局面。

DRAM 批發(fā)價格為存儲廠商和客戶間每個月或每季敲定一次。

報道指出，美光、SK 海力士于 2022 年秋天表明減產(chǎn)，龍頭廠三星也在今年 4 月宣布減產(chǎn)，而隨著各家廠商減產(chǎn)、市場庫存持續(xù)進(jìn)行調(diào)整。半導(dǎo)體商社負(fù)責(zé)人指出，需求穩(wěn)健的資料中心相關(guān)庫存已呈現(xiàn)適當(dāng)水平。美光科技此前曾表示，AI 服務(wù)器對 DRAM 和 NAND 的容量需求分別是常規(guī)服務(wù)器的 8 倍和 3 倍。

近日，有市場消息稱，存儲芯片三大原廠擬在下季拉動 DRAM 價格上漲。業(yè)內(nèi)人士表示，目前三大原廠都想要拉高合約價，目標(biāo)漲幅 7%~8%。雖然仍有庫存以及終端需求未見明顯復(fù)蘇的跡象，但進(jìn)入拉扯的角力戰(zhàn)，至少代表產(chǎn)業(yè)落底、復(fù)蘇有望。此外，美光科技公布的 2023 財年第三財季業(yè)績超出市場預(yù)期，對存儲芯片板塊形成利好刺激。

日本電子情報技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會（JEITA）6 月 6 日發(fā)布新聞稿指出，根據(jù) WSTS 最新公布的預(yù)測報告顯示，因智能手機、PC 需求疲弱，導(dǎo)致存儲需求預(yù)估將呈現(xiàn)大幅減少，因此 2023 年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)估將年減 10.3% 至 5,150.95 億美元，其中存儲銷售額預(yù)估將暴減 35.2% 至 840.41 億美元。

WSTS 預(yù)估，2024 年全球半導(dǎo)體銷售額將年增 11.8% 至 5,759.97 億美元，將超越 2022 年的 5,740.84 億美元，創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，其中，存儲銷售額預(yù)估將暴增 43.2% 至 1,203.26 億美元。

6 月份 NAND 市場將發(fā)生轉(zhuǎn)變

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已經(jīng)通知模塊客戶，將提高 NAND 晶圓的官方報價。此外，如果消費電子市場需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報價有望企穩(wěn)。之前三星和 SK 海力士已在尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5%，并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下，一些品牌 SSD 價格已接近 HDD 價格。

另據(jù) TrendForce 調(diào)查報告顯示，5 月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高 NAND 晶圓報價，對于中國市場報價均已略高于 3-4 月成交價。

TrendForce 預(yù)測，NAND 閃存價格將從今年第三季度開始上漲，預(yù)計漲幅約為 0-5%。預(yù)計 2023 年第四季度價格增長率將進(jìn)一步擴大到 8%-13%。然而，對于固態(tài)硬盤、eMMC 和 UFS 等產(chǎn)品，仍然需要促銷活動來清理庫存，目前沒有價格上漲的跡象。

相較其他買方，中國模組廠持續(xù)建立低價庫存的意愿較強，因此目前對原廠小幅調(diào)漲晶圓報價的接受度高，有分析師認(rèn)為部分容量晶圓價格在中國市場將會率先止跌翻漲。若其他市場也出現(xiàn)接受價格合理調(diào)漲，原廠上調(diào)晶圓報價的趨勢將獲得有效支撐，使得買方采購策略轉(zhuǎn)趨積極，進(jìn)一步支撐后續(xù)晶圓價格上漲。

今年 6 月 7 日，SK 海力士宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其 238 層 NAND 存儲設(shè)備，有望實現(xiàn)高性能和高容量的固態(tài)硬盤。新芯片擁有 2400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，可用于驅(qū)動下一代最佳固態(tài)硬盤，高速型號將采用 PCIe5.0x4 接口，并提供 12GB/s 或更高的順序讀/寫速度。該公司首款 238 層 3D NAND 器件是一款 512Gb(64GB) 的 3D TLC 設(shè)備，與該公司 176 層 3D NAND 節(jié)點上制造的可比設(shè)備相比，制造效率高出 34%。SK 海力士計劃首先在智能手機上使用這種新的 238 層內(nèi)存，然后在其他產(chǎn)品組合中推廣使用。