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IGBT靜態(tài)特性與參數(shù)及電路圖

  • IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示,與GTR的伏安特性基本相似,不同的是,控制參數(shù)是柵源電壓,而不是基極電流。...
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IGBT的保護(hù)及電路圖

  • IGBT的保護(hù)措施,主要包括過壓保護(hù)和過流保護(hù)兩類。使用中,對于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓,可以采用適當(dāng)?shù)木彌_回路抑制它,使器件免于損壞。...
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VMOS、IGBT逆變充電電路圖

  • 逆變器中的開關(guān)元件選用VMOS或IGBT時,組成的充電電路,比用晶閘管作開關(guān)元件的充電電路的工作頻率高。
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中國IGBT產(chǎn)品首次單獨(dú)批量打入海外機(jī)車市場

  • IGBT芯片技術(shù)含量極高,制造難度非常大,其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。
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IGBT的驅(qū)動與保護(hù)電路

  • 由綜合放大電路板(ZHFD)產(chǎn)生的輸出信號被送入SG3526,產(chǎn)生PWM脈沖,此信號與反饋信號進(jìn)行邏輯運(yùn)算后送入HL403B厚膜驅(qū)動器,當(dāng)IGBT產(chǎn)生過流、短路故障時,借助于IGBT內(nèi)部的短路、欠飽和、軟關(guān)斷、降柵壓保護(hù)功能,保護(hù)信號通過光...
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全橋型IGBT電源主電路圖

  • 圖示出電源主電路,V1—V4組成橋式逆變器,兩端并聯(lián)RCD吸收支路,L為限流電感,Co為儲能電容,Lo用于限制Co對負(fù)載氙燈的放電電流,保護(hù)氙燈。圖全橋型IGBT電源主電路圖...
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IPM門極驅(qū)動隔離電路

  • IPM門極驅(qū)動隔離電路見圖3,它實(shí)現(xiàn)對80C196MC的6路WM信號與IPM的光電隔離,并實(shí)現(xiàn)驅(qū)動和電平轉(zhuǎn)換功能。光藉采用6N137,這是一種快速光耦,三極管N為9014,供電電壓為15V,該三極管將來自光藉的TTL電平轉(zhuǎn)換為IPM的門極驅(qū)動信...
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igbt保護(hù)電路

  • igbt保護(hù)電路短路保護(hù)電路的設(shè)計:由對圖1所示電路的分析,可以得到igbt短路保護(hù)電路的原理
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IGBT短路保護(hù)電路原理圖

  • IGBT短路保護(hù)電路原理圖IGBT資料下載igbt工作原理
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120mA輸出電流的IGBT驅(qū)動器電源QAxx1系列

  •   QAxx1系列產(chǎn)品是專為IGBT驅(qū)動器而設(shè)計的DC-DC電源模塊。該系列產(chǎn)品充分結(jié)合了驅(qū)動IC的特點(diǎn),提供不對稱輸出電壓+15/-8VDC,可以最大限度地降低驅(qū)動損耗。其輸出電流高達(dá)120mA,可滿足大范圍的IGBT驅(qū)動器功率要求。該系列產(chǎn)品效率高達(dá)81%,可在-40℃~+105℃溫度下工作,具有超小隔離電容6PF,最大容性負(fù)載1000uF、隔離電壓3000VAC等特性。該系列產(chǎn)品具有12VDC、15VDC、24VDC輸入電壓規(guī)格可選,目前已全面上市。   應(yīng)用方案:     
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電動汽車逆變器用IGBT驅(qū)動電源設(shè)計研究

  •   電動汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動力,IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動電路的設(shè)計與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽能逆變器的驅(qū)動電路有更為苛刻的技術(shù)要求,其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制,面臨諸多挑戰(zhàn)。本文設(shè)計一種驅(qū)動供電電源,并通過實(shí)際測試證明其可用性。   常見的驅(qū)動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計。由于反激電源在開關(guān)關(guān)斷期間才向負(fù)載提供能量輸出的固有特性,使得其電流輸出特性和瞬態(tài)控制特性相對來說都比較
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英飛凌RC-E系列單管IGBT可直接升級現(xiàn)有設(shè)計,樹立性價比新基準(zhǔn)

  •   感應(yīng)加熱電器通常采用諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),需要單管IGBT在18 kHz至40 kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出最佳性能。英飛凌科技股份公司推出能夠滿足這些需求的全新單管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能經(jīng)專門優(yōu)化,可滿足高性價比電磁爐和電磁電飯煲的需求。   單片集成逆導(dǎo)二極管   全新RC-E系列IGBT采用單片集成逆導(dǎo)二極管實(shí)現(xiàn)諧振開關(guān)。這有助于降低器件的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。更低損耗支持設(shè)計師更輕松實(shí)現(xiàn)感應(yīng)加熱電器的效率和功率目標(biāo),降低功耗,進(jìn)而降低消費(fèi)者的使用成本。該系列具備較低的關(guān)斷損耗(E
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4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用

  • 制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點(diǎn)是導(dǎo)通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
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智能IGBT門驅(qū)動耦合器接口ACPL-339J

  • 簡介ACPL-339J是一種先進(jìn)的智能IGBT門驅(qū)動耦合器接口,支持1.0A雙輸出,易于使用。ACPL-339J 經(jīng)獨(dú)特設(shè)計支持具有靈活電流額定值的MOSFET的電流緩沖器,使得系統(tǒng)設(shè)計師能夠更加輕松地通過互換MOSFET緩沖器和功率IGB
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Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換

  •   Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A),新型半橋IGBT模塊系列(1200V,600A)可為設(shè)計師提供顯著更高的額定電流,能夠依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)可靠、靈活地提供高效快速的開關(guān)速度。 該模塊的緊湊(152 x 62 x 17毫米)封裝可簡化熱管理,并支持更加簡單、精密的系統(tǒng)設(shè)計。 該多芯片模塊能夠降低焊點(diǎn)與PC電路板空間要求。 本次發(fā)布的產(chǎn)品采
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