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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt-ipm

意法半導(dǎo)體(ST)新推出貼裝智能低功耗模塊，節(jié)省高能效電機(jī)驅(qū)動電路的空間

  • 　　意法半導(dǎo)體SLLIMM?-nano系列IPM產(chǎn)品新增五款節(jié)省空間的貼裝智能功率模塊(IPM)，提供IGBT或MOSFET輸出選擇，用于電機(jī)內(nèi)置驅(qū)動器或其它的空間受限的驅(qū)動器，輸出功率范圍從低功率到最高100W?！　⌒履K的導(dǎo)通能效和開關(guān)能效都很高，特別是在最高20kHz硬開關(guān)電路內(nèi)表現(xiàn)更為出色。通過管理開關(guān)電壓和電流上升率?(dV/dt,?di/dt)，內(nèi)部柵驅(qū)動電路能夠?qū)㈦姶泡椛?EMI)抑制到最低。高散熱效率封裝提升產(chǎn)品的可靠性，支持無散熱器設(shè)計，同時2.7mm爬電距離和2.0
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  IPM  

智能功率模塊用于汽車高壓輔助電機(jī)負(fù)載應(yīng)用

  • 集成的智能功率模塊(IPM)將在汽車功能電子化中發(fā)揮關(guān)鍵作用，促成新一代緊湊的、高能效和高可靠性的電機(jī)驅(qū)動器，實(shí)現(xiàn)在內(nèi)燃機(jī)中省去耗能的機(jī)械式驅(qū)動負(fù)荷。IPM的主要促成元素有場截止溝槽IGBT、STEALTH 二極管、HVIC、LVIC和DBC技術(shù)等。
  • 關(guān)鍵字： IPM  智能功率模塊  汽車  電機(jī)驅(qū)動器  內(nèi)燃機(jī)  201707  

采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT

  • 　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應(yīng)用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應(yīng)用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！　∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標(biāo)準(zhǔn)TO-24
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  

面向單管IGBT的TRENCHSTOP? Advanced Isolation封裝

  • 　　英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術(shù)TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經(jīng)過性能優(yōu)化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標(biāo)準(zhǔn)和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應(yīng)用，如空調(diào)功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  

IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望

  • 　　2017年開年以來有這樣一些事件進(jìn)入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))實(shí)施管理辦公室驗(yàn)收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制”項(xiàng)目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預(yù)案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。 　　一直以來,IGBT技術(shù)被國外半導(dǎo)體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
  • 關(guān)鍵字： IGBT  新能源汽車  

基于風(fēng)電系統(tǒng)單體變流器的結(jié)構(gòu)應(yīng)用設(shè)計

  • 本文介紹了風(fēng)電變流器核心組成部分的單體變流器在機(jī)柜結(jié)構(gòu)設(shè)計中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點(diǎn)，本文進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計分析。主要內(nèi)容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護(hù)、結(jié)構(gòu)受力，以及可維護(hù)性等。
  • 關(guān)鍵字： 風(fēng)電變流器  IGBT  退火處理  

IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求

  • 　　IGBT驅(qū)動電路的作用：　　IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時,管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時,管子關(guān)斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
  • 關(guān)鍵字： IGBT  功率器件  

小小一顆IGBT如何撬動電動汽車逆變器？

  • 本文設(shè)計一種驅(qū)動供電電源，并通過實(shí)際測試證明其可用性。常見的驅(qū)動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器  汽車  

基于IGBT模塊的電能質(zhì)量治理設(shè)備能耗狀況及節(jié)能分析

  • 本文重點(diǎn)研究了基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先，對典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進(jìn)行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機(jī)理及降耗可行性路徑;最后，總結(jié)出現(xiàn)階段國內(nèi)基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備降低自身工作能耗的重點(diǎn)改進(jìn)方向。
  • 關(guān)鍵字： 電能質(zhì)量  能耗  節(jié)能  IGBT  APF  SVG  201706  

Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

  • 　　中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴(kuò)展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應(yīng)用。它們也適用于最新的三電平拓?fù)涔夥孀兤?，以及采?500 V新直流母線標(biāo)準(zhǔn)的光伏陣列。擴(kuò)展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
  • 關(guān)鍵字： Power Integrations  IGBT  

【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上
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提升IGBT自給率 給工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域一顆“中國芯”

  • 　　半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。 　　IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。 　　不過當(dāng)前全球IGBT市場，仍被日、歐、美等IDM
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三菱電機(jī)第7代IGBT技術(shù)

  • 為了應(yīng)對補(bǔ)貼下降帶來的影響，市場對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強(qiáng)。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會很大程度上彌補(bǔ)支付補(bǔ)貼的下降。因此，隨著市場的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會加快進(jìn)入到市場的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應(yīng)提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護(hù)成本。因此，新技術(shù)在光伏電站和光伏逆變器中的應(yīng)用需求將不斷加強(qiáng)，并且將促進(jìn)光伏發(fā)電行業(yè)的良性競爭和健康發(fā)展。
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī)  光伏逆變器  IGBT  

全新62mm封裝模塊實(shí)現(xiàn)更高功率密度

  • 　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應(yīng)歸功于將更大面積的芯片和經(jīng)改良的DCB襯底應(yīng)用于成熟的62 mm封裝而得以實(shí)現(xiàn)。1200 V阻斷電壓模塊的典型應(yīng)用包括：變頻器、太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器?！　?200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達(dá)到600A，1700 V
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  

“e星球”領(lǐng)先展商 系列報導(dǎo)——Alpha and Omega

  • 　　Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設(shè)計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,AOS提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理，工藝技術(shù)，電路設(shè)計及封裝設(shè)計上擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過將這些經(jīng)驗(yàn)整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設(shè)計的目標(biāo)是滿足日益增長的高產(chǎn)量，高效能產(chǎn)品的應(yīng)用需求，包括手提電腦、平板電視、
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