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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt-ipm

驅動電路頻率不足導致的IGBT失效分析

  • 　　在IGBT的使用過程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當驅動電路工作頻率相對IGBT開關頻率不足時，導致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進行正確全面的分析，才能找出問題的根源順利解決。幫助大家理解這種失效原因背后的原理?！　⊥ǔ碚f，限制輸出頻率的因素是響應速度和耗散功率。但是相比之下很多驅動產品的規(guī)定輸出頻率上限卻顯得小了很多。這是為什么呢?原因之一，是驅動器經過一次輸出翻轉后并不能馬上恢復穩(wěn)態(tài)。如果在驅動器進入穩(wěn)態(tài)前再次輸出翻轉，則會引發(fā)一些可靠性問題?！　”?/li>
  • 關鍵字： 驅動電路  IGBT  

電源的六大酷領域及動向

  • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數據中心電源，邀請部分領軍企業(yè)介紹了技術市場動向及新產品。
  • 關鍵字： SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數據中心  201604  

瑞薩電子推出第8代IGBT，以行業(yè)領先的超低損耗特性，提升系統(tǒng)功率

  • 　　瑞薩第8代IGBT：G8H系列2016年3月10日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)，于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產品，其可將用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的功率調節(jié)器中的轉換損耗降至最低，并減少不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的逆變器應用。推出的六種新產品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
  • 關鍵字： 瑞薩  IGBT  

淺析IGBT的檢測方法

  • 　　IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)　　一、用指針式萬用表對場效應管進行判別　　(1)用測電阻法判別結型場效應管的電極　　根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表
  • 關鍵字： IGBT  

【E課題】PWM“死區(qū)”的概念及基本原理

  • 　　死區(qū)就是在上半橋關斷后，延遲一段時間再打開下半橋或在下半橋關斷后，延遲一段時間再打開上半橋，從而避免功率元件燒毀?！　WM脈寬調制　　在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電子器件，比如igbt。這兩個igbt不能同時導通，否則就會出現短路的情況。因此，設計帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個器件同時導通。也就是說，當一個器件導通后關閉，再經過一段死區(qū)，這時才能讓另一個導通。　　死區(qū),簡單解釋　　通常,大功率電機、變頻器等，末端都是由大功率管
  • 關鍵字： PWM  IGBT  

Diodes柵極驅動器可在半橋或全橋配置下開關功率MOSFET與IGBT

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家用電器的驅動電機、工業(yè)自動化系統(tǒng)以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽能和風力發(fā)電應用的反相器。　　DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側驅動器，使之適用于在電機驅動器及電源常見
  • 關鍵字： Diodes  IGBT  

七年 “自主芯”從一片空白到世界一流

  • 愛之深、恨之切，因為我們太在意國芯的自強，所以才會怒其不爭，不能憑自己的實力說話，而是需借助外力，收購也許是最省力的辦法。
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

世強簽約國際橋堆領軍企業(yè)新電元 共拓工業(yè)汽車領域新版圖

  • 　　全球先進電子元件分銷商世強日前與國際橋堆制造領軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內的新電元全線產品?！　⌒?nbsp;電元工業(yè)株式會社于1949年成立以來，主要從事功率半導體和開關電源、電裝制品的制造和銷售，并以電力電子技術為主要領域。旗下的電源用肖特基二極管、橋堆等分立器件產品的市場占有率穩(wěn)居世界前列，在日本國內占95%的市場份額。其整流橋在全世界占有接近40%的市場份額，素有“橋王”之稱。　　新 電元的主打產品——
  • 關鍵字： 世強  IGBT  

Σ-Δ調制器提高運動控制效率

  • 　　工業(yè)運動控制涵蓋一系列應用，包括基于逆變器的風扇或泵控制、具有更為復雜的交流驅動控制的工廠自動化以及高級自動化應用(如具有高級伺服控制的機器人)。這些系統(tǒng)需要檢測多個變量，例如電機繞組電流或電壓、直流鏈路電流或電壓、轉子位置和速度。變量的選擇和所需的測量精度取決于終端應用需求、系統(tǒng)架構、目標系統(tǒng)成本或系統(tǒng)復雜度。還有其他考慮因素，例如狀態(tài)監(jiān)控等增值特性。據報道，電機占全球總能耗的40%，國際法規(guī)越來越注重全體工業(yè)運動應用的系統(tǒng)效率(參見圖1)?！　?nbsp;   　　圖1：工業(yè)
  • 關鍵字： 調制器  IGBT  

模擬信號的隔離方法有哪些

  • 　　模擬信號的隔離是非常頭疼的，有時候不得不需要隔離。大部分基于以下需要：　　1.隔離干擾源;　　2.分隔高電壓。　　隔離數字信號的辦法很多，隔離模擬信號的辦法卻沒有想象的那么多，關鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測量的場合，模擬信號的隔離，成本高得更加是離譜的無法想象。我從事這種系統(tǒng)開發(fā)多年，對自己所知道的隔離方法做個小小的總結：　　數字隔離方法：　　1. 光耦;　　2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數字代號，如 I2C的ADuM1250);　　3.自己用變壓器
  • 關鍵字： 模擬信號  IGBT  

Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產品S5系列IGBT率先登陸Mouser

  • 　　貿澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效?！　ouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關性能，可降低電路復雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統(tǒng)成本
  • 關鍵字： Infineon  IGBT  

IRS2005 HVIC壯大面向中低壓電機變頻器的英飛凌驅動IC產品陣容，帶來很高的電源效率并提高系統(tǒng)可靠性

  • 　　英飛凌科技股份公司進一步壯大其200 V驅動IC產品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅動IC能為具有嚴格空間限制的電機變頻器應用提供全面保護，比如電動園藝設備、高爾夫球車、電動工具及代步車等。IRS200x家族產品包括高邊和低邊驅動以及半橋式驅動，采用英飛凌成熟而強大的高壓結隔離(HVJI)工藝，以實現小型封裝，同時保持對負瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應用量身定制
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

最簡單易用的7管封裝IGBT模塊

  • 　　IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關速率快，導通態(tài)電壓低，關斷時阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機承受電流大的特點，目前已經成為電力電子行業(yè)的功率半導體發(fā)展的主流器件。IGBT已經由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現在的7管模塊。IGBT驅動設計上比較復雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅動電壓Uge和門極驅動電阻Rg，過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應加熱，逆變焊機電源，變頻器等領域。 　　
  • 關鍵字： Vincotech  IGBT  

中國高鐵最核心電能芯片成功國產：世界最高難度

  • IGBT這技術國內確實不夠，現在量產并使用在高鐵上，也是一大飛躍。
  • 關鍵字： 高鐵  IGBT  

IGBT開關式自并激微機勵磁系統(tǒng)的原理及應用

  • 　　1. 概述 　　HWKT—09型微機勵磁調節(jié)器是武漢洪山電工技術研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機勵磁調節(jié)器。它的最大特點是結構簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準16位單片機(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機上成功投運，目前運行良好。 　　2. IGBT自并激勵磁系統(tǒng)的組成及主回路原理 　　2.1 勵磁系統(tǒng)組成及接線方式 　　自并激勵磁系統(tǒng)也就
  • 關鍵字： IGBT  勵磁系統(tǒng)  
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