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意法半導體(ST)的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

- 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機驅(qū)動、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 采用意法半導體的第三代溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝,M系列IGBT有一個全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計的P-N-P垂直結(jié)構(gòu),可以在導通損耗和開關(guān)損耗之
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意法半導體(ST)新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管

- 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關(guān)頻率達到8kHz時,新系列雙極器件的導通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場新低,大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。 新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat)),可確保更低的壓降與最小的功率耗散,從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布,不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)
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英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片 可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性

- 英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導型IGBT,在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導型IGBT)IGBT芯片,非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機車,以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊,采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%,散熱性能也有所增強。因此,它可以延長產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性,進而最大限度降低系統(tǒng)維護工作量。 通過推出RCDC IGBT芯片,英飛凌進一步壯大其高性能6.5kV
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器

- 隨著綠色電力運動勢頭不減,包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用,以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求,電源設(shè)計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性,以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。 要為這些應(yīng)用以高效率生產(chǎn)所需的交流輸出電壓和電流,太陽能逆變器就需要控制、驅(qū)動器和輸出功率器件的正確組合。要達到這個目標,在這里展示了一個針對500W功率輸出進行優(yōu)化,并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設(shè)計。在這個設(shè)計中,有一個DC/D
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英飛凌推出新款Advantage系列 IGBT產(chǎn)品,為逆變焊機的持續(xù)發(fā)展注入動力
- 近年來,中國的逆變焊機技術(shù)已日趨成熟,逆變焊機本身的技術(shù)和性能在不斷提高,且得到各行業(yè)用戶的認可,并逐漸進入國際市場。作為功率半導體市場領(lǐng)軍者,英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗和創(chuàng)新實力,重視中國本土客戶的需求,全新推出針對于逆變焊機應(yīng)用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列,該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性價比,其品質(zhì)和可靠性達到英飛凌一貫高標準。 電焊機在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛,如焊接機器人、機械制造、造船、石油化工、電力建設(shè)、建筑業(yè)等,隨著對焊機的利用率的提高,這
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SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

- 摘要:本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響,并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點,推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。 關(guān)鍵詞:SiC Mosfet管;隔離驅(qū)動電路;驅(qū)動電源模塊;QA01C 一、引言 以Si為襯底的Mosfet管因為其輸入阻抗高,驅(qū)動功率小,驅(qū)動電路簡單,具有靠多數(shù)載流子工作導電特性,沒有少數(shù)載流子導電工作所需要的存儲時間,因而開關(guān)速度快,工作頻率
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一種智能型全自動快速充電機的設(shè)計

- 1 充電機的現(xiàn)狀 目前,礦用電機車蓄電池的充電,無論是恒流充電、恒壓充電或是先恒流再恒壓的分段式充電,都有一個共同的問題,就是這種小電流慢充方式,蓄電池初充需70小時以上,進行普通充電也需10小時以上,這種充電方式在充電過程的初期,充電電流遠小于蓄電池可接受的充電電流,因而拉長了充電時間,造成電能的浪費。而在充電過程的后期,充電電流又大于蓄電池可接受的電流,蓄電池內(nèi)部溫度升高,產(chǎn)生大量析氣,并形成內(nèi)部硫化結(jié)晶,大大縮短了蓄電池的循環(huán)使用壽命,甚至有可能永久性地損壞電池。這不僅造成了浪費,也增加了
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IGBT產(chǎn)業(yè)基地 有望掛上“國字號”牌子
- 今年省“兩會”期間,駐株省政協(xié)委員張國浩、余群明、謝一明等聯(lián)名提交了《關(guān)于在株洲建設(shè)IGBT項目千億產(chǎn)業(yè)園的建議》。5月22日,省經(jīng)信委有關(guān)人員就該建議來株答復委員。 正申報國家新型工業(yè)化示范基地 駐株省政協(xié)委員提出“將IGBT產(chǎn)業(yè)園作為省重點工業(yè)園”,省經(jīng)信委電子產(chǎn)業(yè)處副處長彭濤答復時表示,由于相關(guān)政策規(guī)定,IGBT產(chǎn)業(yè)建設(shè)產(chǎn)業(yè)園,可以以新型工業(yè)化示范基地或園中園形式建立。省經(jīng)信委將在項目用地、資金、政策等方面優(yōu)先保障。 據(jù)悉,目前,
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Power Integrations推出可替代光耦器的1200 V雙通道門極驅(qū)動核
- IGBT驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導者PowerIntegrations宣布推出適用于90 kW至500 kW逆變器和變頻器的2SC0115T2A0-12雙通道門極驅(qū)動核。新型驅(qū)動核采用SCALE?-2+集成電路以及適用于DC/DC電源和開關(guān)信號傳輸?shù)母綦x式變壓器技術(shù),并且無需采用光耦器,大大提高了系統(tǒng)的可靠性和性能。該驅(qū)動核的增強電氣隔離專門針對工作電壓900V的系統(tǒng),這種技術(shù)通常適用于1200V IGBT模塊,并且滿足IEC 60664-1和IEC 61800-5-1的PD2和OV II要求。2S
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英飛凌收購在韓合資企業(yè)全部已發(fā)行股份,進一步加強在家電市場的地位
- 英飛凌科技股份公司今天宣布收購LS Power Semitech Co., Ltd.所有已發(fā)行股份,這是一家英飛凌和韓國LS工業(yè)系統(tǒng)公司于2009年成立的合資公司。此次戰(zhàn)略收購將擴大英飛凌在不斷增長的智能功率模塊(IPM)市場領(lǐng)域的業(yè)務(wù)足跡,IPM可使冰箱、冰柜、洗衣機、干衣機和空調(diào)等家用電器的能效更高。 “功率半導體器件是我們致力于迎接全球能效挑戰(zhàn)的基石。在這個行業(yè),功能性整合是一個關(guān)鍵趨勢。隨著我們在IPM領(lǐng)域投入力度的加大,我們將全面投身這個快速成長并富有吸引力的市場。而我們在
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PWM調(diào)制技術(shù)下的陰影:諧波
- PWM調(diào)制技術(shù)可以說是電機行業(yè)的一項革命,它彌補了傳統(tǒng)異步電機和直流電機無法控制運行工況的短板,避免出現(xiàn)“大牛拉小車”的情況而造成的能源浪費。像應(yīng)用非常廣泛的“變頻器+電機”的驅(qū)動系統(tǒng)組合,相較于直接使用異步電機的方案,能節(jié)約30%以上的能源,因此廣泛應(yīng)用于風機、泵類等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域。 但PWM調(diào)制作為變頻器的核心技術(shù),它存在一個問題:隨著用戶對變頻器效率提升的要求,目前變頻器的PWM調(diào)制載波頻率從現(xiàn)在的幾KHz到上百KHz,在往更高的頻率在發(fā)展,大
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中國南車將收購全球第2大深海機器人供應(yīng)商
- 她是雪域神舟,將“坐著火車去拉薩”的夢想變成現(xiàn)實。 她是時代列車,在京滬高鐵線上留下“中國制造”震驚全球的高鐵第一時速。 她是澳大利亞礦石運輸?shù)闹髁姡窃谀戏秋L頭蓋過國際巨頭龐巴迪的中國火車頭,是哈薩克斯坦鐵路建成百年紀念郵票上最亮麗的風景,是國家領(lǐng)導人每逢出訪必然推銷的“中國制造”…… 她就是將高鐵打造成國家名片的中國南車。 縮小時空的時代列車 “小時候,電
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三相逆變中過壓IGBT損壞問題實例分析

- 在設(shè)計過程當中,電路報錯的情況時有發(fā)生。通常情況下只要按部就班的對錯誤進行排查,就能夠順利的解決問題,但有些時候,由于知識儲備的限制,很多錯誤就無法得到改善。本篇文章以一個三相逆變器電路中IGBT柵極過壓導致IGBT損壞問題為例,通過這個問題的解決,來幫助大家擴展知識。 圖1、圖2為主電路拓撲。三相四橋臂逆變器+LC濾波器。IGBT型號為:英飛凌耐壓1200V電流75A的IGBT.驅(qū)動芯片為:concept 2sc0108_17,耐壓為1700V.直流母線電壓由可調(diào)變壓器輸出經(jīng)整流橋整流再經(jīng)電容
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