意法半導(dǎo)體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到8kHz時(shí)，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機(jī)、工業(yè)電機(jī)等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。

　　新S系列擁有當(dāng)前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)，亦滿足更大功率應(yīng)用的要求。極低的電壓過沖和關(guān)斷零振蕩(zero oscillation)，幫助電源廠商使用更簡單的外部電路和更少的外部組件。

　　10µs最小短路耐受時(shí)間(在150°C初始結(jié)溫時(shí))，無閂鎖(latch-up free operation)效應(yīng)，擁有175°C最高結(jié)溫以及寬安全工作區(qū)。多項(xiàng)優(yōu)勢體現(xiàn)了新產(chǎn)品極強(qiáng)的耐用性和可靠性。

　　作為8kHz最高開關(guān)頻率硬開關(guān)拓?fù)涞睦硐脒x擇，新款S系列采用第三代溝柵式場截止(trench-gate field-stop)型制造工藝，補(bǔ)充并完善了意法半導(dǎo)體1200V IGBT的M系列和H系列的市場布局，M系列和H系列產(chǎn)品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關(guān)電源市場，與新款S系列一起，這三大系列產(chǎn)品將成為常用開關(guān)頻率電源廠商針對先進(jìn)、高能效IBGT器件的最佳選擇。

　　最新發(fā)布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個(gè)額定電流值，采用標(biāo)準(zhǔn)引腳或TO-247加長引腳封裝。全系產(chǎn)品標(biāo)配最新的內(nèi)部續(xù)流二極管(freewheeling diode)，兼?zhèn)淇焖倩謴?fù)和高恢復(fù)軟度，確保IGBT具有超低電磁干擾和導(dǎo)通損耗。