關鍵要點?FO引腳為錯誤輸出功能引腳，用于向外部通知內置保護功能的啟動情況，并會為自我保護而關斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時間因已啟動的保護功能類型而異，因此可以判別已啟動了哪種保護功能。這是本機型產品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過在FO引腳上連接RC并調整時間常數，可以擴展下橋臂各相IGBT的關斷時間。?當FO輸出經由隔離器件輸入至MCU時，在輸出時間隔離器件的傳輸延遲時間比FO輸出的L電平最短時間要長時，需要根據延遲情況來擴展FO輸出時間時，可使用該功能。本文將介紹“保護
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羅姆半導體 IGBT
IGBT是一種功率開關晶體管，結合了MOSFET和BJT的優(yōu)點，用于電源和電機控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）是傳統(tǒng)雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（MOSFET）的交叉產物，使其成為理想的半導體開關器件。IGBT晶體管結合了這兩種常見晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結合在一起，產生另一種類型的晶體管開關器件，能夠處理大的集電極-發(fā)射極電流，而幾乎不需要門極電流驅動。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
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絕緣柵雙極型晶體管，IGBT
上回書(英飛凌芯片簡史 http://2s4d.com/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數，從而實現極低的導通壓降和優(yōu)
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IGBT 電力電子
話說公元2018年，IGBT江湖驚現第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數代當家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰是誰?呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的。只能脫了衣服，做個“芯”臟手術。。。像這樣，在芯片上，橫著切一刀看看。好像，有點不一樣了。。。故事，就從這兒說起吧。。。史前時代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+ buffer，N- ba
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IGBT 芯片
鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據說其每單位運輸量的CO?排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網對運輸基礎設施的節(jié)能有很大的推動作用。一直以來，高速鐵路網在發(fā)達國家運輸基礎設施中承擔著重要的作用，而近年來在新興發(fā)展中國家也出現了鋪設高鐵的動向。日本已經實現高速鐵路網的實用化，擁有該項技術的國家則集聚官民各方力量，加強對正在探討鋪設的國家的推銷攻勢。在高鐵市場競爭過程中，除了高速性、安靜性、安全性之外，能否通過削減CO?實現碳中和等環(huán)境性能也成為需要納入視野的關鍵點
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碳中和 逆變器 IGBT
安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業(yè)內獨特的領先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
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功率半導體 onsemi IGBT
意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數據中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
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Microchip IGBT 7 功率器件
本文由英飛凌科技的現場應用工程師Marcel Morisse與高級技術市場經理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內元件數
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英飛凌 IGBT
全球正加速向電氣化轉型，尤其是在交通和基礎設施領域。無論是乘用車還是商用/農業(yè)車輛(CAV)，都在轉向電動驅動。國際能源署(IEA)2022 年的數據顯示，太陽能發(fā)電量首次超過風電，達到1300TWh。轉換能量需要用到逆變器和轉換器。太陽能光伏(PV)板產生直流電，而電網中運行的是交流電。電動汽車(EV)的情況類似，其主驅電池系統(tǒng)提供直流電，而發(fā)動機中的主驅電機需要交流電。在這兩種情況下，電力轉換過程的能效具有重要影響，因為任何能量損失都會轉化為熱量，這就需要風扇或散熱器等散熱措施，進而會擴大整體解決方案
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QDual3 電源轉換 IGBT
摘要本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結構減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結構可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800
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三菱電機 IGBT
引言近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術創(chuàng)新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。當前新能源汽車牽引逆變器的功率半導體器件幾乎都是基于單一的硅基(Si) 或者碳化硅基（SiC）。Si IGBT 或寬帶隙 SiC MOSFET功率半導體具有不同的性能特點，可以適合不同的目標應用。單一性質的IGBT器件或SiC器件在逆變器應用中很難同時滿足高效和成本的要求。如今越來越多的設計人員希望以創(chuàng)造性的
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英飛凌 IGBT
高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器，可能會產生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路（HVIC）是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路，驅動高壓、高速MOSFET 而設計?！陡邏簴艠O驅動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動級。柵極驅動器損耗
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MOSFET IGBT 柵極驅動器 功率耗散
碳排放量的根本源頭在于能源消耗的多寡與能源轉換效率的高低，特別是在電能轉換成熱能或冷能的家電產品上。為了鼓勵民眾使用高能效的家電產品，政府推出了使用一級能效等級家電即提供高額補助獎金的政策。目前市面上的冷氣機和冰箱已經廣泛采用變頻壓縮機技術，一級能效產品屢見不鮮，但高能效的電熱水器產品卻相對稀少。 熱泵熱水器是一種利用少量電能驅動壓縮機冷媒，并將冷媒轉態(tài)時產生的熱能傳送到貯水裝置以加熱水源，同時排出冷空氣的設備。其加熱效果大約是傳統(tǒng)能源（市電、天然氣、柴油）的三倍。與傳統(tǒng)電熱水器相比，熱泵熱水器
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世平 安森美 NFAL5065L4BT IPM 熱泵熱水器 壓縮機驅動器
如下圖，是IGBT產品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流?？梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個部分：1、關斷區(qū)：CE間電壓小于一個門檻電壓，即背面PN結的開啟電壓，IGBT背面PN結截止，無電流流動。2、飽和區(qū)：CE間電壓大于門檻電壓后，電流開始流動，CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升，這個區(qū)域稱為飽和區(qū)。因為IGBT飽和電壓較低，因此我們希望IGBT工作在飽和區(qū)域。3、線性區(qū)：隨著CE間電壓繼續(xù)上升，電流進一步增大。到一定臨界點后，CE電壓迅速增大，而集電極電流并不隨之增
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