igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模
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集中供電電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過(guò)半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無(wú)縫切換，使用電池充電電路對(duì)蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計(jì)的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
關(guān)鍵字：集中供電電源半橋拓?fù)?/a> 充電管理智能 202104 MOSFET IGBT

比亞迪半導(dǎo)體將發(fā)布新一代高性能IGBT

2018年比亞迪半導(dǎo)體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹(shù)立了國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)中高端IGBT芯片標(biāo)桿。歷時(shí)兩年積累沉淀，比亞迪半導(dǎo)體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著西安研發(fā)中心大樓的落成，也標(biāo)志著比亞迪半導(dǎo)體正式入駐中國(guó)“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購(gòu)了寧波中緯。中緯賬面上最有價(jià)值的東西是源自臺(tái)積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購(gòu)給還給比亞迪帶來(lái)了晶圓車間、技術(shù)團(tuán)隊(duì)等資源。當(dāng)時(shí)長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)半導(dǎo)體制造的重要基地。彼時(shí)這些資
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為何智能功率模塊會(huì)盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色

1? ?低碳時(shí)代驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的變革當(dāng)前，世界各國(guó)以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國(guó)也提出了碳達(dá)峰和碳中和的目標(biāo)，這對(duì)電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因?yàn)殡S著物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會(huì)增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進(jìn)一步提升，因此，近年來(lái)IPM（智能功率器件）開(kāi)始盛行。2? ?適合小功率電機(jī)的IPM?IPM的優(yōu)勢(shì)是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場(chǎng)為例，全球空調(diào)市場(chǎng)的出貨量這兩年約1.5億臺(tái)
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

1? ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機(jī)在現(xiàn)代生活中無(wú)處不在，從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國(guó)際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機(jī)占全球總電力消耗的45％，因此電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的可靠性和能效會(huì)對(duì)世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人是電機(jī)最重要的應(yīng)用之一，隨著傳統(tǒng)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人和自主移動(dòng)機(jī)器人的采用，我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動(dòng)化。一種提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
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基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應(yīng)加熱設(shè)計(jì)

電磁感應(yīng)加熱在小家電市場(chǎng)(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來(lái)越多客戶的需求。本文設(shè)計(jì)了一款2.1 kW電磁感應(yīng)加熱平臺(tái)。搭載了英飛凌自帶保護(hù)IPD Protect，XMC單片機(jī)和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓?fù)洳捎脝味瞬⒙?lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實(shí)現(xiàn)了IPD Protect的快速過(guò)流保護(hù)，過(guò)壓保護(hù)，過(guò)溫報(bào)警和保護(hù)，輸入電壓欠壓保護(hù)和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)點(diǎn)可以根據(jù)系統(tǒng)要求來(lái)調(diào)節(jié)。同時(shí)，
關(guān)鍵字：感應(yīng)加熱 IPD Protect IGBT 小家電 TRENCHSTOP 202102

電動(dòng)車用大功率 IGBT 模塊測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據(jù)iHS預(yù)測(cè)，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。增長(zhǎng)的市場(chǎng)空間被行業(yè)專家拆解成兩個(gè)方面：折舊帶來(lái)的替換市場(chǎng)以及電氣化程度加深帶來(lái)的新增市場(chǎng)。既然新增市場(chǎng)源于電氣化程度的加深，那
關(guān)鍵字： IT6862A IT6015D-80-450 電動(dòng)車用大功率 IGBT 模塊測(cè)試

科索為中型機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

科索有限責(zé)任公司近日宣布擴(kuò)大其為中型機(jī)器人和工廠自動(dòng)化設(shè)計(jì)的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開(kāi)放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化定制?；谝粋€(gè)獨(dú)特的概念，科索RBC300F系列提供三個(gè)可配置隔離輸出，其中一個(gè)具有增強(qiáng)隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過(guò)EN62477-1過(guò)電壓類別（OVC）Ⅲ認(rèn)證，當(dāng)連接到配電板時(shí)，通過(guò)減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡(jiǎn)化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計(jì)過(guò)程，同時(shí)降低了成本。RBC3
關(guān)鍵字： OVC IGBT COSEL RBC300F 對(duì)流冷卻設(shè)計(jì)

推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

隨著電動(dòng)汽車（EV）數(shù)量的增加，對(duì)創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長(zhǎng)，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動(dòng)汽車相比，新型電動(dòng)汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)，快速DC充電站可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗
關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT

一種電動(dòng)汽車能量回饋下IGBT保護(hù)策略優(yōu)化及驗(yàn)證

　　舒暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽蕪湖 241002）　　摘要：針對(duì)電動(dòng)汽車在能量回饋時(shí)，動(dòng)力電池高壓繼電器異常斷開(kāi)的特殊工況下，提出了一種IGBT保護(hù)策略優(yōu)化方案，快速檢測(cè)因動(dòng)力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制保護(hù)IGBT模塊。本文通過(guò)臺(tái)架實(shí)驗(yàn)對(duì)比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過(guò)實(shí)車驗(yàn)證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護(hù)策略能更快地檢測(cè)到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險(xiǎn)?！　￡P(guān)鍵詞：電動(dòng)汽車；能量回饋；IGBT　　0 引言　　傳統(tǒng)汽車
關(guān)鍵字： 202007 電動(dòng)汽車能量回饋 IGBT

新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
關(guān)鍵字：電源 SiC IGBT GaN

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率

本文將強(qiáng)調(diào)出無(wú)論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來(lái)看,工業(yè)傳動(dòng)不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)。摘要由于電動(dòng)馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神,來(lái)強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標(biāo)準(zhǔn)。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動(dòng)通常採(cǎi)用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開(kāi)發(fā)的碳化
關(guān)鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機(jī)功率損耗

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出型號(hào)為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設(shè)計(jì)用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。并計(jì)劃于今日開(kāi)始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級(jí)安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動(dòng)帶方波輸入信號(hào)的無(wú)刷直流電機(jī)，無(wú)需PWM控制
關(guān)鍵字： IPD IGBT IC