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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）

IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飛凌的IGBT數(shù)據(jù)手冊通常包含以下內(nèi)容：1. 封面，包括器件編號，IGBT技術(shù)的簡短描述，如果是帶共封裝續(xù)流二極管的器件，數(shù)據(jù)手冊也會包括二極管的功能，關(guān)鍵參數(shù)，應(yīng)用以及基本的封裝信息。2. 最大額定電氣參數(shù)和IGBT熱阻/二極管熱阻3. 室溫下的電氣特性，包括靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)4. 25°C和150°C或175°C時的開關(guān)特性5. 電氣特性
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IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？

柵極驅(qū)動中最關(guān)鍵的時刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關(guān)損耗。柵極驅(qū)動中最關(guān)鍵的時刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關(guān)損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅(qū)動組件上圖展示的是來自Diodes的DGD0216柵極驅(qū)
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？

提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching）和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。今天我就來嘮一嘮IGBT在軟開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。長期以來，IGBT給人的印象就如農(nóng)
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如何抑制IGBT集電極過壓尖峰

在過去的文章中，我們曾經(jīng)討論過IGBT在關(guān)斷的時候，集電極會產(chǎn)生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？）。IGBT關(guān)斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應(yīng)力。哪怕這電壓尖峰時間很短，也可能對IGBT造成永久性損壞。di/dt與IGBT芯片特性有關(guān)，也與關(guān)斷時器件電流有關(guān)。當(dāng)器件在短路或者過流狀態(tài)下關(guān)斷時，集電極電壓過沖會格外大，有可能超過額定值，從而損壞IGBT。所以如何抑制
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功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗

IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時間，驅(qū)動保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
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具有故障存儲功能的數(shù)字化IGBT驅(qū)動器的設(shè)計(jì)

摘要：針對軌道交通領(lǐng)域IGBT的使用要求，設(shè)計(jì)了一款基于可編程邏輯器件并具有故障存儲功能的數(shù)字化驅(qū)動器。文章介紹了驅(qū)動器總體方案，設(shè)計(jì)了多電壓軌電源系統(tǒng)；分析了異常驅(qū)動信號對IGBT正常工作的危害，并通過軟件算法實(shí)現(xiàn)了短脈沖抑制與超頻保護(hù)；電源欠壓會導(dǎo)致IGBT開關(guān)異常，使用欠壓檢測芯片進(jìn)行檢測并在發(fā)生欠壓故障時進(jìn)行脈沖封鎖；針對短路故障，使用退飽和電路檢測并結(jié)合軟件時序進(jìn)行保護(hù)；詳細(xì) 分析了IGBT開關(guān)過程各階段的不同特性，設(shè)計(jì)了可優(yōu)化開關(guān)性能的多等級開關(guān)電路；通過存儲芯片與可編程邏輯
關(guān)鍵字： 202206 存儲數(shù)字化 IGBT 驅(qū)動器

驅(qū)動電機(jī)控制器IGBT驅(qū)動電源設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

摘要：本文介紹了一種新能源電動汽車上用驅(qū)動電機(jī)控制器IGBT驅(qū)動電源方案的設(shè)計(jì)分析及其驗(yàn)證，通過對基本Buck-boost拓?fù)溲芯孔儞Q到Flyback電路，通過對LTC1871電流驅(qū)動芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)、分析，設(shè)計(jì)反激變壓器參數(shù)目標(biāo)需求匹配驅(qū)動電路，通過PWM供電、NMOS驅(qū)動、電流檢測、反饋輸出電壓跟蹤閉環(huán)調(diào)節(jié)，實(shí) 現(xiàn)滿足一款I(lǐng)nfineon的驅(qū)動芯片1ED020I12芯片的驅(qū)動電路系統(tǒng)，本方案通過原理設(shè)計(jì)、電路仿真及電路臺架測試，驗(yàn)證了系統(tǒng)性能、安全性高，同時可以通過較少的外圍電路實(shí)現(xiàn)可靠的
關(guān)鍵字： 202206 升降壓變換器反激反激變壓器 IGBT 脈寬調(diào)制

英搏爾率先采用英飛凌750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2組件

海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整合。英搏爾MCU技術(shù)總監(jiān)劉宏鑫表示：「英搏爾堅(jiān)定不移地遵循使用分立式組件設(shè)計(jì)電機(jī)控制單元（MCU）的技術(shù)路線，不斷開發(fā)出高性價比的產(chǎn)品，從而始終保持
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英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2器件

中國領(lǐng)先的車載逆變器供應(yīng)商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成。?? ? ? ? &
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英飛凌推出超可靠的壓接式IGBT,進(jìn)一步壯大Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容

Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管（FWD）、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT（PPI），進(jìn)一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該P(yáng)PI專為輸配電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，是大電流模塊化多電平轉(zhuǎn)換器（MMC）、中壓驅(qū)動器、直流電網(wǎng)斷路器、風(fēng)電變流器和牽引系統(tǒng)的理想選擇。Prime Switch IGBT的阻斷電壓為4.5 kV，不帶有FWD的型號電流為3000 A，帶有FWD的型號為 2000 A。英飛凌為3000
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英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊,大幅提升逆變器的功率密度

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了采用EconoDUAL? 3標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝的全新1700 V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動和靜態(tài)無功發(fā)生器（SVG）等應(yīng)用。與過去采用IGBT4芯片組的模塊相比，基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模塊在相同的封裝尺寸下，可將逆變器的輸出電流值提高40%。全新的1700 V I
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀

IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時反向恢復(fù)特性也會變快。什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著I
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e絡(luò)盟現(xiàn)貨開售Power Integrations系列高功率產(chǎn)品

安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟近日引入Power Integrations系列高功率柵極驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)大其功率產(chǎn)品陣容，均可快速交付。Power Integrations高功率產(chǎn)品系列包括：●? ?SCALE?-2：即插即用●? ?ISO5125I：DC-DC電源●? ?SCALE-2：Driver Core驅(qū)動核●? ?SCALE-2+：Driver Core 驅(qū)動核●? ?SCAL
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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突發(fā)！傳IGBT大廠停止接單

　　IGBT市場缺口高達(dá)50%，安森美已不再接單。　　隨著新能源汽車發(fā)展，IGBT需求量水漲船高，同時疊加持續(xù)一年有余的全球缺芯大背景，車規(guī)級IGBT依舊在苦苦掙扎。今年2月，業(yè)內(nèi)已發(fā)出預(yù)警稱，今年下半年IGBT或?qū)⒊蔀樾履茉雌嚿a(chǎn)瓶頸所在，其影響可能將超過MCU。　　如今邁入5月，IGBT供不應(yīng)求已有愈演愈烈之勢。目前IGBT交貨周期已全線拉長到50周以上，個別料號周期甚至更長。需求高漲下，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2：1。若去掉部分非真實(shí)需求訂單，預(yù)計(jì)真實(shí)需求是實(shí)際供貨能力的1.5倍，這也意
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