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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt-ipm

新能源汽車成為大功率IGBT的主要驅(qū)動力

  • 　　據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(下圖草綠色部分)?！　】煽啃猿蔀楣β孰娏﹄娮悠骷年P(guān)鍵指標　　EV/HEV汽車用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對性能指標要求高，目前電流已達600安培左右，同時對可靠性的要求更為嚴苛，例如汽車應(yīng)用的期望壽命需要二三十年，需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，而且需要在不同的
  • 關(guān)鍵字： IGBT  Mentor  MicReD  

Mentor推出1500A功率循環(huán)測試設(shè)備

  • 　　聚焦可靠性　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機車牽引的期望壽命超過三十年，功率器件通常需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，對新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)?！　」β恃h(huán)和熱量導致與熱相關(guān)的器件老化降級，容易導致焊線老化降級，金屬層錯位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問題。因此需要精密的實驗設(shè)備對電力電子器件的可靠性進行評估?！　鹘y(tǒng)的功率循環(huán)測試和失效分析有諸
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安森美半導體看好中國汽車市場

  • 　　中國已成為全球最大的汽車生產(chǎn)國和消費市場，2013年中國整體汽車銷量增長14%至2,200萬輛，其中乘用車銷售約1,800萬輛(份額80%)，商用車約400萬輛(份額20%);2014年整體銷量可達2,300萬輛，乘用車銷量較2012年增長16%。汽車大趨勢正在推動半導體成分的升高：IHS公司預測，由于汽車安全與導航等系統(tǒng)的不斷采用，中國汽車半導體市場將在2014年增長11%，達到46億美元。而在未來三年會延續(xù)增長勢頭，到2017年，中國汽車芯片市場將達到62億美元。 　　面對巨大的需求，半導體廠商
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高鐵“中國芯”即將量產(chǎn)：速度超600km/h

  • 高鐵在技術(shù)上的突破確實令人欣慰，但這給老百姓帶來的實惠非常有限，其在經(jīng)濟民生方面的意義更像是國家層面的形象工程。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  芯片  

淺談CPLD在IGBT驅(qū)動設(shè)計中的應(yīng)用

  • 隨著國民經(jīng)濟的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來越廣泛。如何打破國外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個嚴肅的課題擺在我國工程技術(shù)人員的面前。 在某型號大功率變頻調(diào)速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結(jié)構(gòu)和散熱的條件，主控板上DSP產(chǎn)生的PWM信號需經(jīng)過較長的距離才能送到IGBT逆變單元中。為保證PWM信號傳輸?shù)臏蚀_性和可靠性，必須解決以下幾個問題：首先是抗干擾問題，變頻器工作時，IGBT的開關(guān)動作會產(chǎn)生高頻干擾信號;其次是如何保證PWM信號的前、后沿質(zhì)量，減少IGBT開關(guān)動作的過渡過程;最后是如何減少布線電感，盡可能
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基于IGBT器件的大功率DC/DC電源技術(shù)方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： DC/DC  大功率輸出  電源模塊  IGBT  

國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線將投產(chǎn)

  • 中國南車成為國內(nèi)唯一一家全面掌握IGBT芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測試和系統(tǒng)應(yīng)用的企業(yè)。讓我們了解一下......
  • 關(guān)鍵字： 8英寸  IGBT  芯片  

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境。　　除了具有優(yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
  • 關(guān)鍵字： Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

英飛凌加入中國國際電動汽車示范城市伙伴組織，助力本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  • 　　英飛凌科技(中國)有限公司宣布正式加入“中國(上海)國際電動汽車示范城市伙伴組織”，該組織成員包括致力于推廣電動車產(chǎn)業(yè)的上下游企業(yè)。作為全球領(lǐng)先的汽車電子供應(yīng)商，英飛凌是首家加入的半導體科技公司。英飛凌將依托?“伙伴組織”框架機構(gòu)，加強與“伙伴組織”成員及其他伙伴企業(yè)的交流與合作，助力推進電動汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?！　∽鳛槿蜃畲蟮腎GBT芯片及模塊供應(yīng)商，英飛凌可以為電動汽車的主要核心電子電器模塊提供完整的解決方案，包括電機驅(qū)動、電池管理、高壓輔助系統(tǒng)如DC/DC、車載充電器以及整車控制器。大量
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  IGBT  半導體  

IR推出堅固可靠的超高速1400V IGBT

  • 　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商?–?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管?(IGBT)?IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化。　　IRG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極管共同封裝，由于使用IR?的Gen7?薄晶圓溝道技術(shù)，可提供極低VCE(ON)?和超高速開關(guān)，
  • 關(guān)鍵字： IR  IRG7PK35UD1PbF  IGBT  1400V  

英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導IGBT

  • 2014年2月24日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)推出單片集成逆導二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。
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工程師總結(jié)：IGBT知識梳理

  • 有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MO...
  • 關(guān)鍵字： 工程師  IGBT  知識梳理  

基于散熱器設(shè)計的大功率IGBT散熱器水冷熱阻計算

  • 為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力，保障其可靠工作，引用了傳熱學中的基本原理與公式，以散熱器外形的機械尺寸、水的強...
  • 關(guān)鍵字： 散熱器設(shè)計  大功率  IGBT  

基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)

  • 在雷達發(fā)射機脈沖調(diào)制器中，廣泛采用的是電真空管作為開關(guān)管。這種結(jié)構(gòu)的脈沖調(diào)制器具有配套技術(shù)復雜、造價高...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  固態(tài)脈沖  調(diào)制器設(shè)計  

用于低功率應(yīng)用的高能效AC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 安森美  IGBT  分立MOSFET  AC-DC控制器  DC-DC控制器  
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