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igbt-ipm 文章 最新資訊

國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

  • 　　“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項(xiàng)中提供多方位的支持。 　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
  • 關(guān)鍵字： 新能源  功率器件  IGBT  

具有有源電壓鉗位功能的電動汽車IGBT驅(qū)動電路設(shè)計與研究

  • 摘要：由于電動汽車及混合動力機(jī)車的電池工作電壓范圍較大，在剎車能量回收、發(fā)電機(jī)發(fā)電、短路保護(hù)等工況下，防止IGBT產(chǎn)生過壓失效成為一個必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過壓失效的有效手段開始有所應(yīng)用，本文對幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進(jìn)行了分析，并提出在有源電壓鉗位在電動汽車IGBT驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)化建議。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  電動汽車  201211  

IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。
  • 關(guān)鍵字： IR  Gen8  IGBT  

并聯(lián)有源電力濾波器保護(hù)的關(guān)鍵技術(shù)研究

  • 摘要：針對并聯(lián)有源電力濾波器在運(yùn)行過程中會多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題，經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒于IGBT的關(guān)斷時間極短，連接導(dǎo)線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會產(chǎn)生尖峰過電壓，并與原有電
  • 關(guān)鍵字： SAPF  IGBT  過電壓  寄生電感  

電源管理半導(dǎo)體市場今年預(yù)計萎縮

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，今年全球電源管理半導(dǎo)體市場預(yù)計大幅萎縮6%，主要?dú)w因于全球消費(fèi)市場明顯疲軟。電源管理半導(dǎo)體對于各類設(shè)備節(jié)省能源至關(guān)重要。 　　2012年電源管理芯片營業(yè)收入預(yù)計從去年的318億美元降至299億美元。相比之下，去年該產(chǎn)業(yè)在2010年314億美元的基礎(chǔ)上小幅增長1.5%。 　　明年該市場將恢復(fù)增長，預(yù)計上升7.6%至322億美元，略高于去年的水平。對于電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，7.6%的增幅相當(dāng)一般。繼明年之后接下來的三年，市場將保持溫和增長，2016
  • 關(guān)鍵字： IHS  電源管理  半導(dǎo)體  IGBT  

IGBT光伏發(fā)電逆變電路

  • 國內(nèi)外大多數(shù)光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  光伏發(fā)電  逆變電路  

IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

  • 斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
  • 關(guān)鍵字： IGBT  大功率  斬波    

基于智能功率模塊(IPM)的三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)驅(qū)動

  • 過去10年中，盡管永磁同步馬達(dá)(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標(biāo)準(zhǔn)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達(dá)。啟動IM最簡單的辦法是把馬達(dá)直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟動器
  • 關(guān)鍵字： 感應(yīng)  馬達(dá)  IM  驅(qū)動  三相  IPM  智能  功率  模塊  基于  

安森美推出9款新的高能效方案

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  IGBT  

面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談

  • 中心論題：由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
  • 關(guān)鍵字： IGBT  汽車應(yīng)用  功率模塊    

IGBT驅(qū)動電路M57962L的剖析

  • 中心論題：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。驅(qū)動電路M57962L簡介。M57962L的工作原理。解決方案：一個2.5V～5.0V的閥值電壓使IGBT對柵極電荷集聚很敏感。檢測管壓降VCE的大小可識別IGBT是否過流。封閉性
  • 關(guān)鍵字： M57962L  IGBT  驅(qū)動電路    

IR針對家電電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用推出新型IGBT

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 系列。全新600V超高速溝道IGBT能夠?yàn)橄匆聶C(jī)和冰箱等家電與輕工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用提升性能及效率。
  • 關(guān)鍵字： IR  電機(jī)驅(qū)動器  IGBT  

Microsemi擴(kuò)展NPT IGBT產(chǎn)品系列

  • 致力于能源、安全、可靠性與高性能領(lǐng)域，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款I(lǐng)GBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  IGBT  

飛兆借助新款帶短路功能的IGBT提高電機(jī)驅(qū)動效率和可靠性

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動設(shè)計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  IGBT  電機(jī)驅(qū)動  

IGBT高壓變頻器在高爐水沖渣系統(tǒng)的應(yīng)用

  • 1 概述高爐冶煉中產(chǎn)生大量的熔渣，通常是用大流量的中壓水將其降溫并沖散，同時輸送到水渣池回收，作為煉鐵的副產(chǎn)品.高爐生產(chǎn)是不間斷的，一般情況下每天出鐵15次，出鐵前、后各放一次渣，兩次出渣時間共約30 min.在
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  應(yīng)用  水沖渣  高爐  高壓  變頻器  IGBT  
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