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igbt-ipm 文章 最新資訊

英飛凌與富士就HybridPACK 2功率模塊達成協(xié)議

  • 富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)攜手為混合動力汽車(HEV)提供功率模塊。這兩家公司于近日在PCIM歐洲展會(地點：德國紐倫堡;時間：2012年5月8日至10日)上宣布，雙方達成一項協(xié)議，利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開發(fā)汽車IGBT功率模塊。為滿足混合動力汽車的功率模塊的供電安全需求，英飛凌與富士就模塊的尺寸、輸出引腳的位置、針翅銅基板的應(yīng)用，以及其他機械特性達成一致。該協(xié)議包含HybridPACK 2模塊——額定電壓和電流
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基于PWM控制器和IPM模塊的變頻電源設(shè)計

  • 摘要：采用智能型、高精度PWM控制器SA866和智能功率模塊PS21255,設(shè)計了小功率變頻電源。該系統(tǒng)硬件電路簡單，器件減少，結(jié)構(gòu)緊湊，具有較高的性價比和靈活的適應(yīng)性，安全可靠。敘詞：變頻器 IPM SPWM 逆變Abstract：
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IGBT系統(tǒng)的介紹

  • IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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針對HEV/EV市場的IGBT模塊仿真工具Ansoft

  • 面對高度競爭化的混合動力車和電動汽車(HEV/EV)市場，動力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。功率逆變器在動力集成系統(tǒng)中至關(guān)重要，通常由6個4times;6英寸封裝的IGBT模塊組成。這些IGBT模塊
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基于DSP與IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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IR推出600V超高速開關(guān)、耐用高頻IGBT

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池充電器等。
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IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)

  • 1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，由于半導體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因，IG
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安森美半導體推出高性能場截止型IGBT

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT)，目標應(yīng)用為工業(yè)電機控制及消費類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種要求嚴格的應(yīng)用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。
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采用塑料封裝和IMS襯底的混合動力汽車功率IGBT模塊

  • 混合動力電動汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關(guān)，到目前為止，大功率開關(guān)產(chǎn)品因為成本高，可靠性達不到汽車應(yīng)用的期望，而無法適
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IGBT-汽車點火系統(tǒng)中的佼佼者

  • 新一代點火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點火拓撲結(jié)構(gòu)。幾何學和摻雜分布圖的進步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車點火系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點火線圈)，以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子學教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級繞組上將產(chǎn)生高
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用于大功率工業(yè)應(yīng)用的IPM――最大電流可達3600 A

  • 摘要：IPM系列以無底板SKiiP?技術(shù)為特色，無焊接壓力系統(tǒng)和集成層壓電源軌確保均衡的電流分布，柵極驅(qū)動器采用了可靠的數(shù)字信號傳輸。這些特點使SKiiP?4 IPM成為風能和太陽能、無軌電車、有軌電車和地鐵、電梯以及工
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新型IGBT系統(tǒng)電路保護設(shè)計的解決方案

  • IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓
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IGBT在大功率斬波問題中的應(yīng)用分析

  • 斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運行安全和
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飛兆半導體650V場截止IGBT

  • 太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  光伏逆變器  IGBT  
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