IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖

IGBT實(shí)在BDMOS型功率場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下，增加一個(gè)P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構(gòu)成IGBT。