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gan+sic 文章 最新資訊

新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

  • 介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件，面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊，可穿戴設(shè)備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  電源管理  201804  

新發(fā)現(xiàn)！SiC可用于安全量子通信

  • 　　使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn)，目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng)，能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。 　　來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導(dǎo)體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達(dá)數(shù)十億個光子。研究人員進(jìn)一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。 　　量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
  • 關(guān)鍵字： SiC  量子通信  

受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

  • 　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設(shè)計，達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。 　　   　　此外，除了輕化車輛設(shè)計之外，因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對于電動車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此?/li>
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強(qiáng)勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。另外，為此
  • 關(guān)鍵字： ROHM  SiC  

對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憑啥入選MIT2018十大突破性技術(shù)

  • 　　日前，《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術(shù)，“對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”(GAN)赫然在列。 　　什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克? 　　   　　中國自動化學(xué)會混合智能專委會副主任、中國人工智能學(xué)會機(jī)器學(xué)習(xí)專委會常委、復(fù)旦大學(xué)博士生導(dǎo)師張軍平教授在接受科技日報記者采訪時做了深入淺出的解釋。 　　故事中的GAN
  • 關(guān)鍵字： 對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)  GAN  

AI版“雙手互搏”有多牛？

  • 什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克?
  • 關(guān)鍵字： AI  GAN  

GaN是5G最好選擇 手機(jī)端應(yīng)用現(xiàn)實嗎？

  • 　　超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度，可實現(xiàn)頻率復(fù)用效率的巨大提升，并且?guī)砜捎^的容量增長，未來隨著基站數(shù)量的增加，基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預(yù)測，射頻前端的市場規(guī)模預(yù)估到2020年將達(dá)到180億美元。Small Cell Forum預(yù)測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。 　　Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉 　　有業(yè)內(nèi)分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
  • 關(guān)鍵字： GaN  5G  

慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強(qiáng)

  • 　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

  • 　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正在強(qiáng)勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強(qiáng)現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。 　　我們
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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

  • 　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
  • 關(guān)鍵字： TI  GaN  

ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動器板加快產(chǎn)品上市時間

  • 　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關(guān)頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計旨在提高設(shè)計可靠性，同時減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
  • 關(guān)鍵字： ADI  SiC  

2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？

  • 　　《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。 　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone 　　入選理由：將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播 　　重大意義：目前，人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長。 　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
  • 關(guān)鍵字： 機(jī)器學(xué)習(xí)  GAN  

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

  • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
  • 關(guān)鍵字： 安森美  SiC  

氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

  • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 　　“不會游泳的時候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商， 團(tuán)隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
  • 關(guān)鍵字： GaN  氮化鎵  
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