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SiC使通訊電源PFC設(shè)計(jì)更高效、更簡(jiǎn)單

　　通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫(kù)，為各種傳輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個(gè)通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個(gè)通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個(gè)完整而又不可替代的關(guān)鍵部件。　　通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機(jī)房里，如圖1所示。　　　　圖1：通訊電源機(jī)房　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：　　• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz 　　• 輸出功率：2kw 　　• 輸出：最大電壓1
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC

　　氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開(kāi)了大門(mén)。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被
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TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計(jì)。而這些優(yōu)勢(shì)在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
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安森美半導(dǎo)體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開(kāi)關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現(xiàn)硅器件難以達(dá)到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開(kāi)關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來(lái)性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢(shì)　　從表1可見(jiàn)，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開(kāi)關(guān)過(guò)程的反向恢復(fù)時(shí)間可忽略不計(jì)
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SiC耐壓更高，適合工控和EV

　　SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機(jī)器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動(dòng)車(EV)，此外還有工廠車間的搬運(yùn)車等特種車。　　相比IGBT，SiC有一些特點(diǎn)，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應(yīng)適應(yīng)高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點(diǎn)。　　現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個(gè)芯片并聯(lián)在一起的。如果一個(gè)芯片40A左右，就需要約七八個(gè)芯片并聯(lián)，面積只有單個(gè)芯片那么大。絕緣層是由氧
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IEGT與SiC降低損耗

　　東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來(lái)越高?！　|芝是全球第一個(gè)商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門(mén)級(jí)注入增強(qiáng)”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊(cè)了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”。　　東芝電子(中國(guó))公司副董事長(zhǎng)野村尚司　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過(guò)使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命

　　大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的項(xiàng)目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。　　此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級(jí)和亞微米級(jí)的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見(jiàn)的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn)，包
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電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向

節(jié)能環(huán)保離不開(kāi)高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門(mén)領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無(wú)線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請(qǐng)部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車電池 USB Type-C 無(wú)線充電能量收集數(shù)據(jù)中心 201604

ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會(huì)上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強(qiáng)勢(shì)多元化的產(chǎn)品、多種熱門(mén)應(yīng)用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流?！　?nbsp;
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英國(guó)專家用半極性GaN生長(zhǎng)高效益LED

　　英國(guó)雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長(zhǎng)LED的最新成果。　　利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(zhǎng)的半極性GaN(11-22)上生長(zhǎng)出具有更高量子效益的LED。　　相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長(zhǎng)的綠光LED顯示發(fā)光波長(zhǎng)的藍(lán)位移隨著驅(qū)動(dòng)電流增加而
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英國(guó)專家用半極性GaN生長(zhǎng)高效益LED

　　英國(guó)雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長(zhǎng)LED的最新成果。　　利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(zhǎng)的半極性GaN(11-22)上生長(zhǎng)出具有更高量子效益的LED。　　相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長(zhǎng)的綠光LED顯示發(fā)光波
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波音和通用實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出GaN CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

　　由美國(guó)波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室-HRL實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)宣布其實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報(bào)上。　　在此過(guò)程中，該實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)確定半導(dǎo)體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。　　氮化鎵晶體管在電源開(kāi)關(guān)和微波/毫米波應(yīng)用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)

　　第五屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)　　時(shí)間：2016.01.14 下午　　地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)　　演講嘉賓: 蔡振宇富士通電子元器件市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理　　主持人：接下來(lái)開(kāi)始第三場(chǎng)演講。大家知道無(wú)論消費(fèi)電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動(dòng)車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長(zhǎng)電池使用的時(shí)間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會(huì)越來(lái)越依賴新型功
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物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商？

未來(lái)虛擬現(xiàn)實(shí)和智能汽車成為焦點(diǎn)，VR將會(huì)引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會(huì)給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革，而對(duì)于IoT可能帶來(lái)的更多變化，半導(dǎo)體廠商該如何應(yīng)對(duì)?
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) GaN

第三代半導(dǎo)體崛起中國(guó)照明能否彎道超車？

　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)，中國(guó)也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會(huì)發(fā)展的基石，是推動(dòng)節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國(guó)掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話語(yǔ)權(quán)? 　　　　第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 GaN