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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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芯片設(shè)計中，DRAM 類型的選擇正在變復(fù)雜

  • 選擇越多，選擇越難。
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

  • 在本次展會上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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DDR5 成競逐焦點

  • 如今，無論是 PC、筆記本電腦還是人工智能，各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀(jì)元邁進(jìn)。今年，生成式 AI 市場蓬勃發(fā)展，用于大模型應(yīng)用的 AI 服務(wù)器大力推動了對 DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。那么，DDR5 究竟有哪些優(yōu)勢？以及它如何成為未來存儲市場的焦點？DDR3、DDR4 再到 DDR5在過去的十多年，DDR3 內(nèi)存是服務(wù)器中常用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，其時鐘頻率通常從 800MHz 到 2133MHz 不等，適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等，隨
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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
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通脹沖擊消費電子終端買氣，2022年DRAM模組廠營收年減4.6%

  • 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應(yīng)的領(lǐng)域不同，使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達(dá)78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
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美光推高速內(nèi)存 效能增5成

  • 美光的新一代內(nèi)存，目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴(kuò)大運算能力，并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺，支持AI訓(xùn)練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存，以其領(lǐng)先1β制程節(jié)點技術(shù)，美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達(dá)7,200MT／s，相較于前一代產(chǎn)品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品，在現(xiàn)有模塊化密度中，速率可達(dá)4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應(yīng)用。
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DDR5時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

  • 在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動了計算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今，無論是 PC、筆電還是人工智能，各行業(yè)正在加
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

  • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應(yīng)增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕

  • IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

  • 面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護(hù)欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
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ddr5 dram介紹

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