1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競(jìng)賽已拉開(kāi)帷幕

IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。

圖源：SK 海力士

DRAM

目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。

美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。

而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b DRAM 工藝階段，芯片容量從 24Gb（3GB）到 32Gb（4GB），原生速度從 6.4 提高到 7.2Gbps。

NAND

在 NAND 閃存業(yè)務(wù)中，該技術(shù)現(xiàn)已突破 200 層堆疊的顯著里程碑，存儲(chǔ)制造商不斷追求更高的層數(shù)。

SK 海力士于 8 月 9 日在 2023 閃存峰會(huì)上展示了全球首款 321 層 NAND 閃存樣品。與之前的 238 層 512Gb NAND 相比，這一創(chuàng)新將效率提高了 59%。SK 海力士計(jì)劃進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半年開(kāi)始生產(chǎn)。

此外，美光還制定了超越 232 層的雄心勃勃的計(jì)劃，即將推出 2YY、3XX 和 4XX 等產(chǎn)品。Kioxia 和西部數(shù)據(jù)也在積極探索 300 層、400 層和 500 層以上的 3D NAND 技術(shù)。

IT之家此前報(bào)道，三星計(jì)劃在 2024 年推出第九代 3D NAND，可能具有 280 層，隨后在 2025-2026 年推出第十代，可能達(dá)到 430 層，他們的最終目標(biāo)是到 2030 年實(shí)現(xiàn) 1000 層 NAND 閃存。