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3nm 芯片
3nm 芯片 文章 最新資訊
車(chē)規(guī)級(jí)MCU介紹

- 控制類(lèi)芯片介紹控制類(lèi)芯片主要就是指MCU(Microcontroller Unit),即微控制器,又叫單片機(jī),是把CPU的主頻與規(guī)格做適當(dāng)縮減,并將存儲(chǔ)器、定時(shí)器、A/D轉(zhuǎn)換、時(shí)鐘、I/O端口及串行通訊等多種功能模塊和接口集成在單個(gè)芯片上,實(shí)現(xiàn)終端控制的功能,具有性能高、功耗低、可編程、靈活度高等優(yōu)點(diǎn)。車(chē)規(guī)級(jí)MCU示意圖汽車(chē)是MCU的一個(gè)非常重要的應(yīng)用領(lǐng)域,據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2019年全球MCU應(yīng)用于汽車(chē)電子的占比約為33%。高端車(chē)型中每輛車(chē)用到的MCU數(shù)量接近100個(gè),從行車(chē)電腦、液晶儀表,
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臺(tái)積電表示無(wú)法保證其芯片最終不會(huì)進(jìn)入中國(guó)
- 據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電因在不知情的情況下為列入黑名單的華為生產(chǎn)計(jì)算小芯片而面臨 10 億美元的罰款,華為使用代理向該公司下訂單。這家合同芯片制造商的情況看起來(lái)并不好,臺(tái)積電在其最新的年度報(bào)告中承認(rèn),在監(jiān)控芯片離開(kāi)晶圓廠(chǎng)后如何使用存在困難。換句話(huà)說(shuō),它不能保證華為的故事不會(huì)重演?!拔覀?cè)诎雽?dǎo)體供應(yīng)鏈中的角色本質(zhì)上限制了我們關(guān)于包含我們制造的半導(dǎo)體的最終產(chǎn)品的下游使用或用戶(hù)的可見(jiàn)性和信息,”臺(tái)積電在其年度報(bào)告中的一份聲明中寫(xiě)道?!斑@種限制阻礙了我們完全確保我們制造的半導(dǎo)體不會(huì)被轉(zhuǎn)移到非預(yù)期的最終用途或最終用戶(hù)的能力,
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華強(qiáng)北市場(chǎng)多款熱門(mén)芯片“封庫(kù)存” 分銷(xiāo)商稱(chēng)有客戶(hù)轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)
- 財(cái)聯(lián)社4月14日電,財(cái)聯(lián)社記者于4月14日走訪(fǎng)深圳華強(qiáng)北市場(chǎng)了解到,目前多家檔口針對(duì)CPU、顯卡等熱門(mén)芯片的報(bào)價(jià)已經(jīng)暫停,且多家檔口關(guān)門(mén)歇業(yè)。圖為華強(qiáng)電子世界 財(cái)聯(lián)社記者攝“現(xiàn)在都在觀(guān)望,封庫(kù)存了,大家擔(dān)心價(jià)格會(huì)暴漲暴跌。”談及美國(guó)關(guān)稅調(diào)整后的影響,一名檔口老板告訴財(cái)聯(lián)社記者。此外,記者從多家國(guó)產(chǎn)芯片廠(chǎng)商處獲悉,關(guān)稅變化后客戶(hù)咨詢(xún)變多?!吧婕暗矫绹?guó)原產(chǎn)地的產(chǎn)品,已經(jīng)有下游客戶(hù)開(kāi)始跟我們溝通(國(guó)產(chǎn))替代的可行性了?!币幻鲜蟹咒N(xiāo)企業(yè)高管告訴記者。(財(cái)聯(lián)社記者 王碧微 付靜)
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特朗普關(guān)稅大棒下,英偉達(dá)投資5000億美元:最強(qiáng)AI芯片將在美國(guó)制造
- 4月15日消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周日,特朗普政府宣布計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)進(jìn)口產(chǎn)品加征關(guān)稅。次日,英偉達(dá)立即公布了最新戰(zhàn)略計(jì)劃:將在美國(guó)得克薩斯州與代工廠(chǎng)商合作,生產(chǎn)用于支持人工智能技術(shù)的超級(jí)計(jì)算機(jī)。不過(guò),英偉達(dá)的這則消息究竟有多少真正"新意"?也引發(fā)了部分分析人士的質(zhì)疑。這是該公司首度公開(kāi)披露將在得州制造人工智能超級(jí)計(jì)算機(jī)的計(jì)劃,旨在響應(yīng)美國(guó)政府推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“回流”的政策號(hào)召。作為當(dāng)下全球AI浪潮中的最大受益者,英偉達(dá)承諾未來(lái)幾年將在美投入令人瞠目的5000億美元。該計(jì)劃在規(guī)模與定位上,與蘋(píng)果
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美國(guó)啟動(dòng)藥品與芯片進(jìn)口調(diào)查,準(zhǔn)備單獨(dú)加征關(guān)稅?
- 4月15日消息,美國(guó)時(shí)間周一,特朗普政府發(fā)布公告,宣布正式啟動(dòng)對(duì)藥品和半導(dǎo)體進(jìn)口的調(diào)查,旨在以國(guó)家安全為由對(duì)這兩個(gè)行業(yè)加征關(guān)稅。相關(guān)文件將在周三發(fā)布,特朗普政府還宣布,自文件發(fā)布之日起21天為公眾意見(jiàn)征詢(xún)期,表明特朗普政府計(jì)劃根據(jù)《1962年貿(mào)易擴(kuò)展法》第232條的授權(quán)來(lái)推進(jìn)這些關(guān)稅。這類(lèi)調(diào)查需要在啟動(dòng)后270天內(nèi)完成。特朗普政府已針對(duì)銅材和木材進(jìn)口啟動(dòng)了類(lèi)似調(diào)查,其首個(gè)任期內(nèi)完成的調(diào)查,為今年1月再次就職后對(duì)鋼鐵、鋁材及汽車(chē)行業(yè)加征關(guān)稅提供了依據(jù)。美國(guó)自4月5日起開(kāi)始對(duì)進(jìn)口商品征收10%的關(guān)稅。藥品和半
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比蘋(píng)果高通快一步!曝三星率先商用2nm芯片:11月進(jìn)入量產(chǎn)階段
- 4月12日消息,三星原計(jì)劃為Galaxy S25系列搭載自主研發(fā)的3nm芯片Exynos 2500,但由于三星代工部門(mén)的3nm良率未達(dá)標(biāo),Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今,三星押注下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600,這顆芯片首發(fā)采用三星2nm工藝制程。據(jù)媒體報(bào)道,三星2nm工藝制程良率已達(dá)40%,預(yù)計(jì)在今年11月正式啟動(dòng)Exynos 2600的量產(chǎn)工作,Galaxy S26系列將會(huì)全球首發(fā)Exynos 2600。值得注意的是,芯片制造商通常需達(dá)到70%-80%的
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臺(tái)積電面臨10億美元罰款和100%關(guān)稅威脅

- 4月9日,美國(guó)總統(tǒng)特朗普在共和黨全國(guó)委員會(huì)活動(dòng)上自爆曾威脅臺(tái)積電,若不繼續(xù)在美國(guó)投資建廠(chǎng),其產(chǎn)品進(jìn)入美國(guó)將面臨高達(dá)100%的關(guān)稅。特朗普還批評(píng)拜登政府此前為臺(tái)積電亞利桑那州工廠(chǎng)提供66億美元補(bǔ)貼,主張通過(guò)稅收威脅而非財(cái)政激勵(lì)推動(dòng)制造業(yè)回流。10億美元罰款?據(jù)路透社援引知情人士透露,臺(tái)積電可能面臨10億美元或更高的罰款,作為美國(guó)對(duì)其生產(chǎn)的芯片的出口管制調(diào)查結(jié)果。臺(tái)積電被指控通過(guò)第三方為中國(guó)大陸科技企業(yè)代工生產(chǎn)近300萬(wàn)顆AI芯片,而根據(jù)美國(guó)出口管制條例,違規(guī)交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺(tái)積電在一份聲
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谷歌迄今最強(qiáng)芯!第七代TPU發(fā)布:內(nèi)存容量高達(dá)192GB
- 4月10日消息,據(jù)報(bào)道,在本周的Cloud Next大會(huì)上,Google發(fā)布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副總裁Amin Vahdat表示:Ironwood是我們迄今為止功能最強(qiáng)大、性能最強(qiáng)、最節(jié)能的 TPU。它專(zhuān)為大規(guī)模支持思考和推理AI模型而設(shè)計(jì)。首先在計(jì)算性能上,Ironwood實(shí)現(xiàn)4614 TFLOP的峰值算力,配備192GB專(zhuān)用RAM和7.4Tbps超高帶寬,確保數(shù)據(jù)高速傳輸。其次,芯片間互連(ICI)帶寬提升至1.2Tbps,較前代提升50%,大幅
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三星已組建專(zhuān)注于1nm芯片開(kāi)發(fā)的團(tuán)隊(duì) 量產(chǎn)目標(biāo)定于2029年
- 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利,但三星的目標(biāo)是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)限制。一份新報(bào)告指出,該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而,由于量產(chǎn)目標(biāo)定于 2029 年,我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應(yīng)用。1nm 晶圓的開(kāi)發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設(shè)備”,但目前尚不清楚三星是否已訂購(gòu)這些機(jī)器。另一方面,臺(tái)積電也正在推出 2 納米以下芯片,據(jù)報(bào)道,這家臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭已于 4 月初開(kāi)始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星,在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過(guò)程中
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后貿(mào)易時(shí)代,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)如何突圍困局?

- 上周三,美國(guó)總統(tǒng)特朗普宣布對(duì)進(jìn)口商品征收全面關(guān)稅;隨后周五,中國(guó)政府宣布對(duì)美國(guó)采取反制措施,對(duì)所有美國(guó)進(jìn)口的商品加征34%的關(guān)稅。
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小米新款SoC或采用臺(tái)積電N4P工藝,圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8
- 去年末有報(bào)道稱(chēng),小米即將迎來(lái)了自己的SoC,已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作,剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單,批量生產(chǎn)自己設(shè)計(jì)的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1,搭載于小米5c,對(duì)SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報(bào)道,雖然中國(guó)大陸的芯片設(shè)計(jì)公司或許不能采用臺(tái)積電(TSMC)最新的制造工藝,但最新消息指出,相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒(méi)有影響到小米,該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過(guò)與之前的消息有些不同,小米的自研芯片采用的并非3nm工藝,而是4nm工藝,具體來(lái)說(shuō)是N4P。小米的SoC在C
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臺(tái)積電2nm馬上量產(chǎn):工廠(chǎng)火力全開(kāi) 蘋(píng)果首發(fā)
- 3月31日消息,據(jù)媒體報(bào)道,位于新竹和高雄的兩大臺(tái)積電工廠(chǎng)將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中,臺(tái)積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn),待兩大工廠(chǎng)同步投產(chǎn)之后,月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓,最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬(wàn)片。與此同時(shí),市場(chǎng)對(duì)2nm芯片的需求持續(xù)高漲,最新報(bào)告顯示,僅2025年第三、四季度,臺(tái)積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營(yíng)收,這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在A(yíng)I、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺(tái)積電的核心客戶(hù),蘋(píng)果將是臺(tái)積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者,預(yù)計(jì)iP
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 量產(chǎn) 蘋(píng)果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構(gòu) 3nm FinFET
英特爾將在愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)大批量生產(chǎn)3nm芯片
- 據(jù)外媒報(bào)道,英特爾確認(rèn)將于今年晚些時(shí)候在其位于愛(ài)爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解,Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節(jié)點(diǎn),每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報(bào)告中表示,該工藝于2024年在美國(guó)俄勒岡州完成首批量產(chǎn),2025年產(chǎn)能將全面轉(zhuǎn)至愛(ài)爾蘭萊克斯利普工廠(chǎng)。據(jù)介紹,英特爾同步向代工客戶(hù)開(kāi)放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外,該公司還與聯(lián)電合作開(kāi)發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示:基于Intel 18A工藝的客戶(hù)端處理器Pa
- 關(guān)鍵字: 英特爾 3nm Fab 34 14A
拓?fù)浒虢饘??未?lái)的芯片需要比銅更好的材料
- 如果你需要將電子從這里移動(dòng)到那里,你可以求助于銅。這種常見(jiàn)元素是一種極好的導(dǎo)體,很容易制成電線(xiàn)和電路板走線(xiàn)。但是,當(dāng)你變小時(shí),情況就會(huì)發(fā)生變化:在納米尺度上真的非常小。相同的銅顯示出越來(lái)越大的電阻,這意味著更多的電信號(hào)會(huì)因熱量而損失。為更小、更密集的設(shè)備供電可能需要更多的能量,這與您想要的微型電子設(shè)備正好相反。斯坦福大學(xué)的研究人員在 Eric Pop 實(shí)驗(yàn)室由 Asir Intisar Khan 領(lǐng)導(dǎo),一直在試驗(yàn)一種按比例縮小到約 1.5 納米厚度的新型薄膜。他們發(fā)現(xiàn),隨著這
- 關(guān)鍵字: 拓?fù)浒虢饘?/a> 芯片 銅
3nm 芯片介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3nm 芯片!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm 芯片的理解,并與今后在此搜索3nm 芯片的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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