碳化硅(sic) 文章 最新資訊
SiC在電動汽車的功率轉換中扮演越來越重要的角色

- 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先,中國的電動化發(fā)展速度很快,中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛,而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡,沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術遺產”問題。相比歐美,新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國,功率轉換系統(tǒng)在汽車中的應用非常廣泛,這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產品部大眾市場業(yè)務拓展負責人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
- 關鍵字: 新能源汽車 SiC
三安集成完成碳化硅MOSFET量產平臺打造,貫通碳化硅器件產品線
- 中國化合物半導體全產業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布,已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產品已完成研發(fā)并通過一系列產品性能和可靠性測試,其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域,有助于減小系統(tǒng)體積,降低系統(tǒng)功耗,提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
- 關鍵字: 三安集成 碳化硅 MOSFET
推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術

- 隨著電動汽車(EV)數(shù)量的增加,對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長,如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比,新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80%,行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準, 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天,我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
- 關鍵字: EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
“新一輪產業(yè)升級,全球進入第三代半導體時代“

- 隨著物聯(lián)網,大數(shù)據(jù)和人工智能驅動的新計算時代的發(fā)展,對半導體器件的需求日益增長,對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視,國際上已形成完整的覆蓋材料,器件,模塊和應用等環(huán)節(jié)的產業(yè)鏈。全球新一輪的產業(yè)升級已經開始,正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優(yōu)勢,是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質半導體材料。已在智能電網,軌道交通,新能源,開關電源等領域得到了應用,展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質和廣闊的
- 關鍵字: 碳化硅,半導體
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建??梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關鍵字: IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
新基建驅動電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

- 我國正在大力進行新基建,工業(yè)物聯(lián)網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起,奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預測,并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關鍵字: 電源 SiC IGBT GaN
英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應用分析

- 2020年2月,碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET,帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的?下一步產品計劃如何?碳化硅業(yè)的難點在哪里?為此,電子產品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關電源應用高級市場經理 陳清源據(jù)悉,此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產品,采用2種插件TO-247封裝,既可采用典型的TO-247 三引腳封裝,也
- 關鍵字: MOSEFT 碳化硅 SMD
碳化硅(sic)介紹
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