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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

寬禁帶技術-下一代功率器件

  • 　　行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效?！　⊥瑫r，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目
  • 關鍵字： SiC  GaN  

羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”

  • 　　全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導體為汽車的未來做貢獻”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機交互等相關領先半導體產品。　　羅姆展臺人頭攢動　　在 “Formula E國際汽聯電動方程式錦標賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內，重點展示了以下產品和技術：　　? 先進的SiC(碳化硅)技術：助力 “Formula
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  

德州儀器CTO：TI顛覆性技術將引領我們快速前進

  • 　　當我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術將載著我們馳騁在大數據公路的快車道上?！　诚胍幌?，新技術將影響著我們未來的工作和生活：　　· 汽車組裝生產線上將重新配置協作機器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產力，發(fā)揮競爭優(yōu)勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間?！　　?機器視覺技術將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時也可清晰視物。　　· 充電器尺寸將縮小到信
  • 關鍵字： 德州儀器  SiC  

應用角：云電源

  • 　　云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數據的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉換器來提供負載點電源?！　∮捎谖锫摼W顯著增加了捕獲某種數據的端點數(2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數據。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產生熱量，終
  • 關鍵字： 云電源  SiC  

低功耗SiC二極管實現最高功率密度

  • 　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體?！　“采腊雽w擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
  • 關鍵字： 肖特基二極，SiC  

工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

  • 　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統(tǒng)，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
  • 關鍵字： SiC，MOSFET  

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長?！　≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了?！薄　iC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
  • 關鍵字： SiC  

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長?！　≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了?！薄　iC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
  • 關鍵字： SiC  

安森美半導體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應用

  • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優(yōu)勢?！　iC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
  • 關鍵字： 安森美  SiC  

美高森美繼續(xù)擴大碳化硅產品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

  • 　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
  • 關鍵字： 美高森美  SiC  

ROHM集團Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強化SiC功率元器件的產能

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！　⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡?，F在，具體設計工作正在有條不紊地進行，預計將于2019年動工，于2020年竣工?！　OHM自2010年開始量產SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產“全SiC”功率模塊和溝槽結構SiC-MOSFET，不斷進行著領先業(yè)界的技
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行調研基本半導體

  • 　　4月9日上午，國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。　　基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導體產業(yè)的領軍企業(yè)?！　壹呻娐樊a業(yè)投資基金是為促進集
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  功率芯片  集成電路  

ROHM炫動慕展，為汽車車載帶來一大波方案

  • 　　ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據館內的入口人氣位置，以炫動的賽車和動感十足的汽車產品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點帶來了什么汽車新品?　　據悉，此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設備”，重點展示了功率電源產品及解決方案?！　D：ROHM展臺設在展館入口處，動感賽車吸引眼球　　賽車性能突破極限，因為有SiC　　視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

SiC將與IGBT或MOSFET共存

  • 雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
  • 關鍵字： 瑞薩，碳化硅  

SiC和GaN產品市場趨勢及力特提供的產品

  • 硅半導體器件在過去數十年間長期占據著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們日常生活中的絕大部分應用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
  • 關鍵字： 力特，SiC，GaN  
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碳化硅（sic）介紹

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